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1. 发明申请

WO2017136585A1 DISTRIBUTED NANOWIRE SENSOR FOR SINGLE PHOTON IMAGING 审中-公开
标题翻译：单光子成像的分布式纳米传感器
公开(公告)号：WO2017136585A1
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：PCT/US2017/016270
申请日：2017-02-02
申请人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
发明人： ZHAO, Qingyuan , BERGGREN, Karl, K.
IPC分类号： G01J1/00 , G01J1/44 , H01L27/18 , B82Y15/00 , B82Y20/00 , B82Y25/00
CPC分类号： H01L27/18 , G01J1/42 , G01J1/44 , G01J3/0286 , G01J3/2803 , G01J5/023 , G01J5/061 , G01J5/20 , G01J2001/442 , G01J2001/4446 , H01L23/66 , H01L39/10 , H01L39/125 , H01L39/16 , H01L39/2416 , H01L2223/6627 , H01L2223/6672 , H04N5/378
摘要： An integrated, superconducting imaging sensor may be formed from a single, meandering nanowire. The sensor is capable of single-photon (or single-event) detection and imaging with -10 micron spatial resolution and sub-lOO-picosecond temporal resolution. The sensor may be readily scaled to large areas.
摘要翻译：集成超导成像传感器可以由单一曲折纳米线形成。该传感器能够以-10微米的空间分辨率和低于100微微秒的时间分辨率进行单光子（或单一事件）检测和成像。传感器可以很容易地扩展到大面积。

2. 发明申请

WO2014197048A3 SUPERCONDUCTING THREE-TERMINAL DEVICE AND LOGIC GATES 审中-公开
标题翻译：超导三端器件和逻辑门
公开(公告)号：WO2014197048A3
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：PCT/US2014023664
申请日：2014-03-11
申请人： MASSACHUSETTS INST TECHNOLOGY
发明人： MCCAUGHAN ADAM N , BERGGREN KARL K
IPC分类号： H03K19/195
CPC分类号： H03K19/195 , H01L39/025 , H01L39/10 , H01L39/12 , H01L39/125 , H01L39/126 , H01L39/145 , H03K19/20
摘要： A three-terminal device that exhibits transistor-like functionality at cryogenic temperatures may be formed from a single layer of superconducting material. A main current-carrying channel of the device may be toggled between superconducting and normal conduction states by applying a control signal to a control terminal of the device. Critical- current suppression and device geometry are used to propagate a normal-conduction hotspot from a gate constriction across and along a portion of the main current-carrying channel. The three-terminal device may be used in various superconducting signal-processing circuitry.
摘要翻译：在低温下显示类晶体管功能的三端器件可以由单层超导材料形成。通过将控制信号施加到设备的控制端子，设备的主载流通道可以在超导状态和正常导电状态之间切换。使用临界电流抑制和器件几何形状来跨越并沿着主载流沟道的一部分从栅极收缩部传播正常导热热点。三端器件可以用在各种超导信号处理电路中。

3. 发明申请

WO2014197047A3 SUPERCONDUCTING THREE-TERMINAL DEVICE AND LOGIC GATES 审中-公开
标题翻译：超级终端设备和逻辑门
公开(公告)号：WO2014197047A3
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：PCT/US2014023640
申请日：2014-03-11
申请人： MASSACHUSETTS INST TECHNOLOGY
发明人： MCCAUGHAN ADAM N , BERGGREN KARL K
IPC分类号： H03K19/195
CPC分类号： H03K19/195 , H01L39/025 , H01L39/10 , H01L39/12 , H01L39/125 , H01L39/126 , H01L39/145 , H03K19/20
摘要： A three-terminal device that exhibits transistor-like functionality at cryogenic temperatures may be formed from a single layer of superconducting material. A main current-carrying channel of the device may be toggled between superconducting and normal conduction states by applying a control signal to a control terminal of the device. Critical- current suppression and device geometry are used to propagate a normal-conduction hotspot from a gate constriction across and along a portion of the main current-carrying channel. The three-terminal device may be used in various superconducting signal-processing circuitry.
摘要翻译：在低温下呈现晶体管状功能的三端子器件可以由单层超导材料形成。通过将控制信号施加到装置的控制端，装置的主载流通道可以在超导和正常导通状态之间切换。临界电流抑制和器件几何形状用于沿着主电流通道的一部分沿着栅极收缩传播正常传导热点。三端器件可用于各种超导信号处理电路。

