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71. 发明专利

TW200818969A 發光元件之製造裝置及發光元件之製造方法审中-公开
简体标题：发光组件之制造设备及发光组件之制造方法
公开(公告)号：TW200818969A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096121589
申请日：2007-06-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY
发明人：茂山和基 MOYAMA, KAZUKI , 八木靖司 YAGI, YASUSHI , 野澤俊久 NOZAWA, TOSHIHISA , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 河村忠一 KAWAMURA, CHUICHI , 吉野公彥 YOSHINO, KIMIHIKO
IPC分类号： H05B , C23C
CPC分类号： H01L51/001 , C23C14/12 , C23C14/28 , H01L51/0021 , H01L51/56
摘要：本發明乃一種發光元件之製造裝置及發光元件之製造方法,揭示在於被處理基板上,具有為形成具有含有機層之複數層之發光元件之複數之處理室,於前述複數之處理室,順序搬送被處理基板之發光元件之製造裝置中,複數之處理室實質上連接呈直線狀的同時,在鄰接之2個處理室間,輸送前述被處理基板時,2個處理室被不與前述被處理基板上之層具有反射性之氣體所充滿而構成為特徵發光元件之製造裝置。
简体摘要：本发明乃一种发光组件之制造设备及发光组件之制造方法,揭示在于被处理基板上,具有为形成具有含有机层之复数层之发光组件之复数之处理室,于前述复数之处理室,顺序搬送被处理基板之发光组件之制造设备中,复数之处理室实质上连接呈直线状的同时,在邻接之2个处理室间,输送前述被处理基板时,2个处理室被不与前述被处理基板上之层具有反射性之气体所充满而构成为特征发光组件之制造设备。

72. 发明专利

TW200810008A 基板載置台及熱處理裝置 SUBSTRATE STAGE AND HEAT TREATMENT APPARATUS 审中-公开
简体标题：基板载置台及热处理设备 SUBSTRATE STAGE AND HEAT TREATMENT APPARATUS
公开(公告)号：TW200810008A
公开(公告)日：2008-02-16
申请号：TW096123318
申请日：2007-06-27
申请人：國立大學法人東北大學 TOHOKU UNIVERSITY , 未來視野股份有限公司 FUTURE VISION INC. , 光洋熱系統股份有限公司 KOYO THERMO SYSTEMS CO., LTD.
发明人：大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 村岡祐介 MURAOKA, YUSUKE , 宮路恭祥 MIYAJI, YASUYOSHI , 長島靖 NAGASHIMA, YASUSHI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6875 , C25D11/04 , C25D11/16 , H01L21/67103 , H01L21/68757 , H01L21/68778
摘要：本發明係提供一種具有高耐磨性且不產生剝離帶電之基板載置台。其在用於載置於載置台本體11上形成之基板W之載置面12,藉由壓花加工形成特定之壓花形狀E之後,藉由陽極氧化處理形成非晶質狀態之氧化鋁膜A。非晶質結構之氧化鋁膜A緻密且堅固。因此,本發明不僅具有高耐磨性,且可以大體防止剝離帶電。
简体摘要：本发明系提供一种具有高耐磨性且不产生剥离带电之基板载置台。其在用于载置于载置台本体11上形成之基板W之载置面12,借由压花加工形成特定之压花形状E之后,借由阳极氧化处理形成非晶质状态之氧化铝膜A。非晶质结构之氧化铝膜A致密且坚固。因此,本发明不仅具有高耐磨性,且可以大体防止剥离带电。

