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1. 发明专利

TW200746495A 發光元件、發光元件之製造方法及基板處理裝置审中-公开
简体标题：发光组件、发光组件之制造方法及基板处理设备
公开(公告)号：TW200746495A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096105552
申请日：2007-02-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY
发明人：野澤俊久 NOZAWA, TOSHIHISA , 茂山和基 MOYAMA, KAZUKI , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 河村忠一 KAWAMURA, CHUICHI , 吉野公彥 YOSHINO, KIMIHIKO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L51/0017 , H01L51/5012 , H01L51/56
摘要：一種基板處理裝置,係將在第1電極與第2電極之間形成有包含發光層在內之有機層而構成的發光元件,形成在被處理基板上的基板處理裝置,其特徵在於具有:在前述被處理基板上所形成的前述第1電極上形成前述有機層的有機層形成裝置、在前述有機層上形成前述第2電極的電極形成裝置、及蝕刻前述有機層的蝕刻裝置。
简体摘要：一种基板处理设备,系将在第1电极与第2电极之间形成有包含发光层在内之有机层而构成的发光组件,形成在被处理基板上的基板处理设备,其特征在于具有:在前述被处理基板上所形成的前述第1电极上形成前述有机层的有机层形成设备、在前述有机层上形成前述第2电极的电极形成设备、及蚀刻前述有机层的蚀刻设备。

2. 发明专利

TW200818969A 發光元件之製造裝置及發光元件之製造方法审中-公开
简体标题：发光组件之制造设备及发光组件之制造方法
公开(公告)号：TW200818969A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096121589
申请日：2007-06-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY
发明人：茂山和基 MOYAMA, KAZUKI , 八木靖司 YAGI, YASUSHI , 野澤俊久 NOZAWA, TOSHIHISA , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 河村忠一 KAWAMURA, CHUICHI , 吉野公彥 YOSHINO, KIMIHIKO
IPC分类号： H05B , C23C
CPC分类号： H01L51/001 , C23C14/12 , C23C14/28 , H01L51/0021 , H01L51/56
摘要：本發明乃一種發光元件之製造裝置及發光元件之製造方法,揭示在於被處理基板上,具有為形成具有含有機層之複數層之發光元件之複數之處理室,於前述複數之處理室,順序搬送被處理基板之發光元件之製造裝置中,複數之處理室實質上連接呈直線狀的同時,在鄰接之2個處理室間,輸送前述被處理基板時,2個處理室被不與前述被處理基板上之層具有反射性之氣體所充滿而構成為特徵發光元件之製造裝置。
简体摘要：本发明乃一种发光组件之制造设备及发光组件之制造方法,揭示在于被处理基板上,具有为形成具有含有机层之复数层之发光组件之复数之处理室,于前述复数之处理室,顺序搬送被处理基板之发光组件之制造设备中,复数之处理室实质上连接呈直线状的同时,在邻接之2个处理室间,输送前述被处理基板时,2个处理室被不与前述被处理基板上之层具有反射性之气体所充满而构成为特征发光组件之制造设备。

3. 发明专利

TW200803597A 發光元件、發光元件之製造方法、及基板處理裝置审中-公开
简体标题：发光组件、发光组件之制造方法、及基板处理设备
公开(公告)号：TW200803597A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW096105553
申请日：2007-02-14
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY
发明人：茂山和基 MOYAMA, KAZUKI , 八木靖司 YAGI, YASUSHI , 渡邊伸吾 WATANABE, SHINGO , 河村忠一 KAWAMURA, CHUICHI , 吉野公彥 YOSHINO, KIMIHIKO , 大見忠弘 OHMI, TADAHIRO
IPC分类号： H05B , C23C
CPC分类号： H05B33/26 , H01L51/5221 , H05B33/22
摘要：本發明提供一種發光元件,係具有第1電極、對向於前述第1電極的第2電極、包含被形成於前述第1電極與前述第2電極之間的發光層之有機層的發光元件,其特徵為:前述第2電極,包含被形成於前述有機層上的保護該有機層的導電性之保護層,及被形成於該保護層上的導電性的主電極層。
简体摘要：本发明提供一种发光组件,系具有第1电极、对向于前述第1电极的第2电极、包含被形成于前述第1电极与前述第2电极之间的发光层之有机层的发光组件,其特征为:前述第2电极,包含被形成于前述有机层上的保护该有机层的导电性之保护层,及被形成于该保护层上的导电性的主电极层。

