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51. 发明授权

KR100866976B1 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법 有权
标题翻译：液晶显示器及其制造方法
公开(公告)号：KR100866976B1
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：KR1020020052660
申请日：2002-09-03
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 황용섭 , 채기성 , 조규철
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/136286 , G02F2001/13629
摘要： 본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로 특히, 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에서 제안하는 제 1 구조는, 게이트 전극일 경우에는 기판과 접촉특성이 양호한 금속(Ti,Ta,Mo,Cr,W,Ni)과 구리의 이중 금속층으로 형성하고, 소스/드레인 전극일 경우에는 하부 오믹콘택층과 구리와의 반응을 막을 수 있는 금속(Ti,Ta,Mo,Cr,W,Ni)의 이중 금속층으로 형성한다.
본 발명에서 제안하는 제 2 구조는 상기 제 1 구조에서 기판의 전면에 절연막으로 보호층을 더욱 형성하는 구조이다.
이때, 게이트 전극일 경우에는 기판과 밀착성이 좋은 금속(Ti,Ta,Mo,Cr,W,Ni)과 구리의 이중금속층으로 형성하고, 소스/드레인 전극일 경우에는 하부 오믹콘택층과 구리와의 반응을 막을 수 있는 금속(Ti,Ta, Ti,Ta,Mo,Cr,W,Ni)의 이중 금속층으로 형성한다.
전술한 바와 같이 구리를 포함한 이중 금속층로 게이트 및 드레인 전극을 형성하면, 공정지연을 방지할 수 있고 박막트랜지스터의 동작 특성을 개선할 수 있어 제품의 수율을 향상할 수 있다.

52. 发明公开

KR1020060102356A 액정표시패널 및 그 제조방법 有权
标题翻译：液晶显示面板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060102356A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：KR1020050023855
申请日：2005-03-22
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 조규철 , 채기성 , 황용섭 , 김진욱 , 이창희
IPC分类号： G02F1/1339
CPC分类号： G02F1/13394 , G02F2001/13396 , G03F7/0002
摘要： 본 발명은 공정을 단순화함과 아울러 비용을 절감할 수 있는 액정표시패널 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 제1 박막 패턴들이 형성된 제1 기판과, 상기 제1 기판과 액정을 사이에 두고 위치하며 제2 박막 패턴들이 형성된 제2 기판을 포함하는 액정표시패널에 있어서, 상기 제1 및 제 2 기판 중 적어도 어느 하나에 형성된 소정 수지(resin)를 제1 홈 및 상기 제1 홈보다 작은 제2 홈을 가지는 소프트 몰드로 성형하여 형성된 스페이서 및 전계왜곡수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：液晶显示面板及其制造方法技术领域本发明涉及一种可简化工艺并降低成本的液晶显示面板及其制造方法。

53. 发明公开

KR1020060099089A 금속배선 식각용액을 이용한 액정표시장치의 제조방법 有权
标题翻译：用于蚀刻金属层的金属层的蚀刻和使用该金属层的金属层的方法和使用蚀刻剂来制造液晶显示装置的方法
公开(公告)号：KR1020060099089A
公开(公告)日：2006-09-19
申请号：KR1020050020107
申请日：2005-03-10
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 솔브레인 주식회사
发明人： 백귀종 , 이태형 , 조규철 , 채기성 , 권오남 , 황용섭
IPC分类号： C09K13/08
摘要： 본 발명은 구리/몰리브데늄(합금)막으로 구성된 금속배선을 식각하기 위한 금속배선 식각용액 및 이를 이용한 금속배선 식각방법과 상기 식각용액을 이용한 액정표시장치의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있는 것으로, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 금속배선 식각용액은 조성물 총 중량을 기준으로, 12 내지 35 중량%의 과산화수소, 0.5 내지 5 중량 %의 황산염, 0.5 내지 5 중량%의 인산염, 0.001 내지 0.5 중량%의 조성물에 플르오르 이온을 제공할 수 있는 불화물, 0.1 내지 5 중량%의 수용성 고리형 아민 화합물, 0.1 내지 5 중량%의 킬레이트제 및 전체 조성물 총 중량이 100 중량%가 되도록 하는 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 한다.

