专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2015114402A2 SPLIT-RING RESONATOR PLASMA SOURCE 审中-公开
标题翻译：分体式谐振器等离子体源
公开(公告)号：WO2015114402A2
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：PCT/IB2014/003264
申请日：2014-06-05
申请人： PERSSON, Anders , THORNELL, Greger , BERGLUND, Martin
发明人： PERSSON, Anders , THORNELL, Greger , BERGLUND, Martin
IPC分类号： H05H1/24
CPC分类号： G01N27/628 , G01N27/02 , H01J37/32935 , H05H1/2406 , H05H1/46 , H05H2001/2418 , H05H2001/4645 , H05H2001/481
摘要： A miniaturized plasma source includes a stripline split-ring resonator. The split-ring resonator is sandwiched between two dielectric substrates and two metal ground planes. In order to make the plasma accessible from the outside of the ground planes, a hole is made through the gap between the ends of the split ring. The two ground planes act as an electromagnetic shield, protecting the split-ring resonator from electromagnetic interference due to changes in the electric or dielectric environment surrounding it. The miniaturized plasma source is particularly useful in optogalvanic spectroscopy applications.
摘要翻译：微型等离子体源包括带状线分离环谐振器。开环谐振器夹在两个电介质基板和两个金属接地平面之间。为了使等离子体能够从接地平面的外部进入，通过开口环的端部之间的间隙形成孔。两个接地层作为电磁屏蔽，保护开环谐振器免受电磁干扰或电介质环境的变化影响。小型化等离子体源在光电光谱应用中特别有用。

2. 发明申请

WO2009060214A1 HYDROXYL RADICAL PRODUCING PLASMA STERILISATION APPARATUS 审中-公开
标题翻译：羟基放射生产等离子体杀菌装置
公开(公告)号：WO2009060214A1
公开(公告)日：2009-05-14
申请号：PCT/GB2008/003766
申请日：2008-11-06
申请人： MICROONCOLOGY LIMITED , HANCOCK, Christopher, Paul
发明人： HANCOCK, Christopher, Paul
IPC分类号： A61L2/14 , H05H1/00
CPC分类号： A61L2/14 , A61L2/24 , A61L2202/11 , A61L2202/16 , A61L2202/24 , A61L2202/25 , A61L2202/26 , A61L2209/213 , H03F3/265 , H05H1/46 , H05H2001/4645 , H05H2245/1225
摘要： Sterilisation apparatus arranged controllably to generate and emit hydroxyl radicals. The apparatus includes an applicator which receives RF or microwave energy, gas and water mist in a hydroxyl radical generating region. The impedance at the hydroxyl radical generating region is controlled to be high to promote creation of an ionisation discharge which in turn generates hydroxyl radicals when water mist is present. The applicator may be a coaxial assembly or waveguide. A dynamic tuning mechanism e.g. integrated in the applicator may control the impedance at the hydroxyl radical generating region. The mist and/or gas and/or energy delivery means may be integrated with each other.
摘要翻译：灭菌装置可控制地产生和释放羟基自由基。该装置包括在羟基自由基产生区域中接收RF或微波能量，气体和水雾的施加器。羟基自由基产生区域的阻抗被控制为高，以促进电离放电的产生，而当存在水雾时又产生羟基自由基。施用器可以是同轴组件或波导。动态调谐机构集成在涂敷器中的可控制在羟基自由基产生区域的阻抗。雾气和/或气体和/或能量输送装置可以彼此集成。

3. 发明申请

WO2016064860A3 COMPOSITION FOR FORMING A PATTERNED METAL FILM ON A SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：在基材上形成图案金属膜的组合物
公开(公告)号：WO2016064860A3
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：PCT/US2015056438
申请日：2015-10-20
申请人： ORELTECH LTD , M&B IP ANALYSTS LLC
发明人： ZAMOSHCHIK NATALIA
IPC分类号： C09D11/03 , C09D11/101 , C09D11/34 , C09D11/38
CPC分类号： C09D11/52 , B41M3/006 , B41M5/0023 , B41M5/0047 , B41M5/007 , B41M7/00 , B41M7/0081 , C09D11/037 , C09D11/322 , C23C4/02 , C23C4/134 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/14 , H05H1/46 , H05H2001/4645 , H05H2245/123
摘要： A composition for forming a patterned thin metal film on a substrate is presented. The composition includes metal cations; and at least one solvent, wherein the patterned thin metal film is adhered to a surface of the substrate upon exposure of the at least metal cations to a low-energy plasma.
摘要翻译：提出了一种用于在基板上形成图案化金属薄膜的组合物。该组合物包括金属阳离子; 和至少一种溶剂，其中所述图案化金属薄膜在将所述至少金属阳离子暴露于低能量等离子体时粘附到所述基板的表面。