4. 发明专利

TW200731852A 成膜裝置及發光元件之製造方法审中-公开
简体标题：成膜设备及发光组件之制造方法
公开(公告)号：TW200731852A
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：TW095147702
申请日：2006-12-19
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：茂山和基 MOYAMA, KAZUKI , 野俊久 NOZAWA, TOSHIHISA
IPC分类号： H05B , C23C
CPC分类号： C23C14/3464 , H01L51/0021
摘要：提供一種發光元件之製造方法,形成電極於有機層,製造發光元件,俾邊防止對有機層的損傷,邊減小膜厚的誤差,以及成膜裝置,將導電層成膜於該有機層上,俾邊防止對有機層的損傷,邊減小膜厚的誤差。一種成膜裝置,其特徵在於,具有:處理容器,係於內部具有保持被處理基板的保持台;二靶材,係彼此相向;以及氣體供應手段,係將電漿激勵的處理氣體供至前述處理容器內;構成藉由施加電壓於前述二靶材,電漿激勵前述處理氣體,將導電層成膜於前述被處理基板上的有機層上。
简体摘要：提供一种发光组件之制造方法,形成电极于有机层,制造发光组件,俾边防止对有机层的损伤,边减小膜厚的误差,以及成膜设备,将导电层成膜于该有机层上,俾边防止对有机层的损伤,边减小膜厚的误差。一种成膜设备,其特征在于,具有:处理容器,系于内部具有保持被处理基板的保持台;二靶材,系彼此相向;以及气体供应手段,系将等离子激励的处理气体供至前述处理容器内;构成借由施加电压于前述二靶材,等离子激励前述处理气体,将导电层成膜于前述被处理基板上的有机层上。

5. 发明专利

TW200933952A 成膜裝置的控制方法,成膜方法,成膜裝置,有機EL電子裝置及容納其控制程式的記憶媒體审中-公开
简体标题：成膜设备的控制方法,成膜方法,成膜设备,有机EL电子设备及容纳其控制进程的记忆媒体
公开(公告)号：TW200933952A
公开(公告)日：2009-08-01
申请号：TW097146452
申请日：2008-11-28
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：茂山和基 MOYAMA, KAZUKI
IPC分类号： H01L , H05B
CPC分类号： C23C14/12 , C23C14/228 , C23C14/243 , C23C14/568 , H01L51/0008 , H01L51/5092 , H01L51/56 , H01L2251/5346
摘要：本發明的課題是在於迅速地在有機層與陰極的界面附近插入功函數低的材料。其解決手段是PM1具有:處理容器(100);蒸鍍裝置(200),其係加熱有機材料而使氣化;第1氣體供給路(150),其係連通至第1蒸鍍源,使在第1蒸鍍源所被氣化的有機材料藉由惰性氣體來傳輸;分配器(Ds),其係設於處理容器外,加熱功函數比形成陰極的第1金屬更小的第2金屬而使氣化;第2氣體供給路(320),其係連通至分配器,使在分配器所被氣化的第2金屬藉由惰性氣體來傳輸;及吹出機構(120f),其係連通至各氣體供給路(150、320),使被氣化的第2金屬混入被氣化的有機材料,而使朝向處理容器內的被處理體吹出,及控制器(50),其係控制混入被氣化的有機材料之上述被氣化的第2金屬的比例。
简体摘要：本发明的课题是在于迅速地在有机层与阴极的界面附近插入功函数低的材料。其解决手段是PM1具有:处理容器(100);蒸镀设备(200),其系加热有机材料而使气化;第1气体供给路(150),其系连通至第1蒸镀源,使在第1蒸镀源所被气化的有机材料借由惰性气体来传输;分配器(Ds),其系设于处理容器外,加热功函数比形成阴极的第1金属更小的第2金属而使气化;第2气体供给路(320),其系连通至分配器,使在分配器所被气化的第2金属借由惰性气体来传输;及吹出机构(120f),其系连通至各气体供给路(150、320),使被气化的第2金属混入被气化的有机材料,而使朝向处理容器内的被处理体吹出,及控制器(50),其系控制混入被气化的有机材料之上述被气化的第2金属的比例。

