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41. 发明申请

WO2007074027A1 PROCEDE DE REALISATION SIMPLIFIEE D'UNE STRUCTURE EPITAXIEE 审中-公开
标题翻译：生产外观结构的简化方法
公开(公告)号：WO2007074027A1
公开(公告)日：2007-07-05
申请号：PCT/EP2006/069263
申请日：2006-12-04
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert
发明人： FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L21/20 , C30B25/18 , C30B33/00
CPC分类号： H01L21/187 , C30B25/18 , C30B33/00 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02521 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L21/02664 , H01L21/30604
摘要： Procédé de réalisation d'une structure consistant à déposer un matériau par épitaxie colonnaire sur une face cristalline d'un substrat (2), à poursuivre afin que les colonnes (4) donnent une couche continue (5). On pourvoit la face d'un réseau périodique de saillies (3) à l'échelle nanométrique, chaque saillie (3) présentant une zone d'appui (35) et étant obtenue à partir d'un réseau de défauts cristallins et/ou de champs de contraintes créé au sein d'une zone cristalline (16) située au voisinage d'une interface (15) de collage entre deux éléments cristallins (11, 12) ayant des réseaux cristallins décalés en rotation et/ou en flexion et/ou présentant un désaccord de paramètres de maille à l'interface, aptes à conditionner la période (38) du réseau de saillies (3). La période (38) du réseau, la hauteur (36) des saillies et la taille de leur zone d'appui (35) étant ajustées de manière que la couche continue (40) ait une épaisseur critique supérieure à celle obtenue par épitaxie sans les saillies.
摘要翻译：一种制造结构体的方法，该结构体是通过在衬底（2）的结晶面上通过柱状外延沉积材料并连续地使柱（4）形成连续层（5）而构成的。该表面设置有纳米片（3）的周期性阵列，每个纳米块（3）具有轴承区（35），并且由晶体缺陷阵列和/或位于结晶区（16）内产生的应变场的阵列获得在具有晶格的两个结晶元件（11,12）之间的接合界面（15）附近旋转和/或弯曲偏移和/或具有在界面处的晶格失配，其能够确定阵列的周期（38）纳米片（3），阵列的周期（38），纳米片的高度（36）和其轴承区（35）的尺寸被调整，使得连续层（40）的临界厚度大于获得的通过外延，没有纳米片。

42. 发明申请

WO2007060314A1 PROCEDE DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF ELECTRONIQUE FLEXIBLE DU TYPE ECRAN COMPORTANT UNE PLURALITE DE COMPOSANTS EN COUCHES MINCES 审中-公开
标题翻译：用于制作屏幕类型的柔性电子设备的方法，包括多个薄膜组件
公开(公告)号：WO2007060314A1
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：PCT/FR2006/002543
申请日：2006-11-20
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , TEMPLIER, François , MORICEAU, Hubert , MOUREY, Bruno , DI CIOCCIO, Léa
发明人： TEMPLIER, François , MORICEAU, Hubert , MOUREY, Bruno , DI CIOCCIO, Léa
IPC分类号： H01L27/13 , H01L21/786 , H01L21/84
CPC分类号： H01L27/1266 , B32B17/06 , B32B2307/206 , B32B2307/702 , B32B2457/202 , B32B2457/206 , C03C27/06 , G02F1/133305 , H01L27/1214 , H01L27/3244 , H01L27/3281 , H01L29/78603 , H01L51/003 , H01L51/0097 , H01L51/56 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , Y02E10/549
摘要： Pour fabriquer un dispositif électronique flexible en couches minces du type écran comportant une pluralité de composants en couches minces sur un support en verre : on prépare un support de départ comportant un substrat massif rigide (32) et une feuille de verre (31) solidarisée à ce substrat massif rigide par un collage direct réversible en sorte d'obtenir un interface démontable (33), on fabrique la pluralité de composants en couche minces (41-49) sur cette feuille de verre, on sépare la feuille de verre, sur laquelle on a fabriqué la pluralité de composants en couches minces, vis-à-vis du substrat massif rigide, par démontage de l'interface (33), on reporte avantageusement cette feuille de verre et la pluralité de composants en couches minces sur un support final.
摘要翻译：为了制造屏幕类型的薄膜柔性电子器件，在玻璃支架上包括多个薄膜部件：制备起始支撑体，其包括刚性体基片（32）和固定到该刚性体基板通过可逆直接接合以获得可移除接口（33）; 在该玻璃板上制造多个薄膜部件（41-49）已经制造了多个薄膜部件的玻璃板通过拆卸界面（33）从刚性体基板分离。并且有利地，将该玻璃板和多个薄膜部件转移到最终的载体。

