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11. 发明申请

WO2012130499A1 HALBLEITERCHIP, DISPLAY MIT EINER MEHRZAHL VON HALBLEITERCHIPS UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：半导体芯片中，随着对半导体芯片的数字和方法施展
公开(公告)号：WO2012130499A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/EP2012/051446
申请日：2012-01-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM, Norwin , LINKOV, Alexander , LINDER, Norbert
发明人： VON MALM, Norwin , LINKOV, Alexander , LINDER, Norbert
IPC分类号： H01L33/46 , H01L27/15 , H01L33/10 , H01L33/40 , H01L33/58 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/10 , H01L27/156 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/50 , H01L33/58 , H01L33/60
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) angegeben, der einen Halbleiterkörper (6) aus Halbleitermaterial, eine dem Halbleiterkörper in Abstrahlrichtung nachgeordnete Auskoppelfläche (9) und eine Spiegelschicht (1) aufweist. Der Abstand zwischen aktiver Schicht (2) und Spiegelschicht (1) ist derart eingestellt, dass eine von der aktiven Schicht (2) in Richtung der Auskoppelfläche (9) emittierte Strahlung mit einer an der Spiegelschicht (1) reflektierten Strahlung so interferiert, dass der Halbleiterchip (100) eine Abstrahlcharakteristik der emittierten Strahlung mit einer Vorzugsrichtung in Vorwärtsrichtung aufweist. Weiter wird ein Display (1000) mit einer Mehrzahl von derartigen Halbleiterchips (100) angegeben. Weiter werden Verfahren zu deren Herstellung angegeben.
摘要翻译：提供了一种光电子半导体芯片（100）包括半导体材料的半导体本体（6），在辐射耦合输出区域（9）下游的半导体主体和反射镜层（1）。活性层（2）和镜面层（1）之间的距离被设定为使得所述有源层中的一个（2）辐射朝向输出表面发射（9），其具有在反射镜层（1）反射的辐射，从而干扰该半导体芯片（100）具有所发射的辐射与在向前方向上的优选方向的辐射图案。此外，具有多个这样的半导体芯片（100）的显示（1000）中指定的。下一步程序及其制备规定。

12. 发明申请

WO2012062635A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片和方法及其
公开(公告)号：WO2012062635A1
公开(公告)日：2012-05-18
申请号：PCT/EP2011/069247
申请日：2011-11-02
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SABATHIL, Matthias , LINKOV, Alexander , KÖLPER, Christopher , STRASSBURG, Martin , VON MALM, Norwin
发明人： SABATHIL, Matthias , LINKOV, Alexander , KÖLPER, Christopher , STRASSBURG, Martin , VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/50 , H01L33/08 , H01L33/24
CPC分类号： H01L33/02 , B82Y40/00 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/42 , H01L33/501 , H01L33/505 , H01L33/508 , H01L2933/0041 , H01L2933/0083
摘要： Es ist ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, der einen Halbleiterschichtenstapel (2) und eine Konversionsschicht (3) umfasst. Der Halbleiterschichtenstapel (2) weist eine aktive Schicht (2a) zur Strahlungserzeugung auf. Die Konversionsschicht (3) ist auf einer Strahlungsaustrittsseite (21) des Halbleiterschichtenstapels (2) angeordnet, wobei die Konversionsschicht (3) geeignet ist, zumindest einen Teil der von der aktiven Schicht (2a) emittierten Strahlung in Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Die Strahlungsaustrittsseite (21) des Halbleiterschichtenstapels (2) weist eine erste Nanostrukturierung auf, wobei die Konversionsschicht (3) in dieser ersten Nanostrukturierung (4) angeordnet ist. Weiter ist ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen Halbleiterchips (10) angegeben.
摘要翻译：它被指示时，光电子半导体芯片（10），其包括半导体层堆叠（2）和一个转换层（3）。半导体层堆叠（2）具有用于产生辐射的有源层（2a）中。转换层（3）上的半导体层堆叠（2）的辐射出射侧（21），其中所述转换层（3）被适配为将至少发射的活性层（2a）的转换为不同波长的辐射的一部分。半导体层堆叠（2）的辐射出射侧（21）包括第一纳米结构，其中所述转换层（3）被布置在该第一纳米结构化（4）。此外，被指定制造这种半导体芯片（10）的方法。

