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1. 发明申请

WO2006129779A1 半導体記憶装置审中-公开
标题翻译：半导体存储设备
公开(公告)号：WO2006129779A1
公开(公告)日：2006-12-07
申请号：PCT/JP2006/311050
申请日：2006-05-26
申请人：セイコーエプソン株式会社 , 朝内昇 , 大塚栄太郎
发明人：朝内昇 , 大塚栄太郎
IPC分类号： G11C16/02 , B41J2/175 , B41J29/38
CPC分类号： G11C16/06 , G06F21/6218 , H03K23/50
摘要：　半導体記憶装置１０は、入力された書き込みデータが、メモリアレイ１００の既存データの値以上の値である場合に、メモリアレイ１００に対する入力された書き込みデータの書き込みを許容する。具体的には、インクリメントコントローラ１５０は、メモリアレイ１００から既存データを読み出し、８ビットラッチレジスタ１７０にラッチされている書き込みデータと比較する。インクリメントコントローラ１５０は、書き込みデータの値が既存データの値以上の場合には、ライト／リードコントローラ１４０に対して書き込み許可信号ＷＥＮ１を出力し、メモリアレイ１００に対する８ビットラッチレジスタ１７０にラッチされている書き込みデータの書き込みを実行する。
摘要翻译：当输入写入数据的值等于或大于存储器阵列（100）中现有数据的值时，半导体存储装置（10）允许将输入写入数据写入存储器阵列（100）。具体地，增量控制器（150）从存储器阵列（100）中读取现有数据，并将其与锁存在8位锁存寄存器（170）中的写入数据进行比较。当写入数据的值等于或大于现有数据的值时，增量控制器（150）向写入/读取控制器（140）输出写入许可信号（WEN1），从而执行写入将被锁存在8位锁存寄存器（170）中的写入数据写入到存储器阵列（100）中。

2. 发明申请

WO2006129780A1 シーケンシャル書込においてべリファイ処理を行う不揮発性メモリ审中-公开
标题翻译：非易失性存储器执行顺序写入的验证处理
公开(公告)号：WO2006129780A1
公开(公告)日：2006-12-07
申请号：PCT/JP2006/311053
申请日：2006-05-26
申请人：セイコーエプソン株式会社 , 朝内昇 , 大塚栄太郎
发明人：朝内昇 , 大塚栄太郎
IPC分类号： G11C16/02
CPC分类号： G11C16/10 , G11C16/3454 , G11C2216/14
摘要：　半導体記憶装置１０は、１行に８ビットのデータを格納可能なメモリアレイ１００に対して１６ビットの書き込みデータを書き込むにあたり、先ず、上位８ビットをメモリアレイ１００の第１の書き込み制限行に書き込む。インクリメントコントローラ１５０は、メモリアレイ１００に書き込まれた既存データの値と８ビットラッチレジスタ１７０にラッチされている書き込みに用いられた書き込みデータとが一致するか否かを判定する。インクリメントコントローラ１５０は、既存データと書き込みデータとが一致する場合には、ライト／リードコントローラ１４０に対して書き込み許可信号ＷＥＮ１を出力し、メモリアレイ１００に対する下位８ビットの書き込みデータの書き込みを実行する。
摘要翻译：当半导体存储装置（10）将16位数据写入能够以一行存储8位数据的存储器阵列（100）时，首先将最高有效8位写入存储器阵列（100）的第一写入限制行）。增量控制器（150）判断写入存储器阵列（100）中的现有数据的值是否与用于写入并被锁存在8位锁存寄存器（170）中的写入数据一致。当现有数据与写数据一致时，增量控制器（150）向写入/读取控制器（140）输出写入许可信号WEN1，并执行存储器阵列（100）中的最低有效8位写入数据的写入。

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