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1. 发明专利

TW200739725A 電漿氮化處理方法,半導體裝置的製造方法及電漿處理裝置失效
简体标题：等离子氮化处理方法,半导体设备的制造方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW200739725A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW095120439
申请日：2006-06-08
申请人：國立大學法人東北大學 TOHOKU UNIVERSITY , 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU , 本多稔 HONDA, MINORU , 中西敏雄 NAKANISHI, TOSHIO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/3185
摘要：在電漿處理裝置的處理容器內對被處理體表面的矽,使以具有複數個槽的平面天線來導入微波至處理容器內而形成之含氮氣體的微波激勵高密度電漿作用,在500℃以上的處理溫度進行氮化處理。
简体摘要：在等离子处理设备的处理容器内对被处理体表面的硅,使以具有复数个槽的平面天线来导入微波至处理容器内而形成之含氮气体的微波激励高密度等离子作用,在500℃以上的处理温度进行氮化处理。

2. 发明专利

TW200639928A 薄膜形成裝置 THIN-FILM FORMING APPARATUS 审中-公开
简体标题：薄膜形成设备 THIN-FILM FORMING APPARATUS
公开(公告)号：TW200639928A
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：TW095103697
申请日：2006-02-03
申请人：國立大學法人東北大學 TOHOKU UNIVERSITY
发明人：大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 河瀨和雅 KAWASE, KAZUMASA , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C14/566
摘要：於將基板導入處理室並進行處理時，透過2排的真空隔絕室(load–lockchamber)導入。第1排之真空隔絕室，維持大氣壓之狀態下，取代成惰性氣體環境。第2排之真空隔絕室，具有烘烤加熱器。如果於內壁附著有機物之狀態進行減壓，則內壁之有機物會脫離並污染基板，但是，藉由在未附著有機物之第2排之真空隔絕室內進行減壓，可防止有機物附著於基板。
简体摘要：于将基板导入处理室并进行处理时，透过2排的真空隔绝室(load–lockchamber)导入。第1排之真空隔绝室，维持大气压之状态下，取代成惰性气体环境。第2排之真空隔绝室，具有烘烤加热器。如果于内壁附着有机物之状态进行减压，则内壁之有机物会脱离并污染基板，但是，借由在未附着有机物之第2排之真空隔绝室内进行减压，可防止有机物附着于基板。

3. 发明专利

TW200636813A 電介質膜及其形成方法 DIELECTRIC FILM AND METHOD OF FORMING THE SAME 失效
简体标题：电介质膜及其形成方法 DIELECTRIC FILM AND METHOD OF FORMING THE SAME
公开(公告)号：TW200636813A
公开(公告)日：2006-10-16
申请号：TW095103702
申请日：2006-02-03
申请人：國立大學法人東北大學 TOHOKU UNIVERSITY
发明人：大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU , 後藤哲也 GOTO, TETSUYA , 河瀨和雅 KAWASE, KAZUMASA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/28202 , H01L21/3144 , H01L21/3185 , H01L29/518 , Y10T428/265
摘要：藉由使存在於氧化膜表面側之處於Si3≡N鍵結狀態的N濃度為3原子％以上，並使存在於界面側為0.1原子％以下，使得B擴散之防止與防止NETI承受性之劣化得以兼顧。使用Ar／N2自由基氮化之情形，同時使處於該鍵結狀態之N濃度滿足表面側為3原子％以上，界面側為0.1原子％以下為困難的，藉由利用Xe／N2、Kr／N2、Ar／NH3、Xe／NH3、Kr／NH3、Ar／N2／H2、Xe／N2／H2、Kr／N2／H2之任一種氣體的組合，使實現該N濃度分布成為可能。
简体摘要：借由使存在于氧化膜表面侧之处于Si3≡N键结状态的N浓度为3原子％以上，并使存在于界面侧为0.1原子％以下，使得B扩散之防止与防止NETI承受性之劣化得以兼顾。使用Ar／N2自由基氮化之情形，同时使处于该键结状态之N浓度满足表面侧为3原子％以上，界面侧为0.1原子％以下为困难的，借由利用Xe／N2、Kr／N2、Ar／NH3、Xe／NH3、Kr／NH3、Ar／N2／H2、Xe／N2／H2、Kr／N2／H2之任一种气体的组合，使实现该N浓度分布成为可能。

