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51. 发明专利

TW201407685A 圖案化低ｋ介電膜的方法审中-公开
简体标题：图案化低ｋ介电膜的方法
公开(公告)号：TW201407685A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102122554
申请日：2013-06-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：奈馬尼史林尼法斯D , NEMANI, SRINIVAS D. , 潘德瑞米亞T , PENDER, JEREMIAH T. , 周青駿 , ZHOU, QINGJUN , 路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 貝羅斯特凱索爵G , BELOSTOTSKIY, SERGEY G.
IPC分类号： H01L21/311
CPC分类号： H01L21/308 , H01J37/32357 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要：本文描述圖案化低k介電膜之方法。在實例中，一種圖案化低k介電膜之方法涉及以下步驟：在低k介電層之上形成及圖案化光罩層。低k介電層安置在基板之上。方法亦涉及以下步驟：利用電漿製程來修正低k介電層之曝露部分。方法亦涉及以下步驟：在同一操作中，利用遠端電漿製程選擇性地為光罩層及低k介電層之未修正部分去除低k介電層之已修正部分。
简体摘要：本文描述图案化低k介电膜之方法。在实例中，一种图案化低k介电膜之方法涉及以下步骤：在低k介电层之上形成及图案化光罩层。低k介电层安置在基板之上。方法亦涉及以下步骤：利用等离子制程来修正低k介电层之曝露部分。方法亦涉及以下步骤：在同一操作中，利用远程等离子制程选择性地为光罩层及低k介电层之未修正部分去除低k介电层之已修正部分。

52. 发明专利

TW201351559A 具有即時熱區調節能力的高溫靜電夾具审中-公开
简体标题：具有实时热区调节能力的高温静电夹具
公开(公告)号：TW201351559A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102114621
申请日：2013-04-24
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 孫語南 , SUN, JENNIFER Y. , 薩奇山恩 , THACH, SENH , 林興 , LIN, XING , 威爾維斯麥克D , WILLWERTH MICHAEL D. , 馬可拉契夫空斯坦汀 , MAKHRATCHEV, KONSTANTIN
IPC分类号： H01L21/687 , C23C16/52
CPC分类号： H02N13/00 , B23B31/28 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L21/68792
摘要：本發明的實施例提供用於在高溫下操作之靜電夾具。本發明的一個實施例提供用於靜電夾具之介電夾具體。介電夾具體包括基板支撐板、電極及軸，該基板支撐板具有用於接收基板之頂表面及與頂表面相對的背表面，該電極嵌入基板支撐板中，該軸具有第一端及與該第一端相對的第二端，該第一端附接於基板支撐板的背表面。第二端經設置以接觸冷卻底座及提供溫度控制至基板支撐板。軸為中空的，具有包圍中心開口的側壁及兩個或兩個以上通路，該兩個或兩個以上通路穿過側壁形成且自第一端延伸至第二端。
简体摘要：本发明的实施例提供用于在高温下操作之静电夹具。本发明的一个实施例提供用于静电夹具之介电夹具体。介电夹具体包括基板支撑板、电极及轴，该基板支撑板具有用于接收基板之顶表面及与顶表面相对的背表面，该电极嵌入基板支撑板中，该轴具有第一端及与该第一端相对的第二端，该第一端附接于基板支撑板的背表面。第二端经设置以接触冷却底座及提供温度控制至基板支撑板。轴为中空的，具有包围中心开口的侧壁及两个或两个以上通路，该两个或两个以上通路穿过侧壁形成且自第一端延伸至第二端。

