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    • 71. 发明授权
    • 기판을 프로세싱하는 방법
    • KR102226780B1
    • 2021-03-10
    • KR1020180087229
    • 2018-07-26
    • 가부시기가이샤 디스코
    • 프리바서칼하인즈호시노히토시후루타겐지
    • H01L21/78H01L21/76H01L21/304B23K26/53B23K103/00
    • 본발명은제1 표면(2a) 및제1 표면(2a)에반대되는제2 표면(2b)을구비하는기판(2)을프로세싱하는방법에관한것으로, 기판(2)은제1 표면(2a) 상에복수의분할라인(22)에의해분할되는복수의디바이스(21)를갖는디바이스영역(20)을구비한다. 그방법은제1 표면(2a)의쪽으로부터 100 ㎛이상의두께를갖는기판(2)에펄스식레이저빔(LB) - 펄스식레이저빔(LB)은, 분할라인(22)의각각을따라기판(2)에복수의개질된영역(23)을형성하기위해, 펄스식레이저빔(LB)의초점(P)이제1 표면(2a)으로부터제2 표면(2b)을향하는방향에서제1 표면(2a)으로부터일정거리에위치되는상태에서, 분할라인(22)의각각을따르는적어도복수의위치에서기판(2)에인가됨 - 을인가하는것, 및기판(2)에개질된영역(23)을형성한이후기판두께를조정하기위해기판(2)의제2 표면(2b)을연삭하는것을포함한다. 또한, 본발명은이러한기판(2)을프로세싱하는방법에관한것인데, 그방법에서는, 기판(2)에개질된영역(23) 및/또는홀 영역을형성한이후, 분할라인(22)을따라연장하는복수의그루브(80)를기판(2)에형성하기위해, 기판(2)에플라즈마(PL)가인가된다.
    • 78. 发明授权
    • 웨이퍼의 가공 방법
    • KR102198123B1
    • 2021-01-04
    • KR1020140134227
    • 2014-10-06
    • 가부시기가이샤 디스코
    • 야마시타요헤이후루타켄지요도요시아키
    • H01L21/301H01L21/268H01L21/76H01L21/304H01L21/683
    • 본발명은웨이퍼의이면에절연성을갖는보강시트가접착되는경우에있어서도, 내부가공을실시할수 있는웨이퍼의가공방법을제공하는것을목적으로한다. 본발명에따르면, 표면에복수의분할예정라인이격자형으로형성되어있고복수의분할예정라인에의해구획된복수의영역에디바이스가형성된웨이퍼를, 분할예정라인을따라개개의디바이스로분할하는웨이퍼의가공방법으로서, 웨이퍼의표면에보호부재를접착하는보호부재접착공정과, 웨이퍼의이면을연삭하여소정의두께로형성하는이면연삭공정과, 웨이퍼의이면측으로부터웨이퍼에대하여투과성을갖는파장의레이저광선의집광점을분할예정라인에대응하는내부에위치시켜분할예정라인을따라조사하여, 웨이퍼의내부에분할예정라인을따라개질층을형성하는개질층형성공정과, 웨이퍼의이면에절연기능을구비한보강시트를장착하고보강시트측에다이싱테이프를접착하며다이싱테이프의외주부를환형의프레임에의해지지하는웨이퍼지지공정과, 웨이퍼를가열하여웨이퍼의이면에장착된보강시트를가열함으로써보강시트를고화시키는보강시트가열공정과, 웨이퍼에외력을부여하여웨이퍼를개개의디바이스로분할하고보강시트를개개의디바이스를따라파단하는분할공정을포함한다.