4. 发明申请

WO2014204598A1 ENHANCED PLASMA SOURCE FOR A PLASMA REACTOR 审中-公开
标题翻译：增强等离子体反应器的等离子体源
公开(公告)号：WO2014204598A1
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：PCT/US2014/038233
申请日：2014-05-15
申请人： APPLIED MATERIALS, INC.
发明人： TODOROW, Valentin N. , LERAY, Gary , WILLWERTH, Michael D. , CHIANG, Li-Sheng
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/321 , H01J37/32532 , H05H1/46 , H05H2001/4645 , H05H2001/4667
摘要： Embodiments of an apparatus having an improved coil antenna assembly that can provide enhanced plasma in a processing chamber is provided. The improved coil antenna assembly enhances positional control of plasma location within a plasma processing chamber, and may be utilized in etch, deposition, implant, and thermal processing systems, among other applications where the control of plasma location is desirable. In one embodiment, an electrode assembly configured to use in a semiconductor processing apparatus includes a RF conductive connector, and a conductive member having a first end electrically connected to the RF conductive connector, wherein the conductive member extends outward and vertically from the RF conductive connector.
摘要翻译：提供了具有可在处理室中提供增强的等离子体的改进的线圈天线组件的设备的实施例。改进的线圈天线组件增强等离子体处理室内的等离子体位置的位置控制，并且可用于蚀刻，沉积，注入和热处理系统以及其它需要等离子体位置控制的应用中。在一个实施例中，配置成在半导体处理装置中使用的电极组件包括RF导电连接器和具有电连接到RF导电连接器的第一端的导电构件，其中导电构件从RF导电连接器向外和垂直地延伸。

5. 发明申请

WO2005057992A2 DISPOSITIF DE TRAITEMENT PAR PLASMA D'UN MILIEU GAZEUX, PROCEDE UTILISANT CE DISPOSITIF ET APPLICATIONS 审中-公开
标题翻译：用于等离子体处理气体介质的装置，使用上述装置的方法及其使用
公开(公告)号：WO2005057992A2
公开(公告)日：2005-06-23
申请号：PCT/FR2004/003120
申请日：2004-12-03
申请人： RASAR HOLDING N.V. , DREAN, Henri-Louis
发明人： DREAN, Henri-Louis
IPC分类号： H05H
CPC分类号： F01N3/0892 , F01N2240/28 , H05H1/46 , H05H2001/4645 , H05H2245/1215
摘要： L'invention concerne un dispositif de traitement de milieu gazeux par plasma qui comprend une chambre de traitement (2) comportant une enveloppe (6) de surface interne tronconique (8) qui converge depuis l'extrémité amont (9) vers l'extrémité aval (10) de la chambre de traitement (2), dans laquelle une tige centrale tronconique (11) s'étend longitudinalement, dans laquelle au moins quatre cloisons radiales (15) qui forment au moins quatre cavités de résonance (16) sont en contact électrique (17) avec la surface interne (8) de la première chambre (2) et supportent un cylindre perforé (19) disposé coaxialement dans la première chambre (2) autour de la tige centrale (11) et dans laquelle une première phase électrique (59) délivre une haute tension alternative qui alimente l'enveloppe (6) de la première chambre de traitement (2). L'invention concerne également un procédé utilisant un tel dispositif et les applications de ce dispositif notamment au traitement des gaz d'échappement d'un véhicule automobile.
摘要翻译：本发明涉及一种用于等离子体处理气体介质的装置，包括设置有具有锥形内表面（8）的处理室（2），其具有从顶端（9）朝下端逐渐变细的锥形内表面（8）其中锥形中心杆（11）纵向延伸的处理室（2）中的至少四个径向隔板（15），形成至少四个共振空腔，其具有与内表面（8）的电接触（17）并且支撑围绕所述中心杆（11）同轴地设置在所述第一腔室（2）中的多孔圆柱体（19），并且其中第一电相（59）提供高压交流电流以供给所述第一室第一处理室（2）的封套（6）。还公开了使用所述装置及其用途的方法，特别是用于处理机动车辆的废气的方法。