4. 发明申请

WO2014197048A2 SUPERCONDUCTING THREE-TERMINAL DEVICE AND LOGIC GATES 审中-公开
标题翻译：超导三端器件和逻辑门
公开(公告)号：WO2014197048A2
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：PCT/US2014/023664
申请日：2014-03-11
申请人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
发明人： MCCAUGHAN, Adam, N. , BERGGREN, Karl, K.
IPC分类号： H01L39/22
CPC分类号： H03K19/195 , H01L39/025 , H01L39/10 , H01L39/12 , H01L39/125 , H01L39/126 , H01L39/145 , H03K19/20
摘要： A three-terminal device that exhibits transistor-like functionality at cryogenic temperatures may be formed from a single layer of superconducting material. A main current-carrying channel of the device may be toggled between superconducting and normal conduction states by applying a control signal to a control terminal of the device. Critical- current suppression and device geometry are used to propagate a normal-conduction hotspot from a gate constriction across and along a portion of the main current-carrying channel. The three-terminal device may be used in various superconducting signal-processing circuitry.
摘要翻译：在超低温下表现出类晶体管功能的三端器件可以由单层超导材料形成。通过将控制信号施加到设备的控制端子，设备的主载流通道可以在超导状态和正常导电状态之间切换。使用临界电流抑制和器件几何形状来跨越并沿着主载流沟道的一部分从栅极收缩部传播正常导热热点。三端器件可用于各种超导信号处理电路。

5. 发明申请

WO2007071163A1 一种含 C 的 MgB2 超导线材或带材及其制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2007071163A1
公开(公告)日：2007-06-28
申请号：PCT/CN2006/003418
申请日：2006-12-14
申请人：中国科学院电工研究所 , 马衍伟 , 张现平
发明人：马衍伟 , 张现平
IPC分类号： H01B12/04
CPC分类号： H01L39/141 , H01L39/125
摘要： A MgB 2 superconducting wire or strip containing C and the manufacture method for it, in which the said superconducting material is substantially consisted of Mg, B and C. Its chemical formula is MgB 2-x C x , where x is a value between 1 and 2, y is a value between 0 and 1, and the sum of x and y is greater than 1.5. The MgB 2 superconducting wire or strip in the present application has a high irreversible field and the property of critical current density is very excellent, and it has good repeatability.

