会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 6. 发明申请
    • MEMSデバイスおよびその製造方法
    • MEMS器件及其生产方法
    • WO2011129351A1
    • 2011-10-20
    • PCT/JP2011/059137
    • 2011-04-13
    • 三洋電機株式会社学校法人立命館鈴木 健一郎玉野 晃正岡田 光広競 昌也
    • 鈴木 健一郎玉野 晃正岡田 光広競 昌也
    • H03H3/007B81B3/00B81C1/00H03H9/24
    • H03H3/0072B81B2201/0271B81C1/00182H03H9/2405H03H9/2452H03H2009/02496H03H2009/02519
    • 【課題】MEMSデバイスの製造方法において、基板表面と振動部材下面とが十分に狭い間隙で対向した構造を容易に製造可能とする。 【解決手段】MEMSデバイスの製造方法は、SOI基板を用意する工程S1と、第1シリコン層をパターニングして、外枠部と、かさ上げ対向部と、かさ上げ対向部と外枠部の3以上の箇所とをそれぞれ接続する支持梁部とを形成する工程S2と、上記かさ上げ対向部と第2シリコン層との間に位置する中間絶縁層をエッチング除去することによって上記かさ上げ対向部と上記第2シリコン層とが互いに離隔した状態を作り出す工程S3と、上記外枠部および上記かさ上げ対向部に対して一括して基材を貼り付ける工程S4と、上記第2シリコン層をパターニングすることによって浮き構造体を形成し、さらに上記支持梁部を分断して上記かさ上げ対向部を孤立させる工程S5とを含む。
    • 公开了一种MEMS器件制造方法,其能够容易地制造其中衬底表面和振动构件下表面之间彼此具有足够窄的间隙的结构。 MEMS器件制造方法包括:准备SOI衬底的工序(S1) 形成第一硅树脂层被图案化的台阶(S2),并且形成连接升高和面对部分与外框架部分的至少三个位置的外框架部分,升高和面对部分以及支撑梁部分 ; 步骤(S3),其中通过蚀刻位于升高和面对部分和第二硅氧烷层之间的中间绝缘层来产生升高和面对部分与第二硅层之间的分离状态; 步骤(S4),其中基板被共同地粘贴到外框架部分和升起面对部分; 以及步骤(S5),其中通过对第二硅层进行图案化而形成浮动结构,并且支撑梁部分被分割以隔离升高和面对部分。
    • 7. 发明申请
    • 共振器およびその製造方法
    • 共振器及其生产方法
    • WO2010147156A1
    • 2010-12-23
    • PCT/JP2010/060224
    • 2010-06-16
    • 三洋電機株式会社学校法人立命館鈴木 健一郎玉野 晃正岡田 光広競 昌也
    • 鈴木 健一郎玉野 晃正岡田 光広競 昌也
    • H03H9/24H03H3/007
    • H03H3/0072H03H9/1057H03H9/2463H03H2009/02519
    • 【課題】ねじり振動を利用した共振器において、基板表面と振動部材下面とが十分に狭い間隙で対向した構造を有し、容易に製造可能な共振器とする。 【解決手段】共振器は、平坦な主表面1uを有する基材1と、主表面1uに固定された層状のアンカ部2a,2bと、導電性を有する層状の振動付与部3と、アンカ部2a,2bの上面に対して絶縁膜5を介して接合され2次元的に展開する梁状かつ層状の振動部材4と、振動付与部3に対して電気的に接続されており、上から見て振動部材に被覆される領域の外側にまで延在している引出配線6とを備え、振動付与部3の上面3uは、振動部材4の下面4wとの間に電位差を生じさせることによって振動部材4の少なくとも一部に対してねじり振動を発生させることができるように、振動部材4の下面4wの一部に対して、絶縁膜5の厚さとほぼ等しい距離の間隙11を介して対向している。
    • 公开了一种容易制造的谐振器,其使用扭转振动并且具有其中基板表面和振动构件下表面之间彼此具有足够窄的间隙的结构。 谐振器设置有具有平坦主表面(1u)的基材(1),固定到主表面(1u)的层压锚固部件(2a,2b),层状振动赋予部件(3) 导电的梁状分层振动构件(4),其在绝缘膜(5)上设置有绝缘膜(5)并且二维地扩大连接到锚定部件(2a,2b)的上表面,以及引出导体 6),其电连接到振动赋予部(3),并且从上方观察时延伸到被振动部件覆盖的区域的外侧。 振动赋予部(3)的上表面(3u)与振动部件(4)的下表面(4w)的一部分间隙(11)相对,间隙大约等于 绝缘膜(5)的厚度,使得通过产生上表面(3u)振动赋予部(3)和第二振动赋予部(3)之间的电位差,能够在振动部件(4)的至少一部分产生扭转振动 振动部件(4)的下表面(4w)。