73. 发明专利

TW200804707A 耐熱性真空隔熱材及加熱裝置审中-公开
简体标题：耐热性真空隔热材及加热设备
公开(公告)号：TW200804707A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW096114289
申请日：2007-04-23
申请人：國立大學法人東北大學 TOHOKU UNIVERSITY , 大成建設股份有限公司 TAISEI CORPORATION , 松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
发明人：大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 白井泰雪 SHIRAI, YASUYUKI , 小林貞雄 KOBAYASHI, SADAO , 若山惠英 WAKAYAMA, YOSHIHIDE , 上門一登 UEKADO, KAZUTAKA
IPC分类号： F16L
CPC分类号： H01L21/67103 , C23C14/22 , C23C14/56 , C23C16/4412 , F01N13/08 , F01N13/146 , F16L53/38 , F16L58/00 , F16L59/065 , Y10T428/2933
摘要：為了提供一種加熱裝置,可防止未利用之活性化學種附著於各種真空裝置之本體、或堆積於排氣管內壁上,藉此可將排氣管製作得比以往更細,且能使該排氣管之維修保養變容易。本發明之特徵在於:在沿排氣管1的外壁配設之電熱器3的外周捲繞耐熱性真空隔熱材4,該電熱器3係具有電阻發熱體及披覆該電阻發熱體之耐熱性電絕緣體,且該耐熱性真空隔熱材4係具備:用耐熱溫度100℃以上之金屬製板片5將內部施以氣密密封之中空板狀的披覆材、以及充填於該披覆材之前述中空部之耐熱溫度100℃以上之纖維狀、粒狀或微中空狀之充填材6,且前述披覆材之內部係保持真空。
简体摘要：为了提供一种加热设备,可防止未利用之活性化学种附着于各种真空设备之本体、或堆积于排气管内壁上,借此可将排气管制作得比以往更细,且能使该排气管之维修保养变容易。本发明之特征在于:在沿排气管1的外壁配设之电热器3的外周卷绕耐热性真空隔热材4,该电热器3系具有电阻发热体及披覆该电阻发热体之耐热性电绝缘体,且该耐热性真空隔热材4系具备:用耐热温度100℃以上之金属制板片5将内部施以气密密封之中空板状的披覆材、以及充填于该披覆材之前述中空部之耐热温度100℃以上之纤维状、粒状或微中空状之充填材6,且前述披覆材之内部系保持真空。

74. 发明专利

TW200802761A 氮化鎵氮化物系材料及其製造方法,暨其應用. 审中-公开
简体标题：氮化镓氮化物系材料及其制造方法,暨其应用.
公开(公告)号：TW200802761A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW096108521
申请日：2007-03-13
申请人：國立大學法人東北大學 TOHOKU UNIVERSITY , 三菱化學股份有限公司 MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION
发明人：柴田浩幸 HIROYUKI SHIBATA , 早稻田嘉夫 YOSHIO WASEDA , 下山謙司 KENJI SHIMOYAMA , 清見和正 KAZUMASA KIYOMI , 長岡裕文 HIROBUMI NAGAOKA
IPC分类号： H01L , C30B
CPC分类号： C30B25/165 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要：本發明提供具有較高熱傳導率之GaN系材料之製造方法。利用HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxial Growth)法使氮化鎵系材料生長。將含有H2氣體之載體氣體G1、GaC1氣體G2、以及NH3氣體G3供給至反應室10,將生長溫度設為900(℃)以上且1200(℃)以下,將生長壓力設為8.08x10^4(Pa)以上且1.21x10^5(Pa)以下,將GaC1氣體G2之分壓設為1.0x10^2(Pa)以上且1.0x10^4(Pa)以下,將NH3氣體G3之分壓設為9.1x10^2(Pa)以上且2.0x10^4(Pa)以下而實施該生長。
简体摘要：本发明提供具有较高热传导率之GaN系材料之制造方法。利用HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxial Growth)法使氮化镓系材料生长。将含有H2气体之载体气体G1、GaC1气体G2、以及NH3气体G3供给至反应室10,将生长温度设为900(℃)以上且1200(℃)以下,将生长压力设为8.08x10^4(Pa)以上且1.21x10^5(Pa)以下,将GaC1气体G2之分压设为1.0x10^2(Pa)以上且1.0x10^4(Pa)以下,将NH3气体G3之分压设为9.1x10^2(Pa)以上且2.0x10^4(Pa)以下而实施该生长。

