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    • 102. 发明专利
    • 經改良的含羥基乙烯醚聚合物之製造方法
    • 经改良的含羟基乙烯醚聚合物之制造方法
    • TW201706317A
    • 2017-02-16
    • TW105121012
    • 2016-07-01
    • 丸善石油化學股份有限公司MARUZEN PETROCHEMICAL CO., LTD.
    • 杉原伸治SUGIHARA, SHINJI吉田憲弘YOSHIDA, NORIHIRO
    • C08F16/26C07C245/04
    • C08F16/26C08F4/04C08K3/18C08L29/10C09D11/00C09D129/10C09J129/10
    • 一種簡便且有效率的含羥基乙烯醚聚合物之製造方法,其藉由減少聚合起始劑之使用量之同時,使單體轉化率提升、且抑制聚縮醛之生成,而無需去除殘留單體或起始劑殘渣等的低沸點雜質、或聚縮醛等的步驟。 藉由本發明之含羥基乙烯醚聚合物之製造方法,其包含下述步驟:在作為聚合溶劑之水及作為聚合起始劑之下述式(1)所表示之偶氮系化合物之存在下,將由下述式(2)所表示之具有羥基之乙烯醚所選出之至少1種的乙烯醚進行自由基聚合之步驟, (式中,R1~R4係分別獨立表示氫原子或烷基,R5及R6係分別獨立表示可具有取代基之烷氧基或可具有取代基之烷基胺基) (式中,R7係表示包含直鏈狀、支鏈狀或脂環構造之伸烷基,p係1、2或3)。
    • 一种简便且有效率的含羟基乙烯醚聚合物之制造方法,其借由减少聚合起始剂之使用量之同时,使单体转化率提升、且抑制聚缩醛之生成,而无需去除残留单体或起始剂残渣等的低沸点杂质、或聚缩醛等的步骤。 借由本发明之含羟基乙烯醚聚合物之制造方法,其包含下述步骤:在作为聚合溶剂之水及作为聚合起始剂之下述式(1)所表示之偶氮系化合物之存在下,将由下述式(2)所表示之具有羟基之乙烯醚所选出之至少1种的乙烯醚进行自由基聚合之步骤, (式中,R1~R4系分别独立表示氢原子或烷基,R5及R6系分别独立表示可具有取代基之烷氧基或可具有取代基之烷基胺基) (式中,R7系表示包含直链状、支链状或脂环构造之伸烷基,p系1、2或3)。
    • 106. 发明专利
    • 光微影術用樹脂之精製方法
    • 光微影术用树脂之精制方法
    • TW201425363A
    • 2014-07-01
    • TW102141265
    • 2013-11-13
    • 丸善石油化學股份有限公司MARUZEN PETROCHEMICAL CO., LTD.
    • 及川知OIKAWA, TOMO
    • C08F6/12G03F7/26
    • C08F220/10C08F6/28C08F232/08
    • 本發明之課題在於提供一種光微影術用樹脂之精製方法,其可更有效地去除:在光微影術中成為導致光阻圖型的顯影缺陷或光微影術用樹脂的保存穩定性降低之要因之光微影術用樹脂中所含有之未反應單體或聚合起始劑等之低分子量雜質。本發明之解決手段如下:本發明之光微影術用樹脂之精製方法,其特徵為包含:操作(a):將使樹脂分散於含有良溶劑與不良溶劑之溶液中之漿液予以攪拌之操作;接著操作(b):將不良溶劑追加於該漿液以降低良溶劑相對於不良溶劑之比率後,使樹脂與溶液分離之操作。
    • 本发明之课题在于提供一种光微影术用树脂之精制方法,其可更有效地去除:在光微影术中成为导致光阻图型的显影缺陷或光微影术用树脂的保存稳定性降低之要因之光微影术用树脂中所含有之未反应单体或聚合起始剂等之低分子量杂质。本发明之解决手段如下:本发明之光微影术用树脂之精制方法,其特征为包含:操作(a):将使树脂分散于含有良溶剂与不良溶剂之溶液中之浆液予以搅拌之操作;接着操作(b):将不良溶剂追加于该浆液以降低良溶剂相对于不良溶剂之比率后,使树脂与溶液分离之操作。
    • 109. 发明专利
    • 半導體微影用共聚物及其製造方法
    • 半导体微影用共聚物及其制造方法
    • TW200837495A
    • 2008-09-16
    • TW096146554
    • 2007-12-06
    • 丸善石油化學股份有限公司 MARUZEN PETROCHEMICAL CO., LTD.
