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1. 发明申请

WO2022149346A1 基板処理装置および基板処理方法审中-公开
公开(公告)号：WO2022149346A1
公开(公告)日：2022-07-14
申请号：PCT/JP2021/041139
申请日：2021-11-09
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：大田　浩平 , ▲高▼田　暢行
IPC分类号： B24B37/00 , B24B37/12 , H01L21/304
摘要：基板の被研磨面が傷つくのを抑制し、かつ、研磨レートを向上させる。　基板処理装置は、基板ＷＦを支持するためのテーブル１００と、テーブル１００に支持された基板ＷＦを研磨するための研磨パッド２２２を保持するためのパッドホルダ２２６と、パッドホルダ２２６の周囲に研磨液を供給するためのノズル２２８と、パッドホルダ２２６を回転させるためのパッド回転機構と、を含み、パッドホルダ２２６は、研磨パッド２２２を保持する保持面２２１－２ｃの中央部に形成された排出穴２２１－２ａと、排出穴２２１－２ａからパッドホルダ２２６の外部に連通する排出路２２１－２ｂと、を有する。

2. 发明申请

WO2022098527A1 HORIZONTAL BUFFING MODULE 审中-公开
公开(公告)号：WO2022098527A1
公开(公告)日：2022-05-12
申请号：PCT/US2021/056410
申请日：2021-10-25
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： GOLUBOVSKY, Edward , SAKATA, Clinton , RANGARAJAN, Jagan , MIKHAYLICHENKO, Ekaterina , ZUNIGA, Steven M.
IPC分类号： B24B37/20 , B24B37/12 , B24B53/017 , B24B37/30 , H01L21/67
摘要： A horizontal pre-clean (HPC) module for a chemical mechanical polishing (CMP) processing system is disclosed. The HPC module includes a chamber having a basin and a lid which collectively define a processing area. The module includes a rotatable vacuum table disposed in the processing area, the rotatable vacuum table including an array of channels defined in a supporting surface thereof. The module includes a pad conditioning station disposed proximate to the rotatable vacuum table. The module includes a pad carrier positioning arm coupled to a pad carrier assembly. The module includes an actuator coupled to the pad carrier positioning arm and configured to position the pad carrier assembly between a first position over the rotatable vacuum table and a second position over the pad conditioning station.

3. 发明申请

WO2021235050A1 両面研磨装置の研磨パッド貼り付け方法审中-公开
公开(公告)号：WO2021235050A1
公开(公告)日：2021-11-25
申请号：PCT/JP2021/009442
申请日：2021-03-10
申请人：信越半導体株式会社
发明人：久富　渉生 , 佐々木　拓也
IPC分类号： B24B37/12 , B24B37/20 , H01L21/304
摘要：本発明は、下定盤上に下定盤用研磨パッドを貼り付け後、下定盤の半径方向の中心部を通るようにリング状仮貼り用板を研磨パッド上に載置し、仮貼り用板上に上定盤用研磨パッドを貼り付け面を上定盤と対向配置し両面研磨機へ荷重を掛けて仮貼り用板を上下定盤で挟み込み仮貼り用板部分のみ圧着し、上定盤用研磨パッド及び下定盤用研磨パッドの半径方向中心部分にリング状貼り付け部を形成した後、仮貼り用板を取り外し、研磨パッド貼り付け装置の圧着部を貼り付け部に配置して上下定盤で挟み込み、圧着部を上下同時に貼り付け部から半径方向に動かすことで、上定盤と上定盤用研磨パッド間及び下定盤と下定盤用研磨パッド間のエアーを抜きながら上定盤用研磨パッド及び下定盤用研磨パッドをそれぞれ上下定盤に圧着する両面研磨装置の研磨パッド貼り付け方法である。これにより、エアー抜きと圧着を同時に行い正確な貼り付けが可能な両面研磨装置の研磨パッド貼り付け方法を提供する。

4. 发明申请

WO2018136694A1 A THIN PLASTIC POLISHING ARTICLE FOR CMP APPLICATIONS 审中-公开
公开(公告)号：WO2018136694A1
公开(公告)日：2018-07-26
申请号：PCT/US2018/014344
申请日：2018-01-19
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： TOLLES, Robert D. , MENK, Gregory E. , DAVEY, Eric , WANG, You , TRAN, Huyen Karen , REDEKER, Fred C. , KAKIREDDY, Veera Raghava Reddy , MIKHAYLICHENKO, Ekaterina , GURUSAMY, Jay
IPC分类号： B24B21/06 , B24B21/12 , B24B37/12 , B24B37/26 , B24D11/00
摘要： A method and apparatus for polishing a substrate that includes a polishing article comprising a polymeric sheet having a raised surface texture, which is formed on the surface of the polymeric sheet is provided. According to one or more implementations of the present disclosure, an advanced polishing article has been developed, which does not require abrasive pad conditioning. In some implementations of the present disclosure, the advanced polishing article comprises a polymeric sheet having a polishing surface with a raised surface texture or "micro-features" and/or a plurality of grooves or "macro-features" formed in the polishing surface. In some implementations, the raised surface texture is embossed, etched, machined or otherwise formed in the polishing surface prior to installing and using the advanced polishing article in a polishing system. In one implementation, the raised features have a height within one order of magnitude of the features removed from the substrate during polishing.