75. 发明专利

TW200739725A 電漿氮化處理方法,半導體裝置的製造方法及電漿處理裝置失效
简体标题：等离子氮化处理方法,半导体设备的制造方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW200739725A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW095120439
申请日：2006-06-08
申请人：國立大學法人東北大學 TOHOKU UNIVERSITY , 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU , 本多稔 HONDA, MINORU , 中西敏雄 NAKANISHI, TOSHIO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3185
摘要：在電漿處理裝置的處理容器內對被處理體表面的矽,使以具有複數個槽的平面天線來導入微波至處理容器內而形成之含氮氣體的微波激勵高密度電漿作用,在500℃以上的處理溫度進行氮化處理。
简体摘要：在等离子处理设备的处理容器内对被处理体表面的硅,使以具有复数个槽的平面天线来导入微波至处理容器内而形成之含氮气体的微波激励高密度等离子作用,在500℃以上的处理温度进行氮化处理。

76. 发明专利

TW200730740A 抗力矩對策靜壓氣體軸承機構 ANTI-MOMENT STATIC-PRESSURE GAS BEARING MECHANISM 审中-公开
简体标题：抗力矩对策静压气体轴承机构 ANTI-MOMENT STATIC-PRESSURE GAS BEARING MECHANISM
公开(公告)号：TW200730740A
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：TW095139598
申请日：2006-10-26
申请人： SMC股份有限公司 SMC CORPORATION , 國立大學法人東北大學 TOHOKU UNIVERSITY
发明人：佐藤一 SATO, SOICHI , 阿部尚志 ABE, TAKASHI , 宮里英考 MIYASATO, EIKO , 高橋研 TAKAHASHI, MIGAKU , 角田匡清 TSUNODA, MASAKIYO
IPC分类号： F16C
CPC分类号： F16C29/007 , F16C29/025 , F16C32/06 , F16C32/0603 , F16C2300/62
摘要：抗力矩對策靜壓氣體軸承機構,具有可將桿於軸線方向2處以非接觸加以支撐的第1及第2靜壓氣體軸承,當中第1靜壓氣體軸承被固定地支撐在軸承殼,第2靜壓氣體軸承是透過活動支撐機構支撐成可位移自如,該活動支撐機構是根據作用在上述桿上的負荷以該致動器使第2靜壓氣體軸承的軸心相對於第1靜壓氣體軸承形成位移,藉此抑制上述桿和上述靜壓氣體軸承形成接觸。
简体摘要：抗力矩对策静压气体轴承机构,具有可将杆于轴线方向2处以非接触加以支撑的第1及第2静压气体轴承,当中第1静压气体轴承被固定地支撑在轴承壳,第2静压气体轴承是透过活动支撑机构支撑成可位移自如,该活动支撑机构是根据作用在上述杆上的负荷以该致动器使第2静压气体轴承的轴心相对于第1静压气体轴承形成位移,借此抑制上述杆和上述静压气体轴承形成接触。

