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    • 2. 发明申请
    • REGENERATIVE FREQUENCY DIVIDER
    • 再生频率分频器
    • WO2016076798A1
    • 2016-05-19
    • PCT/SG2015/050445
    • 2015-11-12
    • MEDIATEK SINGAPORE PTE. LTD.
    • BEGHEIN, Christophe C.STRANGE, Jonathan Richard
    • H03K21/00H03K23/50
    • H03D7/1458H03K3/0231H03K23/44H03K23/50
    • A regenerative frequency divider comprising an in-phase mixer circuit and a phase-shifted mixer circuit. At least one switching device of the in-phase mixer circuit is of a smaller scale than a corresponding switching device of the transconductance component of the in-phase mixer circuit. In some examples, at least one switching device within an input switching stage of the regenerative frequency divider forming part of the phase-shifted mixer circuit is of a smaller scale than a respective corresponding switching device within the input switching stage forming part of the in- phase mixer circuit. In some further examples, all switching devices within the phase-shifted mixer circuit are of a small scale than respective corresponding switching devices within the in-phase mixer circuit.
    • 一种再生分频器,包括同相混频电路和相移混频电路。 同相混合电路的至少一个开关器件的尺寸小于同相混频器电路的跨导元件的相应开关器件。 在一些示例中,形成相移混频器电路的一部分的再生分频器的输入开关级中的至少一个开关器件的尺寸小于输入开关级中形成部分的相应的开关器件的尺寸, 相混频器电路。 在一些另外的示例中,相移混频器电路内的所有开关器件都具有小于同相混频器电路内的相应开关器件的小尺寸。
    • 4. 发明申请
    • 半導体記憶装置
    • 半导体存储设备
    • WO2006129779A1
    • 2006-12-07
    • PCT/JP2006/311050
    • 2006-05-26
    • セイコーエプソン株式会社朝内 昇大塚 栄太郎
    • 朝内 昇大塚 栄太郎
    • G11C16/02B41J2/175B41J29/38
    • G11C16/06G06F21/6218H03K23/50
    •  半導体記憶装置10は、入力された書き込みデータが、メモリアレイ100の既存データの値以上の値である場合に、メモリアレイ100に対する入力された書き込みデータの書き込みを許容する。具体的には、インクリメントコントローラ150は、メモリアレイ100から既存データを読み出し、8ビットラッチレジスタ170にラッチされている書き込みデータと比較する。インクリメントコントローラ150は、書き込みデータの値が既存データの値以上の場合には、ライト/リードコントローラ140に対して書き込み許可信号WEN1を出力し、メモリアレイ100に対する8ビットラッチレジスタ170にラッチされている書き込みデータの書き込みを実行する。
    • 当输入写入数据的值等于或大于存储器阵列(100)中现有数据的值时,半导体存储装置(10)允许将输入写入数据写入存储器阵列(100)。 具体地,增量控制器(150)从存储器阵列(100)中读取现有数据,并将其与锁存在8位锁存寄存器(170)中的写入数据进行比较。 当写入数据的值等于或大于现有数据的值时,增量控制器(150)向写入/读取控制器(140)输出写入许可信号(WEN1),从而执行写入 将被锁存在8位锁存寄存器(170)中的写入数据写入到存储器阵列(100)中。