53. 发明专利

TW201330048A 具有相位控制之高效能三線圈感應耦合電漿源审中-公开
简体标题：具有相位控制之高性能三线圈感应耦合等离子源
公开(公告)号：TW201330048A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101139500
申请日：2012-10-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：巴那沙莫 , BANNA, SAMER , 畢許哈諾韋伯 , BISHARA, WAHEB , 吉兒偉恩 , GIAR, RYAN , 特多羅法蘭汀 , TODOROW, VALENTIN , 路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY , 坦汀汪凱爾R , TANTIWONG, KYLE R.
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H05H1/46 , H05H2001/4667
摘要：一種電漿處理設備可包括製程腔室，該製程腔室具有內部處理容積；第一RF線圈、第二RF線圈及第三RF線圈，該第一RF線圈、該第二RF線圈及該第三RF線圈接近製程腔室設置以將RF能量耦合至處理容積中，其中第二RF線圈相對於第一RF線圈同軸地設置，且其中第三RF線圈相對於第一RF線圈及第二RF線圈同軸地設置；至少一個鐵氧體遮罩（ferrite shield），該至少一個鐵氧體遮罩接近第一RF線圈、第二RF線圈或第三RF線圈中的至少一者設置，其中鐵氧體遮罩經配置以局部導引藉由RF電流產生的磁場，該RF電流經由第一RF線圈、第二RF線圈或第三RF線圈流向製程腔室，其中電漿處理設備經配置以控制流經第一RF線圈、第二RF線圈或第三RF線圈中之每一者的每一RF電流的相位。
简体摘要：一种等离子处理设备可包括制程腔室，该制程腔室具有内部处理容积；第一RF线圈、第二RF线圈及第三RF线圈，该第一RF线圈、该第二RF线圈及该第三RF线圈接近制程腔室设置以将RF能量耦合至处理容积中，其中第二RF线圈相对于第一RF线圈同轴地设置，且其中第三RF线圈相对于第一RF线圈及第二RF线圈同轴地设置；至少一个铁氧体遮罩（ferrite shield），该至少一个铁氧体遮罩接近第一RF线圈、第二RF线圈或第三RF线圈中的至少一者设置，其中铁氧体遮罩经配置以局部导引借由RF电流产生的磁场，该RF电流经由第一RF线圈、第二RF线圈或第三RF线圈流向制程腔室，其中等离子处理设备经配置以控制流经第一RF线圈、第二RF线圈或第三RF线圈中之每一者的每一RF电流的相位。

54. 发明专利

TW201320235A 靜電夾盤审中-公开
简体标题：静电夹盘
公开(公告)号：TW201320235A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101139305
申请日：2012-10-24
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：巴那沙莫 , BANNA, SAMER , 特多羅法蘭汀 , TODOROW, VALENTIN , 路布米斯基德米崔 , LUBOMIRSKY, DMITRY
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/6831 , H01J37/32715 , H02N13/00
摘要：在此提供靜電夾盤的實施例。在一些實施例中，一種用於支撐與保持具有給定寬度的基材的靜電夾盤可包括：介電構件，具有支撐表面，該支撐表面設置以支撐具有一給定寬度的基材；一電極，配置在該介電構件內位於該支撐表面下方，並且從該介電構件的中心向外延伸至超過該基材的外周邊的區域，該外周邊由該基材之該給定寬度所界定；RF電源，耦接該電極；以及DC電源，耦接該電極。
简体摘要：在此提供静电夹盘的实施例。在一些实施例中，一种用于支撑与保持具有给定宽度的基材的静电夹盘可包括：介电构件，具有支撑表面，该支撑表面设置以支撑具有一给定宽度的基材；一电极，配置在该介电构件内位于该支撑表面下方，并且从该介电构件的中心向外延伸至超过该基材的外周边的区域，该外周边由该基材之该给定宽度所界定；RF电源，耦接该电极；以及DC电源，耦接该电极。