13. 发明申请

WO2011120775A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2011120775A1
公开(公告)日：2011-10-06
申请号：PCT/EP2011/053638
申请日：2011-03-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM, Norwin
发明人： VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L27/15 , H01L33/38 , H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/44 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/36 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (1), aufweisend einen n-leitenden Bereich (12) und einen p-leitenden Bereich (13), und - einem einzigen n-Kontaktelement (2), über das der n- leitende Bereich (12) durch den p-leitenden Bereich (13) hindurch elektrisch kontaktierbar ist.
摘要翻译：提供了一种光电子半导体芯片，包括： - 一个半导体主体（1），包括n型区域（12）和p型区域（13），以及 - 一个单一的n型接触元件（2）在其上正通过所述p型区域（13）的导电区域（12）可以电接触通过。

14. 发明申请

WO2011039052A1 BELEUCHTUNGSEINRICHTUNG FÜR EINE KAMERA SOWIE VERFAHREN ZUM BETRIEB DERSELBEN 审中-公开
标题翻译：照明装置用于操作该相机和方法
公开(公告)号：WO2011039052A1
公开(公告)日：2011-04-07
申请号：PCT/EP2010/063465
申请日：2010-09-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MOOSBURGER, Jürgen , MORGOTT, Stefan , VON MALM, Norwin , STREPPEL, Ulrich , BRANDL, Michael
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , MORGOTT, Stefan , VON MALM, Norwin , STREPPEL, Ulrich , BRANDL, Michael
IPC分类号： H04N5/225 , H04N5/235 , G03B15/02 , G03B15/05
CPC分类号： G03B15/05 , F21V23/04 , G03B2215/0571 , G03B2215/0592 , H01L25/0753 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H04N5/2256 , H01L2924/00
摘要： Es wird eine Beleuchtungseinrichtung für eine Kamera angegeben. Die Beleuchtungseinrichtung enthält einen Licht emittierenden Halbleiterchip (1), der eine Mehrzahl von einzeln ansteuerbaren Emissionsbereichen (2A, 2B, 2B') enthält. Die Beleuchtungseinrichtung enthält weiter ein optisches Element (15), das dazu ausgebildet ist, von den Emissionsbereichen (2A, 2B, 2B') emittiertes Licht (210, 220) zu einem Strahlenbündel zu formen. Die Beleuchtungseinrichtung (10) ist derart ausgebildet, dass mittels der einzeln ansteuerbaren Emissionsbereiche (2A, 2B, 2B') unterschiedliche Strahlprofile des Strahlenbündels einstellbar sind. Weiterhin werden eine Kamera, ein Betriebsverfahren für die Beleuchtungseinrichtung und ein Betriebsverfahren für die Kamera angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种用于照相机的照明装置。该照明装置包括：具有多个独立可控发光区域的发光半导体芯片（1）（2A，2B，2B“）包含。所述照明装置还包括适合于发射区域（2A，2B，2B“）发出的光（210，220），以形成一个光束的光学元件（15）。该照明装置（10）被设计为使得由单独可控发光区域（2A，2B，2B“）的装置具有光束的不同束轮廓是可调节的。此外，相机，操作所述照明装置的方法和操作方法给出了摄像机。