54. 发明授权

KR100505328B1 구리 몰리브덴막에서 몰리브덴 잔사를 제거할 수 있는식각용액 및 그 식각 방법 有权
标题翻译：蚀刻解决方案和去除多晶硅多晶硅的莫来石残留的方法
公开(公告)号：KR100505328B1
公开(公告)日：2005-07-29
申请号：KR1020030082375
申请日：2003-11-19
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
发明人： 채기성 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 김성수 , 최용석 , 이승용
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/32134
摘要： 과산화수소수, 유기산, 인산염 (phosphate), 질소 (N) 을 포함하는 첨가제 두 종류, 플루오르 화합물 및 탈이온수를 포함하는 구리 단일막 또는 구리 몰리브덴막의 식각용액을 제공한다. 더 구체적으로는, 조성물 총중량에 대하여 5 내지 30 중량% 의 과산화수소수, 0.5 내지 5 중량% 의 유기산, 0.2 내지 5 중량% 의 인산염, 0.2 내지 5 중량% 의 질소를 포함하는 첨가제 두 종류, 0.01 내지 1.0 중량%의 플루오르 화합물 및 탈이온수를 포함하는 구리 단일막 혹은 구리 몰리브덴막의 식각 용액 및 그 식각 방법을 제공한다.
이와 같은 식각용액 및 식각방법을 통하여, 저저항 금속배선을 구현함과 더불어, 식각 속도의 조절이 쉽고, 테이프 프로파일이 양호하며, 패턴의 직선성이 우수하고, 많은 수의 기판을 식각하여도 식각 특성이 변하지 않아 공정상에서 큰 마진을 가지며, 특히 구리 몰리브덴 막에서 몰리브덴이 잔사로 남아 불량을 야기시킬 수 있는 문제를 제거할 수 있어 차세대 반도체 및 TFT-LCD 회로 제작에 널리 이용할 수 있다.

55. 发明授权

KR100456373B1 구리 또는 구리/티타늄 식각액 有权
标题翻译： 구리또는구리/티타늄식각액
公开(公告)号：KR100456373B1
公开(公告)日：2004-11-09
申请号：KR1020010089324
申请日：2001-12-31
申请人： 솔브레인 주식회사 , 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 조규철 , 채기성 , 황용섭 , 권오남 , 이경묵 , 백귀종 , 이태형
IPC分类号： G02F1/13
CPC分类号： H01L21/32134 , C23F1/18 , C23F1/26 , Y10S436/80
摘要： An etching solution for etching one of a copper single metal layer and a copper (Cu)/titanium (Ti) double metal layer that serves as one of a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode of a thin film transistor for a liquid crystal display (LCD) device includes oxone, fluoric compounds, one of a reducing agent and a weak oxidizing agent, an etching rate restrainer, KHF 2 , and water.
摘要翻译：一种蚀刻液，用于蚀刻作为用于（a）的薄膜晶体管的栅电极，源电极和漏电极之一的铜单金属层和铜（Cu）/钛（Ti）双金属层之一液晶显示器（LCD）装置包括过硫酸氢钾，含氟化合物，还原剂和弱氧化剂中的一种，蚀刻速率限制器，KHF＆lt; SUB＆gt; 2＆lt; SUB＆gt;和水。

56. 发明公开

KR1020040079566A 박막트랜지스터 제조방법 有权
标题翻译：通过软光刻方法制作薄膜晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020040079566A
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：KR1020030014494
申请日：2003-03-07
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 황용섭 , 김진욱
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/136277 , G02F2001/133357 , G02F2201/48
摘要： PURPOSE: A method for fabricating a thin film transistor is provided to fabricate the thin film transistor through a soft lithography method using a soft mold. CONSTITUTION: A liquid resin is coated on the first metal layer(102) to form a buffer layer(104). A soft mold(106) including an embossed pattern and an engraved pattern comes into contact with the surface of the buffer layer and heat is applied to the soft mold such that the liquid buffer layer corresponding to the embossed pattern is moved to the engraved pattern. The patterned buffer layer corresponding to the engraved pattern is formed on the second metal layer. An exposed portion of the first metal layer is etched to form a gate electrode. A gate insulating layer, an amorphous silicon layer and a doped amorphous silicon layer are laminated on the gate electrode. The buffer layer is formed on the amorphous silicon layer, and an active layer and an ohmic contact layer are formed on the gate insulating layer through soft lithography and etch processes. The second metal layer is formed on the ohmic contact layer. The buffer layer is formed on the second metal layer. Source and drain electrodes are formed on the ohmic contact layer through soft lithography and etch processes.
摘要翻译：目的：提供一种制造薄膜晶体管的方法，通过使用软模的软光刻方法制造薄膜晶体管。构成：将液体树脂涂覆在第一金属层（102）上以形成缓冲层（104）。包括压花图案和雕刻图案的软模具（106）与缓冲层的表面接触，并且将热量施加到软模具，使得对应于压花图案的液体缓冲层移动到雕刻图案。对应于雕刻图案的图案化缓冲层形成在第二金属层上。蚀刻第一金属层的暴露部分以形成栅电极。在栅电极上层叠栅绝缘层，非晶硅层和掺杂非晶硅层。在非晶硅层上形成缓冲层，通过软光刻和蚀刻工艺在栅极绝缘层上形成有源层和欧姆接触层。第二金属层形成在欧姆接触层上。缓冲层形成在第二金属层上。源极和漏极通过软光刻和蚀刻工艺在欧姆接触层上形成。