77. 发明专利

TW200722550A 成膜裝置、蒸發治具及測定方法 FILM-FORMING APPARATUS, EVAPORATION TOOL, AND MEASURING METHOD 失效
简体标题：成膜设备、蒸发治具及测定方法 FILM-FORMING APPARATUS, EVAPORATION TOOL, AND MEASURING METHOD
公开(公告)号：TW200722550A
公开(公告)日：2007-06-16
申请号：TW095134807
申请日：2006-09-20
申请人：國立大學法人東北大學 TOHOKU UNIVERSITY , 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED , 豊田自動織機股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOYOTA JIDOSHOKKI
发明人：大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 松岡孝明 MATSUOKA, TAKAAKI , 中山尚三 NAKAYAMA, SHOZO , 伊藤日藝 ITO, HIRONORI
IPC分类号： C23C , H01L , H05B
CPC分类号： C23C14/12 , C23C14/243 , C23C14/246
摘要：一種能夠將薄膜尤其是有機EL膜以長時間均勻成膜之蒸發治具,及包含蒸發治具之成膜裝置。蒸發治具具備底面及從該底面立設之側面,由在側面內部開口之規定原料收容空間的蒸發皿及將該原料收容空間分割為多數部分空間之區隔板所構成。又,於區隔板設有卡止片,其具有使前述多數部分空間於前述蒸發皿之底面側連通之高度。
简体摘要：一种能够将薄膜尤其是有机EL膜以长时间均匀成膜之蒸发治具,及包含蒸发治具之成膜设备。蒸发治具具备底面及从该底面立设之侧面,由在侧面内部开口之规定原料收容空间的蒸发皿及将该原料收容空间分割为多数部分空间之区隔板所构成。又,于区隔板设有卡止片,其具有使前述多数部分空间于前述蒸发皿之底面侧连通之高度。

78. 发明专利

TW200707111A 樹脂製微型機器元件之製造方法审中-公开
简体标题：树脂制微型机器组件之制造方法
公开(公告)号：TW200707111A
公开(公告)日：2007-02-16
申请号：TW095122520
申请日：2006-06-22
申请人：國立大學法人東北大學 TOHOKU UNIVERSITY , 日本化藥公司 NIPPON KAYAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：本田那央 HONDA, NAO , 森哲 MORI, SATOSHI , 田中秀治 TANAKA, SHUJI , 江刺正喜 ESASHI, MASAYOSHI
IPC分类号： G03F , B81B
CPC分类号： F04D29/281 , B29C64/106 , B29C64/124 , B29L2031/7496 , B81C99/008 , F04D29/023 , F05D2230/31 , F05D2300/44
摘要：本發明係提供一種簡便且低成本、高精度地製造具有三維之內部結構及側板,且具有三層以上之層構成的樹脂製微型機器元件之方法。一種樹脂製微型機器元件之製造方法,其包含如下之步驟:(a)於基板上形成犧牲層;(b)於該犧牲層上依次積層形成至少2層感光性樹脂組合物層,對所形成之各感光性樹脂組合物層實施分別對應目標微型機器元件之內部結構的光微影術,形成劃定微型機器元件周圍部之空隙部及構成微型機器元件之內部結構之空隙部,形成感光性樹脂組合物硬化物層之積層結構;(c)於上述感光性樹脂組合物硬化物層之積層結構上積層乾膜抗蝕劑,對該乾膜抗蝕劑層實施對應於側板層之結構之光微影術,形成乾膜抗蝕劑硬化物層,該乾膜抗蝕劑硬化物層係形成有劃定側板層周圍部之空隙部及構成側板層之結構之空隙部者;及(d)藉由進行犧牲層之除去處理,使微型機器元件自基板脫離,該微型機器元件包含具有上述感光性樹脂組合物硬化物層與上述乾膜抗蝕劑硬化物層之積層結構以及劃定周圍部之積層體。
简体摘要：本发明系提供一种简便且低成本、高精度地制造具有三维之内部结构及侧板,且具有三层以上之层构成的树脂制微型机器组件之方法。一种树脂制微型机器组件之制造方法,其包含如下之步骤:(a)于基板上形成牺牲层;(b)于该牺牲层上依次积层形成至少2层感光性树脂组合物层,对所形成之各感光性树脂组合物层实施分别对应目标微型机器组件之内部结构的光微影术,形成划定微型机器组件周围部之空隙部及构成微型机器组件之内部结构之空隙部,形成感光性树脂组合物硬化物层之积层结构;(c)于上述感光性树脂组合物硬化物层之积层结构上积层干膜抗蚀剂,对该干膜抗蚀剂层实施对应于侧板层之结构之光微影术,形成干膜抗蚀剂硬化物层,该干膜抗蚀剂硬化物层系形成有划定侧板层周围部之空隙部及构成侧板层之结构之空隙部者;及(d)借由进行牺牲层之除去处理,使微型机器组件自基板脱离,该微型机器组件包含具有上述感光性树脂组合物硬化物层与上述干膜抗蚀剂硬化物层之积层结构以及划定周围部之积层体。