4. 发明专利

TW200631177A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200631177A
公开(公告)日：2006-09-01
申请号：TW095101793
申请日：2006-01-17
申请人：國立大學法人東北大學 TOHOKU UNIVERSITY
发明人：大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/4983 , H01L21/76224 , H01L21/76829 , H01L21/76835 , H01L21/823481 , H01L23/3171 , H01L29/66575 , H01L29/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係將柵極絕緣膜(矽氧化膜)以外之元件分離區域、層間絕緣膜及保護絕緣膜之至少一部份以氟化碳(CFx，0.3＜x＜0.6)或碳化氫(CHy，0.8＜y＜1.2)來形成。
简体摘要：本发明系将栅极绝缘膜(硅氧化膜)以外之组件分离区域、层间绝缘膜及保护绝缘膜之至少一部份以氟化碳(CFx，0.3＜x＜0.6)或碳化氢(CHy，0.8＜y＜1.2)来形成。

5. 发明专利

TW200937663A 光電轉換元件製造裝置及方法與光電轉換元件 APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING PHOTOVOLTAIC ELEMENT, AND PHOTOVOLTAIC ELEMENT 失效
简体标题：光电转换组件制造设备及方法与光电转换组件 APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING PHOTOVOLTAIC ELEMENT, AND PHOTOVOLTAIC ELEMENT
公开(公告)号：TW200937663A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097147870
申请日：2008-12-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 TOHOKU UNIVERSITY
发明人：大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU , 後藤哲也 GOTO, TETSUYA , 田中宏治 TANAKA, KOUJI
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L31/18 , C23C16/24 , C23C16/511 , H01L31/028 , H01L31/04 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01L31/1816 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：為了能提供可在藉由微波電漿高效率、高速成膜的同時阻止氧混入,且使缺陷數降低之光電轉換元件製造裝置及方法與光電轉換元件,本發明的光電轉換元件製造裝置100,係在基板W上,使半導體疊層膜藉由微波電漿CVD法成膜,包含:腔室10,為密閉空間,內藏載置基板W的基台,基板W為薄膜欲成膜之對象;第1氣體供給部40,將電漿激發氣體供給到前述腔室10內之電漿激發區域;調壓部70,調整前述腔室10內之壓力;第2氣體供給部50,將原料氣體供給到前述腔室10內之電漿擴散區域;微波施加部20,將微波導入前述腔室10內;偏壓施加部60,對應前述氣體種類選擇並施加基板偏壓於前述基板W。
简体摘要：为了能提供可在借由微波等离子高效率、高速成膜的同时阻止氧混入,且使缺陷数降低之光电转换组件制造设备及方法与光电转换组件,本发明的光电转换组件制造设备100,系在基板W上,使半导体叠层膜借由微波等离子CVD法成膜,包含:腔室10,为密闭空间,内藏载置基板W的基台,基板W为薄膜欲成膜之对象;第1气体供给部40,将等离子激发气体供给到前述腔室10内之等离子激发区域;调压部70,调整前述腔室10内之压力;第2气体供给部50,将原料气体供给到前述腔室10内之等离子扩散区域;微波施加部20,将微波导入前述腔室10内;偏压施加部60,对应前述气体种类选择并施加基板偏压于前述基板W。

6. 发明专利

TW200733382A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200733382A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW095145043
申请日：2006-12-04
申请人：國立大學法人東北大學 TOHOKU UNIVERSITY , 財團法人國際科學振興財團 FOUNDATION FOR ADVANCEMENT OF INTERNATIONAL SCIENCE
发明人：大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1211 , H01L21/823807 , H01L21/823878 , H01L21/845 , H01L29/045 , H01L29/785 , H01L2029/7857
摘要：為使構成CMOS電路之p型MOS電晶體及n型MOS電晶體二者的動作速度實質上相同,n型MOS電晶體採用三維構造,該構造於(100)面及(110)面之兩邊具備通道領域;p型MOS電晶體則採用平面構造,該構造僅於(110)面具備通道領域。甚且,兩電晶體之通道領域與閘絕緣膜之面積成為彼此相同而構成。藉此,可使閘絕緣膜等之面積彼此相同之同時,亦可使閘電容相同。
简体摘要：为使构成CMOS电路之p型MOS晶体管及n型MOS晶体管二者的动作速度实质上相同,n型MOS晶体管采用三维构造,该构造于(100)面及(110)面之两边具备信道领域;p型MOS晶体管则采用平面构造,该构造仅于(110)面具备信道领域。甚且,两晶体管之信道领域与闸绝缘膜之面积成为彼此相同而构成。借此,可使闸绝缘膜等之面积彼此相同之同时,亦可使闸电容相同。