6. 发明专利

TW200901814A 電子裝置、電子裝置之製造方法、密封膜之構造體、製造電子裝置之製造裝置及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：电子设备、电子设备之制造方法、密封膜之构造体、制造电子设备之制造设备及等离子处理设备
公开(公告)号：TW200901814A
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW097108100
申请日：2008-03-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：茂山和基 MOYAMA, KAZUKI , 鳥井康紀 TORII, YASUNORI
IPC分类号： H05B , H01L
CPC分类号： H01L51/5256
摘要：藉由一邊保持膜之密封性一邊降低膜之內部應力之密封膜,保護元件。微波電漿處理裝置具有形成有機EL元件之基板G之承載器411,和對處理容器內供給氣體之氣體供給源443,自被供給至處理容器內之氣體生成電漿,藉由所生成之電漿處理基板G。氣體供給源443供給含有碳成分之第1氣體,自所供給之第1氣體生成電漿,並藉由所生成之電漿在被載置於承載器411之基板G上之金屬電極520疊層含有特定量之碳成分之應力緩和膜530。之後,自氣體供給源443供給不含有碳成分之第2氣體,自所供給之第2氣體生成電漿,藉由所生成之電漿在應力緩和膜530上疊層不含有碳成分之阻障膜540。
简体摘要：借由一边保持膜之密封性一边降低膜之内部应力之密封膜,保护组件。微波等离子处理设备具有形成有机EL组件之基板G之承载器411,和对处理容器内供给气体之气体供给源443,自被供给至处理容器内之气体生成等离子,借由所生成之等离子处理基板G。气体供给源443供给含有碳成分之第1气体,自所供给之第1气体生成等离子,并借由所生成之等离子在被载置于承载器411之基板G上之金属电极520叠层含有特定量之碳成分之应力缓和膜530。之后,自气体供给源443供给不含有碳成分之第2气体,自所供给之第2气体生成等离子,借由所生成之等离子在应力缓和膜530上叠层不含有碳成分之阻障膜540。

7. 发明专利

TW200832517A 成膜裝置、成膜系統、以及成膜方法审中-公开
简体标题：成膜设备、成膜系统、以及成膜方法
公开(公告)号：TW200832517A
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW096129435
申请日：2007-08-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松林信次 MATSUBAYASHI, SHINJI , 茂山和基 MOYAMA, KAZUKI , 戶部康弘 TOBE, YASUHIRO
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： C23C14/568 , H01L51/56
摘要：本發明提供一種可避免在有機EL元件等之製程所形成的各層中之相互污染,而且佔地亦小,生產性又高的成膜系統。本發明是在基板成膜的成膜裝置13,其係在處理容器30的內部具備:使第1層成膜的第1成膜機構35;以及使第2層成膜的第2成膜機構36。設置使處理容器30內減壓7的排氣口31,並將第1成膜機構35配置在比第2成膜機構36更靠近排氣口31的位置。第1成膜機構35是例如藉由蒸鍍使第1層在基板成膜,第2成膜機構36是例如藉由濺鍍使第2層在基板成膜。
简体摘要：本发明提供一种可避免在有机EL组件等之制程所形成的各层中之相互污染,而且占地亦小,生产性又高的成膜系统。本发明是在基板成膜的成膜设备13,其系在处理容器30的内部具备:使第1层成膜的第1成膜机构35;以及使第2层成膜的第2成膜机构36。设置使处理容器30内减压7的排气口31,并将第1成膜机构35配置在比第2成膜机构36更靠近排气口31的位置。第1成膜机构35是例如借由蒸镀使第1层在基板成膜,第2成膜机构36是例如借由溅镀使第2层在基板成膜。

8. 发明专利

TW200938647A 成膜裝置之控制方法、成膜方法、成膜裝置、有機電激發光電子裝置以及其收納控制程式之記憶媒體审中-公开
简体标题：成膜设备之控制方法、成膜方法、成膜设备、有机电激发光电子设备以及其收纳控制进程之记忆媒体
公开(公告)号：TW200938647A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW097137039
申请日：2008-09-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：茂山和基 MOYAMA, KAZUKI
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01L51/5092 , C23C14/12 , C23C14/20 , C23C14/34 , C23C14/548 , H01L51/5221 , H01L51/5253 , H01L51/56 , H05B33/10
摘要：本發明係一種成膜裝置之控制方法,成膜方法,成膜裝置,有機電激發光電子裝置以及其收納控制程式之記憶媒體,其課題乃可將工作函數低之材料,迅速地插入於有機層與陰極的界面近旁者。而解決手段為濺鍍裝置(Sp)乃具有由銀Ag所成之標靶材(305),和設置於處理容器外,加熱較銀Ag工作函數為低的銫Cs而使其蒸發之調合器(Ds),和連通於調合器(Ds),將所蒸發的銫Cs的蒸氣,令氬氣作為載氣而輸送至處理容器內之第1氣體供給管(345),和於處理容器內,供給高頻率電力之高頻率電源(360)。控制器(50)係使用高頻率電力之能量而使氬氣激發,生成電漿,將經由所生成之電漿而從前述標靶材(305)所引出的銀Ag原子,作為金屬電極(30)進行成膜時,控制經由控制調合器(Ds)的溫度而混入於成膜中之金屬電極(30)的銫Cs的比例。
简体摘要：本发明系一种成膜设备之控制方法,成膜方法,成膜设备,有机电激发光电子设备以及其收纳控制进程之记忆媒体,其课题乃可将工作函数低之材料,迅速地插入于有机层与阴极的界面近旁者。而解决手段为溅镀设备(Sp)乃具有由银Ag所成之标靶材(305),和设置于处理容器外,加热较银Ag工作函数为低的铯Cs而使其蒸发之调合器(Ds),和连通于调合器(Ds),将所蒸发的铯Cs的蒸气,令氩气作为载气而输送至处理容器内之第1气体供给管(345),和于处理容器内,供给高频率电力之高频率电源(360)。控制器(50)系使用高频率电力之能量而使氩气激发,生成等离子,将经由所生成之等离子而从前述标靶材(305)所引出的银Ag原子,作为金属电极(30)进行成膜时,控制经由控制调合器(Ds)的温度而混入于成膜中之金属电极(30)的铯Cs的比例。