15. 发明申请

WO2009039833A1 LICHTEMITTIERENDES BAUELEMENT MIT WELLENLÄNGENKONVERTER UND HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：具有波长转换器和方法的发光器件
公开(公告)号：WO2009039833A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001540
申请日：2008-09-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM, Norwin
发明人： VON MALM, Norwin
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： H01L27/322 , H01L51/5036
摘要： Auf die lichtemittierende Oberfläche wird eine Konversionsschicht (5) aufgedampft. Die Konversionsschicht (5) kann ein aufdampfbares Matrixmaterial und ein aufdampfbares Konvertermaterial umfassen, die beide insbesondere niedermolekulare organische Verbindungen umfassen können. Eine Schichtstruktur (3), die die für Strahlungserzeugung vorgesehenen Schichten enthält, kann ebenfalls aus niedermolekularen organischen Verbindungen aufgebaut sein, so dass alle Verbindungen in derselben Aufdampfanlage aufgebracht werden können.
摘要翻译：转换层（5）是汽相淀积在光发射表面上。转换层（5）可包括基质材料和aufdampfbares aufdampfbares转换器材料，其可包括特别是低分子量的有机化合物。其中包含了提供了一种用于放射线产生层的层结构（3）也可以包括低分子量的有机化合物，从而使所有的化合物可以在相同的汽相沉积设备来施加。

16. 发明申请

WO2013045574A1 PHOTOVOLTAISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光伏半导体芯片
公开(公告)号：WO2013045574A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/069124
申请日：2012-09-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM, Norwin , LUGAUER, Hans-Jürgen
发明人： VON MALM, Norwin , LUGAUER, Hans-Jürgen
IPC分类号： H01L27/142 , H01L31/0352 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L31/035272 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/046 , H01L31/0465 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： Es wird ein photovoltaischer Halbleiterchip (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Erzeugung von elektrischer Energie vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist, angegeben. Der aktive Bereich (20) ist zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) eines ersten Leitungstyps und einer zweiten Halbleiterschicht (22) eines vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyps ausgebildet ist. Der Halbleiterkörper (2) ist auf einem Trägerkörper (5) angeordnet. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der dem Trägerkörper (5) abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet. Der Halbleiterkörper (2) weist zumindest eine Ausnehmung (25) auf, die sich vom Trägerkörper (5) durch die zweite Halbleiterschicht (22) hindurch erstreckt. Zumindest bereichsweise zwischen dem Trägerkörper (5) und dem Halbleiterkörper (2) ist eine erste Anschlussstruktur (31) angeordnet, die in der Ausnehmung (25) mit der ersten Halbleiterschicht (21) elektrisch leitend verbunden ist.
摘要翻译：它是包含具有与所提供的用于产生电能的有源区域（20）所表示的半导体层序列的半导体主体（2）的光电半导体芯片（1）。第一导电类型的第一半导体层（21）和从所述第二导电型不同的第一导电类型的第二半导体层（22）之间的有源区（20）形成。该半导体主体（2）被布置在载体上（5）。在第一半导体层（21）是在承载体（5）的面对从所述第二半导体层（22）远侧。该半导体主体（2）具有从承载体的至少一个凹部（25）（5）延伸穿过所述第二半导体层（22）穿过其中。至少在所述载体本体（5）和所述半导体主体之间的区域（2）是布置在所述凹部（25）的第一连接结构（31）与所述第一半导体层（21）被导电地连接。

17. 发明申请

WO2012028509A1 LEUCHTDIODENANORDNUNG MIT EINEM PIEZO-TRANSFORMATOR 审中-公开
标题翻译：有压电变压器LED的配置
公开(公告)号：WO2012028509A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/EP2011/064550
申请日：2011-08-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , RODE, Patrick , VON MALM, Norwin , HÖPPEL, Lutz
发明人： RODE, Patrick , VON MALM, Norwin , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： H01L41/107 , H01L25/16 , F21K99/00
CPC分类号： F21K9/50 , F21K9/60 , F21V7/00 , F21V23/02 , F21V23/023 , F21Y2115/10 , H01L41/107
摘要： Es wird angegeben eine Leuchtdiodenanordnung (1) mit einem rahmenförmigen Piezo-Transformator (2), der zumindest einen ausgangsseitigen Anschluss (50, 51) aufweist, und mit einem Leuchtdiodenmodul (3) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, das innerhalb des rahmenförmigen Piezo-Transformators angeordnet und mittels zumindest eines ausgangsseitigen elektrischen Leiters (5) elektrisch an den ausgangsseitigen Anschlussdes Piezo-Transformators angeschlossen ist, wobei die von dem Leuchtdiodenmodul in Richtung des Piezo-Transformators emittierte Strahlung an diesem reflektiert wird.
摘要翻译：提供了一种灯带框状压电变压器的发光二极管器件（1）（2）具有至少一个输出侧端子（50，51），并与用于产生电磁辐射，所述框状的压电变压器的内部的发光二极管模块（3）被布置，并通过至少一个输出侧的电导体（5），其中，从所述光中的压电变压器的辐射的方向的发光二极管模块发出的光被反射在其上的装置电连接到所述压电变压器的输出侧端子。