43. 发明申请

WO2006072871A2 PROCEDE D'ELABORATION DE STRUCTURES EMPILEES MIXTES, A ZONES ISOLANTES DIVERSES ET/OU ZONES DE CONDUCTION ELECTRIQUE VERTICALE LOCALISEES 审中-公开
标题翻译：生产混合堆叠结构的方法，不同的绝缘区域和/或本地化的垂直导电区域
公开(公告)号：WO2006072871A2
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：PCT/IB2005/054432
申请日：2005-10-06
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , MORICEAU, Hubert , FOURNEL, Franck , MORALES, Christophe
发明人： MORICEAU, Hubert , FOURNEL, Franck , MORALES, Christophe
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/76224
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'une structure semi-conductrice, comportant : - la formation contrôlée, à travers un masque (31), dans un premier substrat (30) en un matériau semi-conducteur, d' au moins une première zone en un matériau isolant (36), jusqu'au niveau de la surface inférieure (35) du masque, avant ou pendant le retrait du masque.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造半导体结构的方法，该半导体结构通过在由半导体材料制成的第一衬底（30）中通过掩模（31）形成由绝缘材料（36）制成的至少一个第一区域，以受控的方式形成，在去除掩模之前和之后的掩模下表面（35）的水平。

44. 发明申请

WO2006037933A2 PROCEDE D'ELABORATION DE STRUCTURES EMPILEES MIXTES, A ZONES ISOLANTES DIVERSES ET/OU ZONES DE CONDUCTION ELECTRIQUE VERTICALE LOCALISEES 审中-公开
标题翻译：生产混合堆叠结构的工艺，具有各种绝缘区和/或局部垂直导电区
公开(公告)号：WO2006037933A2
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：PCT/FR2005/050825
申请日：2005-10-06
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , MORICEAU, Hubert , MORALES, Christophe , ZUSSY, Marc , DECHAMP, Jérôme
发明人： MORICEAU, Hubert , MORALES, Christophe , ZUSSY, Marc , DECHAMP, Jérôme
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/7624 , H01L21/76254 , H01L21/76259
摘要： L'invention concerne un procédé de réalisation d'une structure semi-conductrice, sur un substrat semi-conducteur dont une surface présente une topologie, ce procédé comportant : a) - une étape de formation d'une première couche (24) en un premier matériau isolant sur ladite surface, b) - une étape de formation d'une deuxième couche en un deuxième matériau isolant (28), moins dense que le premier matériau isolant, d'épaisseur comprise entre 2,5 p et 3,5 p, c) - une étape de planarisation de l'ensemble.
摘要翻译：
本发明涉及一种方法在具有呈现拓扑结构的表面的半导体衬底上形成半导体结构的方法，该方法在图1中公开。包括：a） - 在所述表面上的第一绝缘材料中形成第一层（24）的步骤，b） - 将第二层形成为层厚度小于第一绝缘材料的第二绝缘材料（28），其厚度在2.5p和3.5p之间，c） - 所述第二绝缘材料在一起。