7. 发明专利

TW200926321A 接合裝置及接合方法失效
简体标题：接合设备及接合方法
公开(公告)号：TW200926321A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097138369
申请日：2008-10-06
申请人：新川股份有限公司 SHINKAWA LTD. , 國立大學法人東北大學 TOHOKU UNIVERSITY
发明人：前田徹 MAEDA, TORU , 歌野哲彌 UTANO, TETSUYA , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/85 , B23K20/007 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/78268 , H01L2224/78301 , H01L2224/7865 , H01L2224/85009 , H01L2224/85013 , H01L2224/85045 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01018 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/00014 , H01L2924/01001 , H01L2924/00
摘要：在接合裝置10中,有效進行電極與焊墊及導線兩者之表面清洗。具備:處理室12,係將內部保持在惰性氣體環境氣氛;第1電漿炬20,係安裝於處理室12,並將經電漿化之氣體照射於置放在處理室12內之基板41與半導體晶片42,而進行焊墊與電極之表面處理;第2電漿炬30,係安裝於處理室12,並將經電漿化之氣體照射於位在處理室12內之毛細管17前端之初始球體19或導線18,而進行初始球體19或導線18之表面處理;以及接合處理部100,係在處理室12內將經表面處理之初始球體19、及導線18接合於經表面處理之焊墊與電極。
简体摘要：在接合设备10中,有效进行电极与焊垫及导线两者之表面清洗。具备:处理室12,系将内部保持在惰性气体环境气氛;第1等离子炬20,系安装于处理室12,并将经等离子化之气体照射于置放在处理室12内之基板41与半导体芯片42,而进行焊垫与电极之表面处理;第2等离子炬30,系安装于处理室12,并将经等离子化之气体照射于位在处理室12内之毛细管17前端之初始球体19或导线18,而进行初始球体19或导线18之表面处理;以及接合处理部100,系在处理室12内将经表面处理之初始球体19、及导线18接合于经表面处理之焊垫与电极。

8. 发明专利

TW200807531A 化學液或純水供給裝置、基板處理系統、基板處理裝置或基板處理方法 APPARATUS FOR FEEDING CHEMICAL SOLUTION OR PURE WATER, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS OR SUBSTRATE PROCESSING METHOD 审中-公开
简体标题：化学液或纯水供给设备、基板处理系统、基板处理设备或基板处理方法 APPARATUS FOR FEEDING CHEMICAL SOLUTION OR PURE WATER, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS OR SUBSTRATE PROCESSING METHOD
公开(公告)号：TW200807531A
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW096113042
申请日：2007-04-13
申请人：國立大學法人東北大學 TOHOKU UNIVERSITY , 東京威力科創股份有限公司 TOKYO ELECTRON LIMITED , 理爾萊茲高等科技股份有限公司 REALIZE ADVANCED TECHNOLOGY LIMITED
发明人：大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU , 山中二朗 YAMANAKA, JIRO , 水谷信崇 MIZUTANI, NOBUTAKA , 中村修 NAKAMURA, OSAMU , 松岡孝明 MATSUOKA, TAKAAKI , 大藏領一 OHKURA, RYOICHI
IPC分类号： H01L , F16L
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/6708
摘要：在氟樹脂的PVDF管上添加全氟單體,並施加軟化處理,藉以大幅地降低透氧量,同時能獲得具柔軟性的氟樹脂管。進而,在管子的外層設置尼龍管,亦可降低透氧量。將這些管子應用於化學液或超純水供給裝置與清洗裝置,或濕式蝕刻裝置等所使用之化學液或超純水利用裝置之間。
简体摘要：在氟树脂的PVDF管上添加全氟单体,并施加软化处理,借以大幅地降低透氧量,同时能获得具柔软性的氟树脂管。进而,在管子的外层设置尼龙管,亦可降低透氧量。将这些管子应用于化学液或超纯水供给设备与清洗设备,或湿式蚀刻设备等所使用之化学液或超纯水利用设备之间。