55. 发明专利

TW201225199A 用於臭氧硬化及硬化後之濕氣處理的模組 MODULE FOR OZONE CURE AND POST-CURE MOISTURE TREATMENT 审中-公开
简体标题：用于臭氧硬化及硬化后之湿气处理的模块 MODULE FOR OZONE CURE AND POST-CURE MOISTURE TREATMENT
公开(公告)号：TW201225199A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100136071
申请日：2011-10-05
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：路布米斯基德米崔 , 賓森二世傑D , 福洛德可比H , 坎艾德柏 , 凡卡塔拉曼尚卡爾
IPC分类号： H01L
CPC分类号： F26B25/004 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02337 , H01L21/3105 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67207
摘要：本發明揭示一種基材處理系統,該基材處理系統具有複數個沉積室及第一機器人手臂,該第一機器人手臂可操作以在該等沉積室中之一者與裝載鎖定基材固持區之間移動基材。系統亦可具有第二機器人手臂,該第二機器人手臂可操作以在該裝載鎖定基材固持區與基材硬化及處理模組之硬化室之間移動基材。該基材硬化及處理模組附接至該裝載鎖定基材固持區,且該基材硬化及處理模組可包括:硬化室及處理室,該硬化室用於在包含臭氧之氛圍中硬化介電層,該處理室用於在包含水蒸汽之氛圍中處理該經硬化之介電層。該硬化室可相對於該處理室垂直地配置。該模組亦可包括加熱系統,該加熱系統可操作地耦接至該硬化室及該處理室,其中該加熱系統可操作以將該硬化室之第一溫度自大約150℃調整至大約200℃,且將該處理室之第二溫度自大約80℃調整至大約100℃。模組可更進一步包括在硬化室及處理室兩者上之進出門。該等進出門中之每一者可操作以移動至打開位置以接收基材,且當基材正在硬化或處理期間,該等進出門中之每一者可操作以移動至封閉密封之位置。
简体摘要：本发明揭示一种基材处理系统,该基材处理系统具有复数个沉积室及第一机器人手臂,该第一机器人手臂可操作以在该等沉积室中之一者与装载锁定基材固持区之间移动基材。系统亦可具有第二机器人手臂,该第二机器人手臂可操作以在该装载锁定基材固持区与基材硬化及处理模块之硬化室之间移动基材。该基材硬化及处理模块附接至该装载锁定基材固持区,且该基材硬化及处理模块可包括:硬化室及处理室,该硬化室用于在包含臭氧之氛围中硬化介电层,该处理室用于在包含水蒸汽之氛围中处理该经硬化之介电层。该硬化室可相对于该处理室垂直地配置。该模块亦可包括加热系统,该加热系统可操作地耦接至该硬化室及该处理室,其中该加热系统可操作以将该硬化室之第一温度自大约150℃调整至大约200℃,且将该处理室之第二温度自大约80℃调整至大约100℃。模块可更进一步包括在硬化室及处理室两者上之进出门。该等进出门中之每一者可操作以移动至打开位置以接收基材,且当基材正在硬化或处理期间,该等进出门中之每一者可操作以移动至封闭密封之位置。

56. 发明专利

TW201209880A 負載閉鎖批式臭氧硬化 LOADLOCK BATCH OZONE CURE 审中-公开
简体标题：负载闭锁批式臭氧硬化 LOADLOCK BATCH OZONE CURE
公开(公告)号：TW201209880A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW100121086
申请日：2011-06-16
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：路布米斯基德米崔 , 賓森二世傑D , 福洛德可比H , 坎艾德柏 , 凡卡塔拉曼尚卡爾
IPC分类号： H01L , C23C
CPC分类号： H01L21/67178 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67757
摘要：本發明提供一種用於以批次模式處理複數個晶圓之基板處理腔室。在一實施例中,該腔室包括:一垂直對準外殼,該外殼具有由一內部分割器分隔之第一處理區域及第二處理區域,該第一處理區域直接定位於該第二處理區域上方;一多區域加熱器,該加熱器操作性耦接至該外殼,以加熱彼此獨立之該第一處理區域及該第二處理區域;一晶圓傳送器,該傳送器經調適成固持該處理室內的複數個晶圓,及在該第一處理區域與該第二處理區域之間垂直移動;一氣體分配系統,該氣體分配系統經調適成將臭氧引入該第二區域中及將蒸汽引入該第一處理區域中;以及一排氣系統,該排氣系統經設置以排出被引入該第一處理區域及該第二處理區域中之氣體。
简体摘要：本发明提供一种用于以批次模式处理复数个晶圆之基板处理腔室。在一实施例中,该腔室包括:一垂直对准外壳,该外壳具有由一内部分割器分隔之第一处理区域及第二处理区域,该第一处理区域直接定位于该第二处理区域上方;一多区域加热器,该加热器操作性耦接至该外壳,以加热彼此独立之该第一处理区域及该第二处理区域;一晶圆发送器,该发送器经调适成固持该处理室内的复数个晶圆,及在该第一处理区域与该第二处理区域之间垂直移动;一气体分配系统,该气体分配系统经调适成将臭氧引入该第二区域中及将蒸汽引入该第一处理区域中;以及一排气系统,该排气系统经设置以排出被引入该第一处理区域及该第二处理区域中之气体。