45. 发明申请

WO2006008411A1 ASSEMBLAGE PAR ADHESION MOLECULAIRE DE DEUX SUBSTRATS 审中-公开
标题翻译：通过分子粘合装配两个基体
公开(公告)号：WO2006008411A1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：PCT/FR2005/050522
申请日：2005-06-29
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , FEUILLET, Guy , MORICEAU, Hubert , POCAS, Stéphane , JALAGUIER, Eric , MOUSSY, Norbert
发明人： FEUILLET, Guy , MORICEAU, Hubert , POCAS, Stéphane , JALAGUIER, Eric , MOUSSY, Norbert
IPC分类号： H01L21/98 , H01L25/065 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14636 , H01L24/83 , H01L27/14634 , H01L33/0079 , H01L2224/83801 , H01L2224/83894 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/07811 , Y10T29/49126 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
摘要： L'invention concerne un procédé d'assemblage pour permettre des liaisons électriques localisées entre des zones situées sur une face d'un premier substrat et des zones correspondantes situées sur une face d'un deuxième substrat, lesdites faces étant situées en regard l'une de l'autre, au moins l'un des substrats présentant une topographie de surface, caractérisé en ce que le procédé comprend les étapes consistant à : - former une couche intermédiaire comprenant au moins une couche d'enfouissement sur la face du substrat ou des substrats présentant une topographie de surface pour la (les) rendre compatible(s) d'un point de vue topographique avec le collage moléculaire desdites faces des substrats l'une à l'autre, la résistivité et/ou l'épaisseur de la couche intermédiaire étant choisies pour permettre lesdites liaisons électriques localisées, - mettre en contact les deux faces, les substrats étant positionnés de façon à pouvoir assurer les liaisons électriques entre les zones situées sur le premier substrat et les zones correspondantes situées sur le deuxième substrat, - coller par adhésion moléculaire les faces du premier et du deuxième substrat.
摘要翻译：本发明涉及一种用于实现位于第一基板的表面上的区域和位于第二基板的表面上的对应区域之间的局部电连接的组装方法，所述面朝向彼此，并且至少一个基板具有表面形貌。该方法的特征在于包括以下步骤：在衬底的表面或具有表面形貌的衬底上形成包含至少一个掩埋层的中间层，以使其/它们在表面上与这些的分子键衬底彼此相对的面，中间层的电阻率和/或厚度被选择用于实现所述局部电连接; 将两个面放置在接触状态，基板的定位方式使得它们能够确保位于第一基板上的区域与位于第二基板上的相应区域之间的电连接; 通过分子粘附键合第一和第二基底的表面。

46. 发明申请

WO2005096369A1 PREPARING A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR WAFER FOR BONDING WITH ANOTHER WAFER 审中-公开
标题翻译：制备用于与另一个波形结合的半导体波导的表面
公开(公告)号：WO2005096369A1
公开(公告)日：2005-10-13
申请号：PCT/IB2005/001064
申请日：2005-03-30
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , MAUNAND TUSSOT, Corinne , MALEVILLE, Christophe , MORICEAU, Hubert , SOUBIE, Alain
发明人： MAUNAND TUSSOT, Corinne , MALEVILLE, Christophe , MORICEAU, Hubert , SOUBIE, Alain
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： The invention relates to a method for preparing an oxidised surface of a wafer for bonding with another wafer, the oxidised surface having been subject to an implantation of atomic species, the method including a first step of cleaning the oxidised surface by employing NH 4 OH and H 2 O 2 , and a second step of cleaning by employing hydrochloric species (HCI), wherein the first step is implemented so as to etch from about 10 Å to about 120 Å, and wherein the second step is implemented at a selected temperature below around 50°C during about 10 minutes or less.
摘要翻译：本发明涉及一种制备用于与另一晶片接合的晶片的氧化表面的方法，所述氧化表面已经经受原子物质的注入，所述方法包括通过使用NH 4 OH和H 2 O 2清洁氧化表面的第一步骤，以及通过使用盐酸物质（HCl）进行清洁的第二步骤，其中第一步骤被实施为蚀刻从大约至大约为120埃，并且其中第二步骤在低于约50℃的选定温度下实施约10分钟或更短。

47. 发明申请

WO2004064132A1 PROCEDE DE REALISATION D'UNE STRUCTURE COMPLEXE PAR ASSEMBLAGE DE STRUCTURES CONTRAINTES 审中-公开
标题翻译：通过组装应力结构生产复杂结构的方法
公开(公告)号：WO2004064132A1
公开(公告)日：2004-07-29
申请号：PCT/FR2003/003590
申请日：2003-12-04
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert , MONTMAYEUL, Philippe
发明人： FOURNEL, Franck , MORICEAU, Hubert , MONTMAYEUL, Philippe
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/67092 , H01L21/76251 , H01L24/75 , H01L2221/68363 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/3511 , Y10S148/012 , Y10S148/135 , Y10S148/159 , H01L2924/00
摘要： Procédé de réalisation d’une structure microélectronique complexe selon lequel on assemble deux structures microélectroniques élémentaires (1,3) par deux faces respectives de liaison (3), caractérisé en ce que, avant assemblage, on crée une différence d’état de contraintes tangentielles entre les deux faces à assembler, cette différence étant choisie en sorte d’obtenir au sein de la structure assemblée un état de contraintes prédéterminé dans des conditions données par rapport aux conditions d’assemblage.
摘要翻译：
处理程序; 一种实现复杂微电子结构的方法，根据该微电子结构，两个电子微电子结构（1,3）由两个相应的连接面（3）组装，在组装之前，两个面之间的切向应力状态产生差异; 组装时，选择这种差异以便在组装结构内获得预定约束状态。在给定的条件下就装配条件而言。