9. 发明专利

TW200730061A 多層電路基板及電子設備 MULTILAYER CIRCUIT BOARD AND ELECRONIC APPARATUS 失效
简体标题：多层电路基板及电子设备 MULTILAYER CIRCUIT BOARD AND ELECRONIC APPARATUS
公开(公告)号：TW200730061A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：TW095130800
申请日：2006-08-22
申请人：國立大學法人東北大學 TOHOKU UNIVERSITY
发明人：大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU , 森本明大 MORIMOTO, AKIHIRO
IPC分类号： H05K
CPC分类号： H05K1/024 , H05K3/4602 , H05K3/4626 , H05K3/4673 , H05K2201/0116 , H05K2201/0195 , H05K2201/0209 , H05K2201/0254
摘要：本發明為求於多層電路基板中具備低介電常數之層間絕緣膜,與該層間絕緣膜接觸的表面不存在有凹凸,且不發生生產良率下降或高頻信號之傳輸特性變差的問題,而提供一種多層電路基板,可將封裝或印刷基板等之多層電路基板的傳達信號特性等性能大幅提升;並提供一種採用該多層電路基板的電子設備。本發明之多層電路基板10係於基體上具有多數配線層,以及位於該多數配線層之間的多數絕緣層。而於該多層電路基板10中,前述多數絕緣層之內的至少一部分,由以下二者所構成:多孔質絕緣層1,含有選自於由多孔質體、氣凝膠、多孔質矽石、多孔性聚合物、中空矽石、中空聚合物所構成之多孔質材料群組中的至少任一種的材料;非多孔質絕緣層2,係該多孔質絕緣層1的至少一面不含有前述多孔質材料群組。又,本發明之電子設備使用前述多層電路基板。
简体摘要：本发明为求于多层电路基板中具备低介电常数之层间绝缘膜,与该层间绝缘膜接触的表面不存在有凹凸,且不发生生产良率下降或高频信号之传输特性变差的问题,而提供一种多层电路基板,可将封装或印刷基板等之多层电路基板的传达信号特性等性能大幅提升;并提供一种采用该多层电路基板的电子设备。本发明之多层电路基板10系于基体上具有多数配线层,以及位于该多数配线层之间的多数绝缘层。而于该多层电路基板10中,前述多数绝缘层之内的至少一部分,由以下二者所构成:多孔质绝缘层1,含有选自于由多孔质体、气凝胶、多孔质硅石、多孔性聚合物、中空硅石、中空聚合物所构成之多孔质材料群组中的至少任一种的材料;非多孔质绝缘层2,系该多孔质绝缘层1的至少一面不含有前述多孔质材料群组。又,本发明之电子设备使用前述多层电路基板。

10. 发明专利

TW200709340A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR APPARATUS 失效
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR APPARATUS
公开(公告)号：TW200709340A
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：TW095121893
申请日：2006-06-19
申请人：國立大學法人東北大學 TOHOKU UNIVERSITY , 財團法人國際科學振興財團 FOUNDATION FOR ADVANCEMENT OF INTERNATIONAL SCIENCE
发明人：大見忠弘 OHMI, TADAHIRO , 寺本章伸 TERAMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L29/045
摘要：本發明之半導體裝置包括至少一種MOS電晶體,其具有:半導體層(SOI層),設於SOI基板上;及閘電極,設於前述SOI層上;以前述閘電極與前述SOI層之工作函數差所致空乏層之厚度較前述SOI層之膜厚為大之方式,設定前述SOI層之膜厚而成為正常斷開式(normally off)。
简体摘要：本发明之半导体设备包括至少一种MOS晶体管,其具有:半导体层(SOI层),设于SOI基板上;及闸电极,设于前述SOI层上;以前述闸电极与前述SOI层之工作函数差所致空乏层之厚度较前述SOI层之膜厚为大之方式,设置前述SOI层之膜厚而成为正常断开式(normally off)。

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