57. 发明专利

TW201143551A 電漿源的設計 PLASMA SOURCE DESIGN 审中-公开
简体标题：等离子源的设计 PLASMA SOURCE DESIGN
公开(公告)号：TW201143551A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW099139386
申请日：2010-11-16
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：路布米斯基德米崔 , 楊章喬 , 米勒馬修L , 賓森二世傑D , 祝基恩N
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/3211 , H01J37/32357
摘要：本發明之實施例大體上提供電漿源設備及其使用方法,透過使用電磁能量源,該電漿源能夠於電漿生成區域中生成自由基及/或氣體離子,而該區域是對稱地定位在磁性核心元件周圍。大體而言,電漿生成區域與磁性核心的方位及形狀得以有效率地且均勻地將所傳遞的電磁能量耦合配置在電漿生成區域中的氣體。大體而言,電漿生成區域中形成的電漿之改善的特徵為能夠改善配置在電漿生成區域下游的基材或處理腔室之一部份上執行的沉積、蝕刻及/或清潔製程。
简体摘要：本发明之实施例大体上提供等离子源设备及其使用方法,透过使用电磁能量源,该等离子源能够于等离子生成区域中生成自由基及/或气体离子,而该区域是对称地定位在磁性内核组件周围。大体而言,等离子生成区域与磁性内核的方位及形状得以有效率地且均匀地将所传递的电磁能量耦合配置在等离子生成区域中的气体。大体而言,等离子生成区域中形成的等离子之改善的特征为能够改善配置在等离子生成区域下游的基材或处理腔室之一部份上运行的沉积、蚀刻及/或清洁制程。

58. 发明专利

TW201111548A ＣＶＤ腔室之流體控制特徵結構 FLOW CONTROL FEATURES OF CVD CHAMBERS 审中-公开
简体标题：ＣＶＤ腔室之流体控制特征结构 FLOW CONTROL FEATURES OF CVD CHAMBERS
公开(公告)号：TW201111548A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW099123311
申请日：2010-07-15
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：祝基恩N , 梁奇偉 , 蓋葉韓D , 陳興隆 , 米勒馬修 , 朴書南 , 崔恩托恩Q , 坎艾德柏 , 楊章喬 , 路布米斯基德米崔 , 凡卡塔拉曼尚卡爾
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/452 , C23C16/45574 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , Y10T137/85938
摘要：本發明提供用於氣體散佈組件之設備與方法。在一態樣中，提供一種氣體散佈組件，其包含：一環形本體，其包含：一環形圈，其具有一內環形壁、一外壁、一上表面與一底表面；一上凹部，其形成到該上表面內；及一座部，其形成到該內環形壁內；一上板，其設置在該上凹部中且包含：一碟形本體，其具有複數個形成通過其間之第一穿孔；及一底板，其設置在該座部上且包含：一碟形本體，其具有複數個形成通過其間之第二穿孔，該些第二穿孔和該些第一穿孔對準；及複數個第三穿孔，其形成在該些第二穿孔之間且通過該底板，該底板係密封地耦接到該上板以將該複數個第一與第二穿孔和該複數個第三穿孔流體地隔離。
简体摘要：本发明提供用于气体散布组件之设备与方法。在一态样中，提供一种气体散布组件，其包含：一环形本体，其包含：一环形圈，其具有一内环形壁、一外壁、一上表面与一底表面；一上凹部，其形成到该上表面内；及一座部，其形成到该内环形壁内；一上板，其设置在该上凹部中且包含：一碟形本体，其具有复数个形成通过其间之第一穿孔；及一底板，其设置在该座部上且包含：一碟形本体，其具有复数个形成通过其间之第二穿孔，该些第二穿孔和该些第一穿孔对准；及复数个第三穿孔，其形成在该些第二穿孔之间且通过该底板，该底板系密封地耦接到该上板以将该复数个第一与第二穿孔和该复数个第三穿孔流体地隔离。

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