5. 发明申请

WO2018012097A1 両面研磨装置审中-公开
标题翻译：双面抛光机
公开(公告)号：WO2018012097A1
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：PCT/JP2017/017855
申请日：2017-05-11
申请人：株式会社SUMCO
发明人：江▲崎▼　圭佑
IPC分类号： B24B37/12 , B24B37/08 , H01L21/304
摘要：上定盤（１２）と下定盤（１３）の各内周部に、上定盤（１２）の内周部に向かって上定盤（１２）の研磨面が上方へ傾斜する内周側切落し部（Ｘ 1 ）と下定盤の内周部に向かって下定盤の研磨面が下方へ傾斜する内周側切落し部（Ｙ 1 ）がそれぞれ形成されるか、上定盤（１２）と下定盤（１３）の各外周部に、上定盤（１２）の外周部に向かって上定盤（１２）の研磨面が上方へ傾斜する外周側切落し部（Ｘ 2 ）と下定盤の外周部に向かって下定盤の研磨面が下方へ傾斜する外周側切落し部（Ｙ 2 ）がそれぞれ形成されるか、或いはこれらの全てが形成される。
摘要翻译：的各内周部被
上表面板（12）和下表面板（13），所述上压板（12）朝向上表面板的内周部的研磨面（12）内周切断部向上倾斜（X <子> 1 ）和内周侧切断部分抛光所述下板的表面向下倾斜朝向下压板的内周部（Y < 在所述上压板12和所述下压板13的外周分别朝向所述上压板12的外周形成所述下压板13和所述下压板13，）和向下倾斜的外侧切口部（X 2），下侧压板的研磨面朝向下侧压板的外周部向下方倾斜 Y 2）分别形成，或者全部形成。

6. 发明申请

WO2015163256A1 炭化ケイ素基板の研磨方法审中-公开
标题翻译：抛光碳化硅基板的方法
公开(公告)号：WO2015163256A1
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：PCT/JP2015/061868
申请日：2015-04-17
申请人：株式会社フジミインコーポレーテッド , 株式会社デンソー , 昭和電工株式会社
发明人：河田　研治 , 加藤　智久 , 栗田　恒雄 , 三宅　晃司 , 堀田　和利 , 長屋　正武 , 貴堂　高徳
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , B24B37/12 , C25F3/30
CPC分类号： B24B37/00 , B24B37/12 , C25F3/30 , H01L21/304
摘要：　本発明は、高い研磨速度で炭化ケイ素基板を研磨することができ、かつ研磨後の炭化ケイ素基板表面の歪みを低減することができる炭化ケイ素基板の研磨方法を提供することを目的とする。　本発明は、炭化ケイ素基板の研磨する面をギャップ形成材、砥粒、および電解質を含む電解液を挟んで導電性定盤に対向配置し、前記炭化ケイ素基板の表面を陽極とし、前記導電性定盤を陰極として、前記炭化ケイ素基板の研磨する面の少なくとも一部を前記電解液に接触させながら電解研磨する、炭化ケイ素基板の研磨方法である。
摘要翻译：本发明的目的是提供一种用于抛光碳化硅衬底的方法，该方法允许高速抛光碳化硅衬底并使抛光的碳化硅衬底表面翘曲最小化。本发明是一种用于研磨碳化硅基板的方法，其中将待抛光的碳化硅基板的表面设置成与包含间隙形成材料的电解质溶液相对的导电性表面板，磨粒和介于其间的电解质。待研磨的碳化硅衬底的表面的至少一部分与电解质溶液，作为正极的碳化硅衬底的表面和作为负极的导电性表面板接触地进行电解抛光。