6. 发明申请

WO2016064860A2 COMPOSITION FOR FORMING A PATTERNED METAL FILM ON A SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：在基材上形成图案化金属膜的组合物
公开(公告)号：WO2016064860A2
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：PCT/US2015/056438
申请日：2015-10-20
申请人： ORELTECH LTD. , M&B IP ANALYSTS, LLC
发明人： ZAMOSHCHIK, Natalia
CPC分类号： C09D11/52 , B41M3/006 , B41M5/0023 , B41M5/0047 , B41M5/007 , B41M7/00 , B41M7/0081 , C09D11/037 , C09D11/322 , C23C4/02 , C23C4/134 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/14 , H05H1/46 , H05H2001/4645 , H05H2245/123
摘要： A composition for forming a patterned thin metal film on a substrate is presented. The composition includes metal cations; and at least one solvent, wherein the patterned thin metal film is adhered to a surface of the substrate upon exposure of the at least metal cations to a low-energy plasma.
摘要翻译：介绍了用于在基板上形成图案化的金属薄膜的组合物。该组合物包含金属阳离子; 和至少一种溶剂，其中当至少金属阳离子暴露于低能等离子体时，图案化的薄金属膜粘附至基底的表面。

7. 发明申请

WO2016003758A1 FREQUENCY TUNING FOR PULSED RADIO FREQUENCY PLASMA PROCESSING 审中-公开
标题翻译：用于脉冲无线电频率等离子体处理的频率调谐
公开(公告)号：WO2016003758A1
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：PCT/US2015/037607
申请日：2015-06-25
申请人： ADVANCED ENERGY INDUSTRIES, INC.
发明人： MUELLER, Michael , CHOI, Sam
IPC分类号： H05H1/46 , H03B28/00
CPC分类号： H01J37/32155 , H01J37/32146 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/32926 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H05H1/46 , H05H2001/4645 , H05H2001/4682
摘要： This disclosure describes systems, methods, and apparatus for pulsed RF power delivery to a plasma load for plasma processing of a substrate. In order to maximize power delivery, a calibration phase using a dummy substrate or no substrate in the chamber, is used to ascertain a preferred fixed initial RF frequency for each pulse. This fixed initial RF frequency is then used at the start of each pulse during a processing phase, where a real substrate is used and processed in the chamber.
摘要翻译：本公开描述了用于脉冲RF功率输送到等离子体负载以用于衬底的等离子体处理的系统，方法和装置。为了最大化功率传递，使用在腔室中使用虚设衬底或无衬底的校准阶段来确定每个脉冲的优选的固定初始RF频率。然后，在处理阶段，在每个脉冲的开始处使用该固定的初始RF频率，其中在腔室中使用和处理实际的基板。

8. 发明申请

WO2005057992A3 DEVICE FOR PLASMA PROCESSING A GASEOUS MEDIUM, METHOD FOR USING SAID DEVICE AND THE USE THEREOF 审中-公开
标题翻译：用于等离子体处理气体介质的装置，使用上述装置的方法及其使用
公开(公告)号：WO2005057992A3
公开(公告)日：2006-02-09
申请号：PCT/FR2004003120
申请日：2004-12-03
申请人： RASAR HOLDING N V , DREAN HENRI-LOUIS
发明人： DREAN HENRI-LOUIS
IPC分类号： F01N3/08 , H05H1/24
CPC分类号： F01N3/0892 , F01N2240/28 , H05H1/46 , H05H2001/4645 , H05H2245/1215
摘要： The invention relates to a device for plasma processing a gaseous medium comprising a processing chamber (2) provided with an envelop (6) having a tapered internal surface (8) which tapers down away from the top end (9) towards the lower end (10) of the processing chamber (2) in which a tapered central rod (11) longitudinally extends and at least four radial partitions (15) forming at least four resonance cavities which have an electric contact (17) with the internal surface (8) of the first chamber (2) and support a perforated cylinder (19) coaxially disposed in the first chamber (2) around the central rod (11) and in which a first electrical phase (59) supplies a high tension alternate current for feeding the envelop (6) of the first processing chamber (2). A method for using said device and the use thereof, in particular for processing exhaust gases of a motor vehicle are also disclosed.
摘要翻译：本发明涉及一种用于等离子体处理气体介质的装置，包括设置有具有锥形内表面（8）的处理室（2），其具有从顶端（9）朝下端逐渐变细的锥形内表面（8）其中锥形中心杆（11）纵向延伸的处理室（2）中的至少四个径向隔板（15），形成至少四个共振空腔，其具有与内表面（8）的电接触（17）并且支撑围绕所述中心杆（11）同轴地设置在所述第一腔室（2）中的多孔圆柱体（19），并且其中第一电相（59）提供高压交流电流以供给所述第一室第一处理室（2）的封套（6）。还公开了使用所述装置及其用途的方法，特别是用于处理机动车辆的废气的方法。