79. 发明专利

TW200640464A 含有啡鉼化合物作為活性成分的醫藥組成物 PHARMACEUTICAL COMPOSITION COMPRISING PHENOXAZINIUM COMPOUNDS AS AN ACTIVE INGREDIENT 审中-公开
简体标题：含有啡鉼化合物作为活性成分的医药组成物 PHARMACEUTICAL COMPOSITION COMPRISING PHENOXAZINIUM COMPOUNDS AS AN ACTIVE INGREDIENT
公开(公告)号：TW200640464A
公开(公告)日：2006-12-01
申请号：TW095104511
申请日：2006-02-10
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY , 國立大學法人東北大學 TOHOKU UNIVERSITY , 富士照相軟片股份有限公司 FUJI PHOTO FILM CO., LTD.
发明人：井原正隆 IHARA, MASATAKA , 高須清誠 TAKASU, KIYOSEI , 川上雅之 KAWAKAMI, MASAYUKI , 北口博司 KITAGUCHI, HIROSHI , 佐藤幸藏 SATO, KOUZO
IPC分类号： A61K , A61P , C07D
CPC分类号： A61K31/538 , C07D265/38 , Y02A50/409 , Y02A50/411 , Y02A50/414 , Y02A50/415
摘要：因此本發明的目的係提供一醫藥組成物，尤其為治療及／或預防以原生動物的寄生蟲感染之組成物，其對以原生動物的寄生蟲感染具有高醫療效應及選擇毒性或壽命延長效應。本發明於是關於一含有以下列通式(1)代表的化合物作為活性成分之醫藥組成物，尤其為那些治療及／或預防以原生動物的寄生蟲感染之組成物。095104511-p01.bmp
简体摘要：因此本发明的目的系提供一医药组成物，尤其为治疗及／或预防以原生动物的寄生虫感染之组成物，其对以原生动物的寄生虫感染具有高医疗效应及选择毒性或寿命延长效应。本发明于是关于一含有以下列通式(1)代表的化合物作为活性成分之医药组成物，尤其为那些治疗及／或预防以原生动物的寄生虫感染之组成物。095104511-p01.bmp

80. 发明专利

TW200639928A 薄膜形成裝置 THIN-FILM FORMING APPARATUS 审中-公开
简体标题：薄膜形成设备 THIN-FILM FORMING APPARATUS
公开(公告)号：TW200639928A
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：TW095103697
申请日：2006-02-03
申请人：國立大學法人東北大學 TOHOKU UNIVERSITY
发明人：大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 河瀨和雅 KAWASE, KAZUMASA , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C14/566
摘要：於將基板導入處理室並進行處理時，透過2排的真空隔絕室(load–lockchamber)導入。第1排之真空隔絕室，維持大氣壓之狀態下，取代成惰性氣體環境。第2排之真空隔絕室，具有烘烤加熱器。如果於內壁附著有機物之狀態進行減壓，則內壁之有機物會脫離並污染基板，但是，藉由在未附著有機物之第2排之真空隔絕室內進行減壓，可防止有機物附著於基板。
简体摘要：于将基板导入处理室并进行处理时，透过2排的真空隔绝室(load–lockchamber)导入。第1排之真空隔绝室，维持大气压之状态下，取代成惰性气体环境。第2排之真空隔绝室，具有烘烤加热器。如果于内壁附着有机物之状态进行减压，则内壁之有机物会脱离并污染基板，但是，借由在未附着有机物之第2排之真空隔绝室内进行减压，可防止有机物附着于基板。

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