57. 发明公开

KR1020040070989A 구리배선을 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 有权
标题翻译：用于制造包括铜线的液晶显示器阵列基板的方法
公开(公告)号：KR1020040070989A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：KR1020030007250
申请日：2003-02-05
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 채기성 , 조규철 , 황용섭
IPC分类号： G02F1/136
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing an array substrate of an LCD(Liquid Crystal Display) including a copper line is provided to reduce resistance of signal lines using copper and decrease the area of the signal lines. CONSTITUTION: The first buffer layer and the first metal layer are formed on a substrate(100) and selectively etched to form a gate line(106) and a gate electrode(108) connected to the gate line. A gate insulating layer(110) is formed on the overall surface of the substrate including the gate line and gate electrode. An active layer and an ohmic contact layer are sequentially formed on a portion of the gate insulating layer, which corresponds to the gate electrode. The second buffer layer and the second metal layer are formed on the substrate and selectively etched to a data line(120), source and drain electrodes(122,124). A passivation layer(126) having a contact hole exposing a portion of the drain electrode is formed on the overall surface of the substrate. A transparent pixel electrode(130) is formed on the passivation layer to be connected to the drain electrode through the contact hole.
摘要翻译：目的：提供一种制造包括铜线的LCD（液晶显示器）的阵列基板的方法，以减少使用铜的信号线的电阻并减小信号线的面积。构成：第一缓冲层和第一金属层形成在基板（100）上并选择性地蚀刻以形成连接到栅极线的栅极线（106）和栅电极（108）。在包括栅极线和栅电极的基板的整个表面上形成栅绝缘层（110）。有源层和欧姆接触层依次形成在对应于栅电极的栅极绝缘层的一部分上。第二缓冲层和第二金属层形成在衬底上，并选择性地蚀刻到数据线（120），源极和漏极（122,124）。在衬底的整个表面上形成具有暴露漏电极的一部分的接触孔的钝化层（126）。透明像素电极（130）形成在钝化层上，以通过接触孔连接到漏电极。

58. 发明公开

KR1020040051502A 구리 몰리브덴막에서 몰리브덴 잔사를 제거할 수 있는식각용액 및 그 식각 방법 有权
标题翻译：能够从铜层中去除钼析出的蚀刻溶液及其蚀刻方法
公开(公告)号：KR1020040051502A
公开(公告)日：2004-06-18
申请号：KR1020030082375
申请日：2003-11-19
申请人： 엘지디스플레이 주식회사 , 동우 화인켐 주식회사
发明人： 채기성 , 조규철 , 권오남 , 이경묵 , 황용섭 , 김성수 , 최용석 , 이승용
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/32134
摘要： PURPOSE: An etching solution capable of removing molybdenum debris from a copper molybdenum layer and an etching method thereof are provided to easily control etching rate, improve tape profile, enhance the linearity of a pattern, constantly conserve the same etching characteristics, and increase the maintenance time of the etching solution. CONSTITUTION: An etching solution of a copper molybdenum layer contains a hydrogen peroxide solution of 5-30 weight%, organic acid of 0.5-5 weight%, and phosphate salt of 0.2-5 weight%. The etching solution further includes the first addictive of 0.2-5 weight%, the second addictive of 0.2-5 weight%, a fluorine compound of 0.01-1.0 weight% and deionized water.
摘要翻译：目的：提供能够从铜钼层除去钼屑的蚀刻溶液及其蚀刻方法，以便容易地控制蚀刻速率，改善胶带轮廓，增强图案的线性，同时保持相同的蚀刻特性，并增加维护蚀刻溶液的时间。构成：铜钼层的蚀刻溶液含有5-30重量％的过氧化氢溶液，0.5-5重量％的有机酸和0.2-5重量％的磷酸盐。蚀刻溶液还包括0.2-5重量％的第一上瘾剂，0.2-5重量％的第二成瘾剂，0.01-1.0重量％的氟化合物和去离子水。