    • 山岸孝則 YAMAGISHI, TAKANORI工藤昌章 KUDO, MASAAKI山口賢志 YAMAGUCHI, SATOSHI
    • G03FC08F
    • C08F2/06C08F12/24C08F212/14C08F220/14C08F220/18C08F220/28C08F220/32G03F7/0397
    • 本發明提供一種半導體微影用共聚物及以工業規模穩定製造該共聚物之方法,該共聚物係用於形成半導體微影中使用之光阻膜或於光阻膜之上層或下層形成之抗反射膜、間隙填充膜、面塗膜等薄膜者,其對薄膜形成用組合物溶液之溶解性優異,難以產生微凝膠等微粒子,難以產生圖案缺陷。一種半導體微影用共聚物及其製造法,該共聚物之特徵在於:其係包含選自含羥基之重複單元(A)、具有抑制對鹼性顯影液之溶解且以於酸之作用下解離之基保護羥基之結構的重複單元(B)、具有內酯結構之重複單元(C)及具有環狀醚結構之重複單元(D)中之至少1種以上之重複單元者,使包含該共聚物且黏度為15 mPa.sec之丙二醇單甲醚乙酸酯溶液,於壓力差為0.1 MPa且細孔徑為0.03 ���m之過濾器中通液60分鐘時,該過濾器單位面積之平均流速為200 g/min/m^2以上。
    • 本发明提供一种半导体微影用共聚物及以工业规模稳定制造该共聚物之方法,该共聚物系用于形成半导体微影中使用之光阻膜或于光阻膜之上层或下层形成之抗反射膜、间隙填充膜、面涂膜等薄膜者,其对薄膜形成用组合物溶液之溶解性优异,难以产生微凝胶等微粒子,难以产生图案缺陷。一种半导体微影用共聚物及其制造法,该共聚物之特征在于:其系包含选自含羟基之重复单元(A)、具有抑制对碱性显影液之溶解且以于酸之作用下解离之基保护羟基之结构的重复单元(B)、具有内酯结构之重复单元(C)及具有环状醚结构之重复单元(D)中之至少1种以上之重复单元者,使包含该共聚物且黏度为15 mPa.sec之丙二醇单甲醚乙酸酯溶液,于压力差为0.1 MPa且细孔径为0.03 ���m之过滤器中通液60分钟时,该过滤器单位面积之平均流速为200 g/min/m^2以上。
    • 110. 发明专利
    • 正型感光性樹脂,其製造方法以及含有此正型感光樹脂之光阻組成物 POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN, PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF, AND RESIST COMPOSITION CONTAINING POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN
    • 正型感光性树脂,其制造方法以及含有此正型感光树脂之光阻组成物 POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN, PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF, AND RESIST COMPOSITION CONTAINING POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN
    • TW200641537A
    • 2006-12-01
    • TW095107757
    • 2006-03-08
    • 丸善石油化學股份有限公司 MARUZEN PETROCHEMICAL CO., LTD.
    • 青木聖 HIJIRI AOKI三田孝仁 TAKAHITO MITA
    • G03F
    • G03F7/0392G03F7/0397
    • 〔課題〕提供一種使用於半導體製造之細微圖案形成、較佳是使用於比習知產品更佳之高感度半導體微影中的正型感光性樹脂及含有此正型感光樹脂之光阻組成物。〔解決手段〕本發明之正型感光性樹脂係因酸作用而解離出酸不穩定保護基,且增大對鹼顯影液之溶解度,前述樹脂之高分子主鏈具有如一般式(1)所示結構。095107757-p01.bmp(式中,X1及X2係表示相互獨立、相同或相異、碳數為1至30之直鏈或分枝的碳氫基、脂環式碳氫基、芳香族碳氫基或雜環基,其中置換基係以碳數為1至6之直鏈或分枝的碳氫基或–O–碳氫基置換,Y1及Y2係表示相互獨立、相同或相異、具有氫原子、碳數為1至6之直鏈或分枝的碳氫基、含硫碳氫基等置換基的芳香族碳氫基,又Z係表示相同或相異、氧原子或硫原子)095107757-p01.bmp
    • 〔课题〕提供一种使用于半导体制造之细微图案形成、较佳是使用于比习知产品更佳之高感度半导体微影中的正型感光性树脂及含有此正型感光树脂之光阻组成物。〔解决手段〕本发明之正型感光性树脂系因酸作用而解离出酸不稳定保护基,且增大对碱显影液之溶解度,前述树脂之高分子主链具有如一般式(1)所示结构。095107757-p01.bmp(式中,X1及X2系表示相互独立、相同或相异、碳数为1至30之直链或分枝的碳氢基、脂环式碳氢基、芳香族碳氢基或杂环基,其中置换基系以碳数为1至6之直链或分枝的碳氢基或–O–碳氢基置换,Y1及Y2系表示相互独立、相同或相异、具有氢原子、碳数为1至6之直链或分枝的碳氢基、含硫碳氢基等置换基的芳香族碳氢基,又Z系表示相同或相异、氧原子或硫原子)095107757-p01.bmp