7. 发明申请

WO2014119598A1 研磨装置、研磨パッド貼り付け方法、及び研磨パッド張り替え方法审中-公开
标题翻译：抛光装置，用于涂敷抛光垫的方法以及替代抛光垫的方法
公开(公告)号：WO2014119598A1
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：PCT/JP2014/051905
申请日：2014-01-29
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：小菅　隆一 , 曽根　忠一 , 磯部　壮一 , 櫻井　武史 , 平井　英治 , 濱浦　薫 , 小倉　大
IPC分类号： B24B37/20 , B24B37/12 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/20
摘要：　研磨パッドの貼り替え作業を容易に行い、かつ、研磨テーブルに熱ダメージが発生するのを抑制する。　研磨装置１００は、基板１０２を研磨するための研磨パッド１０８が貼り付けられる貼り付け面１１０ａを有する研磨テーブル１１０を備える。また、研磨装置１００は、研磨テーブル１１０の貼り付け面１１０ａ上に設けられ、研磨テーブル１１０と研磨パッド１０８との間に介在するシリコーン層１１１を備える。シリコーン層１１１を介在させることによって、研磨パッド１０８を容易に剥離・貼り付けすることができる。また、シリコーン層１１１を研磨テーブル１１０へコーティングする熱処理は比較的低い温度で行われるので、熱処理に起因して研磨テーブル１１０に熱ダメージが発生するのを抑制することができる。
摘要翻译：本发明有利于抛光垫的更换并且抑制抛光台遭受热损伤。该抛光装置（100）配备有具有接收表面（110a）的抛光台（110），用于抛光衬底（102）的抛光垫（108）向其施加。抛光装置（100）还配备有形成在研磨台（110）的接收表面（110a）上并插入在抛光台（110）和抛光垫（108）之间的硅树脂层（111）。通过插入硅氧烷层（111），可以容易地将抛光垫（108）剥离。由于将硅氧烷层（111）施加到研磨台（110）通过在较低温度下的热处理进行，所以可以抑制抛光台（110）遭受由热处理引起的热损伤。

8. 发明申请

WO2023024190A1 一种研磨盘及基板清洁装置审中-公开
公开(公告)号：WO2023024190A1
公开(公告)日：2023-03-02
申请号：PCT/CN2021/118207
申请日：2021-09-14
申请人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
发明人：马泽浩 , 沈海洋
IPC分类号： B24B37/11 , B24B37/12 , B24B37/14 , B24B27/033
摘要：本申请提供一种研磨盘和基板清洁装置，该研磨盘包括厚度自适应层以及固定于所述厚度自适应层两个相背对两个表面的基底层及研磨片，所述基底层连接于研磨头，所述研磨片与产品接触以对产品进行研磨清洁，所述厚度自适应层能基于研磨盘施加于待清洁的产品上的压力产生形变以能使所述研磨盘与待清洁的产品表面完全接触，从而研磨盘的清洁面积能达到100%，能提升产品的清洁良率。

9. 发明申请

WO2023013532A1 粘着テープ审中-公开
公开(公告)号：WO2023013532A1
公开(公告)日：2023-02-09
申请号：PCT/JP2022/029239
申请日：2022-07-29
申请人：積水化学工業株式会社
发明人：川本　友也 , 緒方　雄大 , 戸田　智基
IPC分类号： C09J7/38 , B24B37/12 , C09J133/06 , C09J175/04 , H01L21/304
摘要：本発明は、粗面に対して高い接着力を有し、かつ、高温におけるせん断強度に優れた粘着テープを提供することを目的とする。また、本発明は、基材と粘着剤層とを有する粘着テープであって、前記粘着剤層は、（メタ）アクリル共重合体及び架橋剤を含有し、前記粘着剤層のゾル成分について示差屈折計ＲＩ検出によるＧＰＣ測定を行ったとき、分子量５０００以上の領域において、分子量１０万以下の割合が５％以上７５％以下、かつ、分子量６０万以上の割合が０．５％以上１６％以下であり、前記粘着剤層中、（メタ）アクリルモノマーの含有量が２．５重量％以下である粘着テープである。

10. 发明申请

WO2022203881A1 CONTROLLED PROFILE POLISHING PLATEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2022203881A1
公开(公告)日：2022-09-29
申请号：PCT/US2022/019893
申请日：2022-03-11
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： ZUNIGA, Steven M. , KIM, Bum Jick , GURUSAMY, Jay
IPC分类号： B24B37/12 , B24B37/10 , B24B41/06 , H01L21/67
摘要： Chemical-mechanical polishing assemblies may include an upper platen characterized by a first surface and a second surface opposite the first surface. The upper platen may define a recess in the second surface of the upper platen. The upper platen may define a flexure between the first surface and the second surface within the recess. The assemblies may include a polishing pad coupled with the first surface of the upper platen. The assemblies may include a plate coupled with the upper platen along the second surface of the upper platen. The plate may define a volume within the recess of the upper platen between the second surface of the upper platen and the plate.

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