9. 发明申请

WO2015118696A1 高周波電源装置およびプラズマ着火方法审中-公开
标题翻译：高频电源装置和等离子体点火方法
公开(公告)号：WO2015118696A1
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：PCT/JP2014/056411
申请日：2014-03-12
申请人：株式会社京三製作所
发明人：譲原　逸男 , 相川　諭 , 大間　亮介
IPC分类号： H01T15/00
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/32146 , H01J37/32155 , H01J37/32174 , H01J37/32183 , H01J37/32926 , H05H2001/4645
摘要：高周波電源装置はプラズマ着火するパルス電力を供給するプラズマ着火工程と、発生したプラズマを維持する駆動電力を供給する駆動電力供給工程とを備える。プラズマ着火工程において、着火パルス出力動作で印加する着火パルスを、着火を促すメインパルスと、メインパルスの前段階で印加され、メインパルスよりも低電力のプリパルスとによって構成する。着火パルスをメインパルスとプリパルスとで構成することによって、反射波電力から高周波電源を保護するとともにプラズマの確実な着火を行う。
摘要翻译：该高频电源装置具有：等离子体点火步骤，其中提供用于点燃等离子体的脉冲功率; 以及驱动电力供给步骤，其中提供用于维持所产生的等离子体的驱动功率。在等离子体点火步骤中，通过点火脉冲输出操作施加的点火脉冲由引起点火的主脉冲和在主脉冲之前的阶段施加的预脉冲构成，并且其功率比主脉冲。作为从主脉冲和预脉冲配置点火脉冲的结果，高频电源被保护免受反射波功率的影响，等离子体被可靠地点燃。

10. 发明申请

WO2015079595A1 プラズマ未着火状態検出装置およびプラズマ未着火状態検出方法审中-公开
标题翻译：有针对性的等离子体状态检测装置和相应的等离子体状态检测方法
公开(公告)号：WO2015079595A1
公开(公告)日：2015-06-04
申请号：PCT/JP2013/084820
申请日：2013-12-26
申请人：株式会社京三製作所
发明人：譲原　逸男 , 相川　諭 , 大間　亮介
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H05H1/0012 , H01J37/32082 , H01J37/32174 , H01J37/32935 , H01J37/3299 , H05H1/46 , H05H2001/4645 , H05H2001/4682
摘要：　反射波によるプラズマの未着火状態の検出において、正常なプラズマ着火時における誤検出を防いでプラズマ異常時の未着火状態を検出する。高周波電源からパルス駆動によってプラズマ負荷に対してパルス出力を供給する際に、プラズマ異常時の未着火状態の検出を反射波の継続状態に基づいて行うことによって、プラズマ異常時の未着火状態で発生する全反射波を、正常な着火状態で発生する反射波から区別して検出する。これによって、反射波の波高値としきい値とを比較することによる未着火状態の検出において、正常な着火状態で発生する反射波を異常な未着火状態で発生する全反射として誤検出することを防ぐ。
摘要翻译：本发明的目的是为了检测基于反射波的等离子体的未命中状态，以在等离子体异常期间检测未命名状态，同时避免在正常等离子体点火期间的错误检测。当通过从射频电源脉冲驱动脉冲输出到等离子体负载时，通过基于反射波的连续状态在等离子体异常期间检测未被判定状态，产生的全反射波在正常点火状态下产生的反射波明显地检测到等离子体异常期间的未命中状态。这防止了在正常点火状态下产生的反射波被错误地检测为在异常，无状态下产生的全反射。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式