48. 发明申请

WO2003005443A2 STRUCTURE COMPOSITE A ORIENTATION CRISTALLINE UNIFORME ET PROCEDE DE CONTROLE DE L'ORIENTATION CRISTALLINE D'UNE TELLE STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：均匀结晶取向复合结构和用于控制这种结构的晶体取向的方法
公开(公告)号：WO2003005443A2
公开(公告)日：2003-01-16
申请号：PCT/FR2002/002136
申请日：2002-06-20
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , FOURNEL, Franck , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert
发明人： FOURNEL, Franck , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert
IPC分类号： H01L23/373
CPC分类号： C30B33/06 , C30B33/00 , H01L23/544 , H01L2223/54453 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , Y10S117/902 , Y10T428/24421 , Y10T428/31645 , H01L2924/00
摘要： La présente invention concerne un procédé de contrôle de l'orientation de structures secondaires (A1, A2) présentant au moins une partie cristalline, lors d'un transfert des structures secondaires depuis une structure dite primaire (A) sur laquelle les structures secondaires présentent une orientation cristalline initiale identique, vers au moins une structure de support (B), comprenant : a) la formation, lorsque les structures secondaires sont solidaires de la structure primaire (A), d'au moins un repère d'orientation (Va, Va1, Va2), le repère présentant une orientation arbitraire par rapport à ladite orientation cristalline initiale mais identique pour chaque structure secondaire, et b) lors du report d'un ensemble de structures secondaires sur la structure de support (B), la disposition des structures secondaires de façon à orienter de façon uniforme leurs repères d'orientation.
摘要翻译：解码方法技术领域本发明涉及一种解码方法用于控制显示至少一个结晶部分的二级结构（A1，A2）的取向，在二级结构从其上存在二级结构的所谓一级结构（A）包括：a）当所述二级结构与所述一级结构（A）形成整体时，所述形成具有至少一个方位角（Va），所述方位角（Va），Va1，Va2），表示一个任意的方向; 所述初始晶体取向对于每个二级结构是相同的，并且b）在将一组二级结构转移到所述支撑结构（B）上的过程中，所述二级结构的布置; 定向他们的方向曲目。

49. 发明申请

WO2002084722A3 SUBSTRAT DEMONTABLE A TENUE MECANIQUE CONTROLEE ET PROCEDE DE REALISATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2002084722A3
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/FR2002/001268
申请日：2002-04-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , RAYSSAC, Olivier , GHYSELEN, Bruno
发明人： ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , RAYSSAC, Olivier , GHYSELEN, Bruno
IPC分类号： H01L21/20
摘要： Procédé de préparation d'un substrat démontable, comportant une étape de réalisation d'une interface par collage par adhésion moléculaire d'une face d'une couche sur une face d'un substrat , dans lequel est prévu, avant collage, une étape de traitement de l'une au moins de ces faces propre à mettre la tenue mécanique de l'interface à un niveau contrôlé compatible avec un démontage ultérieur.

50. 发明申请

WO2002084722A2 SUBSTRAT DEMONTABLE A TENUE MECANIQUE CONTROLEE ET PROCEDE DE REALISATION 审中-公开
标题翻译：具有受控机械保持的可拆卸基板及其制造方法
公开(公告)号：WO2002084722A2
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/FR2002/001268
申请日：2002-04-11
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , RAYSSAC, Olivier , GHYSELEN, Bruno
发明人： ASPAR, Bernard , MORICEAU, Hubert , RAYSSAC, Olivier , GHYSELEN, Bruno
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： B81C99/008 , H01L21/76254 , Y10S438/958
摘要： Procédé de préparation d'un substrat démontable, comportant une étape de réalisation d'une interface par collage par adhésion moléculaire d'une face d'une couche sur une face d'un substrat , dans lequel est prévu, avant collage, une étape de traitement de l'une au moins de ces faces propre à mettre la tenue mécanique de l'interface à un niveau contrôlé compatible avec un démontage ultérieur.
摘要翻译：本发明涉及一种可拆卸基板的制造方法，其特征在于，包括：通过使用分子粘合固定在基板的一个面上的一个面固定界面的方法制造界面的方法，提供了用于至少一个所述面部的处理台，使得在该受控水平处的界面处的机械保持与随后的分离兼容。

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