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1. 发明专利

TW200838878A 半導體微影用聚合物之製造方法审中-公开
简体标题：半导体微影用聚合物之制造方法
公开(公告)号：TW200838878A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW096149582
申请日：2007-12-21
申请人：丸善石油化學股份有限公司 MARUZEN PETROCHEMICAL CO., LTD.
发明人：山岸孝則 YAMAGISHI, TAKANORI , 加藤一郎 KATO, ICHIRO , 山口賢志 YAMAGUCHI, SATOSHI , 大崎功三 OSAKI, KOUZO , 柴田康夫 SHIBATA, YASUO , 間柄勳 MAGARA, ISAO , 大森秀樹 OMORI, HIDEKI , 井內謙輔 IUCHI, KENSUKE
IPC分类号： C08F , G03F
CPC分类号： C08F2/00 , C08F2/01 , C08F224/00 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041
摘要：本發明提供一種可極力縮小聚合物之生產批次間之差別的半導體微影用聚合物之製造方法。一種半導體微影用聚合物之製造方法,其特徵在於:其係包含將聚合性單體與聚合起始劑於溶劑中加熱而聚合之步驟(P),且於步驟(P)中,藉由調節設置於自聚合槽通向大氣之間具有可液封之結構的容器(W0)內之液面水位,而調節步驟(P)之聚合壓力。
简体摘要：本发明提供一种可极力缩小聚合物之生产批次间之差别的半导体微影用聚合物之制造方法。一种半导体微影用聚合物之制造方法,其特征在于:其系包含将聚合性单体与聚合起始剂于溶剂中加热而聚合之步骤(P),且于步骤(P)中,借由调节设置于自聚合槽通向大气之间具有可液封之结构的容器(W0)内之液面水位,而调节步骤(P)之聚合压力。

2. 发明专利

TW200831546A 濕浸式微影用共聚物及組合物审中-公开
简体标题：湿浸式微影用共聚物及组合物
公开(公告)号：TW200831546A
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW096141736
申请日：2007-11-05
申请人：丸善石油化學股份有限公司 MARUZEN PETROCHEMICAL CO., LTD.
发明人：山岸孝則 YAMAGISHI, TAKANORI , 及川知 OIKAWA, TOMO , 岡田剛宜 OKADA, TAKAYOSHI
IPC分类号： C08F , G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F220/18 , C08F220/28 , G03F7/2041 , Y10S430/111 , Y10S430/115
摘要：本發明提供一種賦予適於濕浸式微影之表面特性的共聚物、以及含有該共聚物之組合物,可抑制浮水印等圖案缺陷、或因輻射敏感型酸產生劑等添加物溶析引起之靈敏度或圖案形狀異常等。本發明之濕浸式微影用共聚物之特徵在於,其係至少含有因酸之作用而使保護基解離產生鹼溶性基之重複單元(A)、以及具有內酯結構之重複單元(B)的共聚物,且對該共聚物之丙二醇單甲醚乙酸酯(以下亦稱作「PGMEA」)溶液塗佈於晶圓上後加熱形成之薄膜,滴加純水15��l,水滴開始移動時晶圓之傾角為35�以下,或者水滴開始移動時水滴最上部之接觸角為64�以上。
简体摘要：本发明提供一种赋予适于湿浸式微影之表面特性的共聚物、以及含有该共聚物之组合物,可抑制浮水印等图案缺陷、或因辐射敏感型酸产生剂等添加物溶析引起之灵敏度或图案形状异常等。本发明之湿浸式微影用共聚物之特征在于,其系至少含有因酸之作用而使保护基解离产生碱溶性基之重复单元(A)、以及具有内酯结构之重复单元(B)的共聚物,且对该共聚物之丙二醇单甲醚乙酸酯(以下亦称作“PGMEA”)溶液涂布于晶圆上后加热形成之薄膜,滴加纯水15��l,水滴开始移动时晶圆之倾角为35�以下,或者水滴开始移动时水滴最上部之接触角为64�以上。

3. 发明专利

TW200837495A 半導體微影用共聚物及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体微影用共聚物及其制造方法
公开(公告)号：TW200837495A
公开(公告)日：2008-09-16
申请号：TW096146554
申请日：2007-12-06
申请人：丸善石油化學股份有限公司 MARUZEN PETROCHEMICAL CO., LTD.
发明人：山岸孝則 YAMAGISHI, TAKANORI , 工藤昌章 KUDO, MASAAKI , 山口賢志 YAMAGUCHI, SATOSHI
IPC分类号： G03F , C08F
CPC分类号： C08F2/06 , C08F12/24 , C08F212/14 , C08F220/14 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/32 , G03F7/0397
摘要：本發明提供一種半導體微影用共聚物及以工業規模穩定製造該共聚物之方法,該共聚物係用於形成半導體微影中使用之光阻膜或於光阻膜之上層或下層形成之抗反射膜、間隙填充膜、面塗膜等薄膜者,其對薄膜形成用組合物溶液之溶解性優異,難以產生微凝膠等微粒子,難以產生圖案缺陷。一種半導體微影用共聚物及其製造法,該共聚物之特徵在於:其係包含選自含羥基之重複單元(A)、具有抑制對鹼性顯影液之溶解且以於酸之作用下解離之基保護羥基之結構的重複單元(B)、具有內酯結構之重複單元(C)及具有環狀醚結構之重複單元(D)中之至少1種以上之重複單元者,使包含該共聚物且黏度為15 mPa.sec之丙二醇單甲醚乙酸酯溶液,於壓力差為0.1 MPa且細孔徑為0.03 ��m之過濾器中通液60分鐘時,該過濾器單位面積之平均流速為200 g/min/m^2以上。
简体摘要：本发明提供一种半导体微影用共聚物及以工业规模稳定制造该共聚物之方法,该共聚物系用于形成半导体微影中使用之光阻膜或于光阻膜之上层或下层形成之抗反射膜、间隙填充膜、面涂膜等薄膜者,其对薄膜形成用组合物溶液之溶解性优异,难以产生微凝胶等微粒子,难以产生图案缺陷。一种半导体微影用共聚物及其制造法,该共聚物之特征在于:其系包含选自含羟基之重复单元(A)、具有抑制对碱性显影液之溶解且以于酸之作用下解离之基保护羟基之结构的重复单元(B)、具有内酯结构之重复单元(C)及具有环状醚结构之重复单元(D)中之至少1种以上之重复单元者,使包含该共聚物且黏度为15 mPa.sec之丙二醇单甲醚乙酸酯溶液,于压力差为0.1 MPa且细孔径为0.03 ��m之过滤器中通液60分钟时,该过滤器单位面积之平均流速为200 g/min/m^2以上。

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