9. 发明专利

TW200846485A 濺鍍方法及濺鍍裝置 SPUTTERING METHOD AND SPUTTERING APPARATUS 审中-公开
简体标题：溅镀方法及溅镀设备 SPUTTERING METHOD AND SPUTTERING APPARATUS
公开(公告)号：TW200846485A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW097103098
申请日：2008-01-28
申请人：大阪真空機器製作所股份有限公司 OSAKA VACUUM, LTD. , 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：植田吉彥 UEDA, YOSHIHIKO , 茂山和基 MOYAMA, KAZUKI , 福森弘司 FUKUMORI, KOJI
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/352 , C23C14/568 , H01J37/3405 , H01J37/3414 , H01J37/3426 , H01J37/3452 , H01J37/3455 , H01L51/0008
摘要：以提供簡單構成,可低溫、低損傷成膜,並且生產性高之濺鍍方法及濺鍍裝置為課題。屬於為在真空容器內於被成膜對象物形成初期層之後,又於初期層上形成第2層的濺鍍方法,其特徵為:在上述真空容器內,將一對標靶以其表面彼此隔著間隔互相對向且該表面朝向被配置在標靶間之側方的被成膜對象物傾斜之方式予以配置,使上述一對標靶之對向面側產生磁場空間而予以濺鍍,藉由該被濺鍍之粒子在被成膜對象物形成初期層,並且,以比初期層之成膜速度快的成膜速度在被成膜對象物形成第2層。
简体摘要：以提供简单构成,可低温、低损伤成膜,并且生产性高之溅镀方法及溅镀设备为课题。属于为在真空容器内于被成膜对象物形成初期层之后,又于初期层上形成第2层的溅镀方法,其特征为:在上述真空容器内,将一对标靶以其表面彼此隔着间隔互相对向且该表面朝向被配置在标靶间之侧方的被成膜对象物倾斜之方式予以配置,使上述一对标靶之对向面侧产生磁场空间而予以溅镀,借由该被溅镀之粒子在被成膜对象物形成初期层,并且,以比初期层之成膜速度快的成膜速度在被成膜对象物形成第2层。

10. 发明专利

TW200818267A 成膜裝置、成膜系統、以及成膜方法审中-公开
简体标题：成膜设备、成膜系统、以及成膜方法
公开(公告)号：TW200818267A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：TW096129434
申请日：2007-08-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：茂山和基 MOYAMA, KAZUKI , 野澤俊久 NOZAWA, TOSHIHISA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C14/568 , C23C14/228 , C23C16/54 , H01L51/56
摘要： [課題]為了提供一種成膜系統,可避免在有機EL元件等之製程中所形成之各層中的相互污染,並且佔地(foot print)也較小,生產性較高。[解決手段]一種在基板G進行成膜之成膜裝置13,係於處理容器30之內部具備:進行第1層的成膜之第1成膜機構35、進行第2層的成膜之第2成膜機構36;第1成膜機構35係具備:配置於處理容器30之內部,將成膜材料之蒸氣供給至基板之噴嘴34;配置於處理容器之外部,使成膜材料之蒸氣產生之蒸氣產生部45;及將在蒸氣產生部45產生之成膜材料之蒸氣輸送至噴嘴34的配管46。
简体摘要： [课题]为了提供一种成膜系统,可避免在有机EL组件等之制程中所形成之各层中的相互污染,并且占地(foot print)也较小,生产性较高。[解决手段]一种在基板G进行成膜之成膜设备13,系于处理容器30之内部具备:进行第1层的成膜之第1成膜机构35、进行第2层的成膜之第2成膜机构36;第1成膜机构35系具备:配置于处理容器30之内部,将成膜材料之蒸气供给至基板之喷嘴34;配置于处理容器之外部,使成膜材料之蒸气产生之蒸气产生部45;及将在蒸气产生部45产生之成膜材料之蒸气输送至喷嘴34的配管46。

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