18. 发明申请

WO2011154180A2 LEUCHTDIODENANORDNUNG UND LEUCHTMITTEL INSBESONDERE MIT SOLCH EINER LEUCHTDIODENANORDNUNG 审中-公开
标题翻译： LED的配置和灯具尤其是这样的安排LEDS
公开(公告)号：WO2011154180A2
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：PCT/EP2011/055848
申请日：2011-04-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , VON MALM, Norwin , MAIWALD, Hubert , KRAUS, Robert , RODE, Patrick , WIRTH, Ralph
发明人： VON MALM, Norwin , MAIWALD, Hubert , KRAUS, Robert , RODE, Patrick , WIRTH, Ralph
IPC分类号： H05B41/392 , H05B33/08
CPC分类号： H05B37/00 , F21K9/232 , F21K9/233 , F21V3/00 , F21V23/026 , F21V29/70 , F21V29/74 , F21V29/89 , F21Y2101/00 , F21Y2105/10 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L33/08 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L41/044 , H01L41/107 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H05B33/0806 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Es wird eine Leuchtdiodenanordnung angegeben, mit einem Piezo-Transformator (1), der zumindest eine ausgangseitige Anschlussstelle (11) aufweist, und einer Hochvolt-Leuchtdiode (2), die einen Hochvolt- Leuchtdiodenchip (21) umfasst, wobei die Hochvolt-Leuchtdiode (2) elektrisch an die ausgangseitige Anschlussstelle (11) des Piezo-Transformators (1) angeschlossen ist und der Hochvolt-Leuchtdiodenchip (21) zumindest zwei aktive Bereiche umfasst, die zueinander in Reihe geschaltet sind.
摘要翻译：提供了一种发光二极管布置，具有压电变压器（1）具有至少一个输出侧连接点（11），和高电压的发光二极管（2），包括一个高电压的发光二极管芯片（21），其特征在于，所述高电压发光二极管（ 2）电（输出侧连接的压电变压器（1）的点11）连接和高电压的发光二极管芯片（21）包括被相互串联连接的至少两个活性区域。