59. 发明公开

KR1020040026742A 알카리 글라스를 이용한 액정표시장치 有权
标题翻译：液晶显示器件使用ALKALI玻璃
公开(公告)号：KR1020040026742A
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：KR1020020058285
申请日：2002-09-26
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 조규철 , 황용섭
IPC分类号： G02F1/13
CPC分类号： G02F1/1333 , C03B29/08 , G02F1/13394 , G02F1/1341 , G02F1/136 , G02F2201/121
摘要： PURPOSE: An LCD device using alkali glass is provided to form seal patterns on a lower substrate, and to bond the lower substrate with an upper substrate, then to proceed a UV seal hardening process, thereby preventing a seal breakdown caused by thermal expansion differences between the 2 substrates. CONSTITUTION: Alignment layers(110,210) are printed on an upper substrate(300) and a lower substrate(400). Patterns of a UV hardening seal(120) are formed on the upper substrate(300) or the lower substrate(400). A spacer(130) is diffused to the lower substrate(400) or the upper substrate(300) in order to maintain an uniform gap between the upper substrate(300) and the lower substrate(400). The upper substrate(300) is bonded with the lower substrate(400). The upper substrate(300) and the lower substrate(400) configure one panel(500). A seal hardening process is performed to firmly fix the upper substrate(300) and the lower substrate(400) as the one panel(500) state.
摘要翻译：目的：提供使用碱玻璃的LCD装置，在下基板上形成密封图案，并将下基板与上基板结合，然后进行UV密封硬化工艺，从而防止由热膨胀差引起的密封破裂 2个底物。构成：对准层（110,210）印刷在上基板（300）和下基板（400）上。在上基板（300）或下基板（400）上形成UV硬化密封（120）的图案。间隔物（130）扩散到下基板（400）或上基板（300），以便在上基板（300）和下基板（400）之间保持均匀的间隙。上基板（300）与下基板（400）接合。上基板（300）和下基板（400）配置一个面板（500）。执行密封硬化处理以将上基板（300）和下基板（400）牢固地固定为一个面板（500）状态。

60. 发明授权

KR100425206B1 박막트랜지스터 및 그 제조방법 有权
标题翻译： 박막트랜스스터및그제조방법
公开(公告)号：KR100425206B1
公开(公告)日：2004-03-31
申请号：KR1020010088556
申请日：2001-12-29
申请人： 엘지디스플레이 주식회사
发明人： 황용섭 , 채기성
IPC分类号： H01L29/786
摘要： PURPOSE: A TFT(Thin Film Transistor) and a fabricating method thereof are provided to minimize the leakage current of light by trapping photoelectrons formed on a back channel of a semiconductor layer. CONSTITUTION: A TFT includes a gate electrode(130), a gate insulating layer(150), a semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode(190,210), the first protective layer(300), and the second protective layer(400). The gate electrode is formed on a substrate(100). The gate insulating layer is formed on the entire surface of the substrate including gate electrode. The semiconductor layer is formed on the gate insulating layer. The source electrode and the drain electrode are formed on the semiconductor layer. The first protective layer is formed on the entire surface of the substrate. The first protective layer is formed with an SiNx layer having the band gap energy more than 5.3eV. The second protective layer is formed on the first protective layer.
摘要翻译：目的：提供TFT（薄膜晶体管）及其制造方法，以通过俘获在半导体层的背沟道上形成的光电子来使光的漏电流最小化。本发明公开了一种TFT，包括栅电极（130），栅绝缘层（150），半导体层，源电极和漏电极（190,210），第一保护层（300）和第二保护层（400））。栅电极形成在衬底（100）上。栅绝缘层形成在包括栅电极的基板的整个表面上。半导体层形成在栅极绝缘层上。源电极和漏电极形成在半导体层上。第一保护层形成在基板的整个表面上。第一保护层由具有大于5.3eV的带隙能量的SiNx层形成。第二保护层形成在第一保护层上。

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