19. 发明申请

WO2011101257A1 LEUCHTMITTEL SOWIE VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：灯具及制法
公开(公告)号：WO2011101257A1
公开(公告)日：2011-08-25
申请号：PCT/EP2011/051541
申请日：2011-02-03
申请人： OSRAM GESELLSCHAFT MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG , PREUSCHL, Thomas , HOLZAPFEL, Gerhard , ENGL, Moritz , VON MALM, Norwin , MOOSBURGER, Jürgen , HÖPPEL, Lutz
发明人： PREUSCHL, Thomas , HOLZAPFEL, Gerhard , ENGL, Moritz , VON MALM, Norwin , MOOSBURGER, Jürgen , HÖPPEL, Lutz
IPC分类号： F21K99/00 , H01L25/075
CPC分类号： F21K9/232 , F21K9/233 , F21V3/061 , F21V3/062 , F21V3/10 , F21Y2115/10 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014
摘要： Ein Leuchtmittel (2), insbesondere für Licht im sichtbaren Wellenlängenbereich, umfasst wenigstens ein Halbleiterelement (14, 14a, 14b), insbesondere eine LED, als Lichtquelle; ein Trägersubstrat (12), auf welchem das wenigstens eine Halbleiterelement (14, 14a, 14b) angeordnet ist; wenigstens einen Sockel (4), der das Leuchtmittel (2) in einer korrespondierenden Fassung hält und mit dieser elektrisch kontaktiert; und ein Gehäuse (6), welches am Sockel (4) festgelegt ist, das Trägersubstrat (12) einhaust und wenigstens eine lichtdurchlässige Öffnung aufweist, durch welche von dem Halbleiterelement emittiertes Licht austritt. Das Halbleiterelement (14, 14a, 14b) ist ein ungehäuster Halbleiterchip, welcher mit dem Trägersubstrat (12) durch Direktverbindungsmittel mechanisch und/oder elektrisch verbunden ist. Ein derartiges Leuchtmittel ist preiswerter herstellbar als ein vergleichbares Leuchtmittel, das mit fertig konfektionierten Halbleiterelementen bestückt ist.
摘要翻译：一种照明装置（2），特别是用于在包括至少一个半导体元件的可见光波长范围的光（14，14A，14B），特别是LED，作为光源; 载体基板（12），在其上的至少一个半导体元件（14，14A，14B）; 至少一个基座（4）保持在相应的插座灯泡（2）和与该电接触; 和壳体（6），其被固定到所述基部（4），包围所述支撑基板（12）和至少一个光透射开口离开从半导体元件发出的光通过其的光。半导体元件（14，14A，14B）是一个封装的半导体芯片，其连接到通过直接连接在载体衬底（12）机械地和/或电气装置。这种灯是便宜产生比类似的灯，其配备有预组装的半导体元件。

20. 发明申请

WO2010060404A1 STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：发射辐射的半导体芯片
公开(公告)号：WO2010060404A1
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：PCT/DE2009/001524
申请日：2009-10-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , ENGL, Karl
发明人： MOOSBURGER, Jürgen , VON MALM, Norwin , RODE, Patrick , HÖPPEL, Lutz , ENGL, Karl
IPC分类号： H01L25/16 , H01L27/15 , H01L33/38 , H01L33/08
CPC分类号： H01L27/15 , H01L25/167 , H01L33/005 , H01L33/02 , H01L33/08 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Träger (5) und einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist. In dem Halbleiterkörper (2) mit der Halbleiterschichtenfolge ist ein Emissionsbereich (23) und ein Schutzdiodenbereich (24) gebildet. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) der zwischen einer ersten Halbleiterschicht (21) und einer zweiten Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. Die erste Halbleiterschicht (21) ist auf der dem Träger (5) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (20) angeordnet. Der Emissionsbereich (23) weist eine Ausnehmung (25) auf, die sich durch den aktiven Bereich hindurch erstreckt. Die erste Halbleiterschicht (21) ist im Emissionsbereich (23) elektrisch leitend mit einer ersten Anschlussschicht (31) verbunden, wobei sich die erste Anschlussschicht in der Ausnehmung (25) von der ersten Halbleiterschicht (21) in Richtung des Trägers (5) erstreckt. Die erste Anschlussschicht im Schutzdiodenbereich (24) ist mit der zweiten Halbleiterschicht (22) elektrisch leitend verbunden. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有一个支撑件（5）和（2），其具有半导体层序列的半导体主体中的发射辐射的半导体芯片（1）。在半导体主体（2）与该半导体层序列，发射区域（23）和一个保护二极管区（24）形成。半导体层序列包括打算用于第一半导体层（21）和被布置在第二半导体层（22）之间产生辐射激活区（20）。在第一半导体层（21）是在（5）的面对从有源区域（20）离开侧上的支撑。发射区域（23）具有延伸穿过所述活性区域穿过其的凹部（25）。在发射区（23）中的第一半导体层（21）被导电地连接到第一连接层（31），其中，从在所述载体（5）的方向上的第一半导体层（21）延伸在所述凹部（25）的第一连接层。在保护二极管区（24）的第一连接层连接到导电连接在第二半导体层（22）。此外，被指定用于制造发射辐射的半导体芯片的方法。

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