6. 发明申请

WO2002098794A1 臨界電流密度の高いＭｇＢ2系超電導体およびその製造方法审中-公开
标题翻译：具有高临界电流密度的MGB 2 基超导体及其制备方法
公开(公告)号：WO2002098794A1
公开(公告)日：2002-12-12
申请号：PCT/JP2002/004568
申请日：2002-05-10
申请人：財団法人国際超電導産業技術研究センター , 趙勇 , 馮勇 , 呉源 , 町敬人 , 札本安識 , 腰塚直己 , 村上雅人
发明人：趙勇 , 馮勇 , 呉源 , 町敬人 , 札本安識 , 腰塚直己 , 村上雅人
IPC分类号： C01B35/04
CPC分类号： H01L39/125 , C04B35/58057 , C04B35/6303 , C04B2235/3813 , C04B2235/401 , C04B2235/404 , C04B2235/421 , C04B2235/5436 , C04B2235/80 , C04B2235/94 , H01L39/2487 , Y10S420/901 , Y10S428/93
摘要： A MgB 2 based superconductor having a high critical current density, characterized in that it comprises a polycrystalline MgB 2 and, dispersed therein, Ti and/or a Ti compound; and a method for preparing the MgB 2 based superconductor which comprises forming by pressing a mixed powder comprising Mg, B and Ti, and sintering the formed product under atmospheric pressure (preferably at 600˚C or higher). The MgB 2 based superconductor preferably has a composition wherein when an atomic ratio of Mg, B and Ti is represented by Mg : B : Ti = x : 2 : y, x is in the range of 0.7 2 based superconductor exhibits excellent superconducting characteristics (such as a high critical current density) while retaining a high critical temperature characteristics of MgB 2 , and further can be prepared with ease on a large scale.
摘要翻译：一种具有高临界电流密度的基于MgB 2 s的超导体，其特征在于，其包含多晶MgB 2 s 2，并且分散在其中的Ti和/或Ti化合物; 以及制备基于MgB 2+超导体的方法，其包括通过压制包含Mg，B和Ti的混合粉末并在大气压（优选在600℃或更高）下）烧结所形成的产品来形成。优选具有如下组成：Mg，B和Ti的原子比由Mg:B:Ti = x:2:y表示，x在0.7 < x <1.2，y在0.05 2 的超导体在保持MgB 2 s的高临界温度特性的同时表现出优异的超导特性（例如高临界电流密度），并且还可以容易地制备大范围上。

7. 发明申请

WO2002083562A1 METHODE ZUR HERSTELLUNG VON MAGNESIUMDIBORID SOWIE VON MAGNESIUMDIBORID-FORMKÖRPERN AUS MAGNESIUMHYBRID UND ELEMENTAREM BOR MITTELS PULS-PLASMA-SYNTHESE 审中-公开
标题翻译：法生产镁及镁形体镁混合动力和基础的硼脉冲等离子体合成
公开(公告)号：WO2002083562A1
公开(公告)日：2002-10-24
申请号：PCT/EP2002/003952
申请日：2002-04-09
申请人： MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V. , SCHMIDT, Jürgen , GRIN, Yuri
发明人： SCHMIDT, Jürgen , GRIN, Yuri
IPC分类号： C01B35/04
CPC分类号： B30B11/007 , B01J3/067 , B01J19/088 , B01J2219/0879 , B01J2219/0881 , B01J2219/0898 , B30B11/004 , C01B35/02 , C01B35/04 , C04B35/58 , C04B35/58057 , C04B35/64 , C04B41/009 , C04B41/51 , C04B41/88 , C04B2235/666 , H01L39/125 , H01L39/2487 , C04B41/4523 , C04B38/00
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Magnesiumdiborid (MgB 2 ) aus Magnesiumhybrid sowie davon durch Austausch von Mg durch andere Metalle bzw. von B durch andere Nichtmetalle abgeleiteter Verbindungen sowie die Herstellung von Magnesiumdiborid-Formkörpern.
摘要翻译：本发明通过由其他金属或从乙交换的Mg由其它非金属化合物以及生产二硼化镁模制品的衍生涉及用于生产镁的二硼化镁（MgB2超导），以及其混合的方法。

8. 发明申请

WO02025795A2 HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTOR 审中-公开
标题翻译：超高温超导体
公开(公告)号：WO02025795A2
公开(公告)日：2002-03-28
申请号：PCT/US2001/021407
申请日：2001-07-06
IPC分类号： H01L39/12 , H02K
CPC分类号： H01L39/125
摘要： A new type of high temperature superconductor is described which is based on cubic phase Li3P formed at high pressures. A method for creating Li3P in a cubic phase either by itself or with up to 10% of Li3N by molecular proportions is also presented. The synthesis of these superconductive compounds is described. Generally, a mixture of low pressure synthesized Li3N and Li3P is subjected to a combination of high pressure and high heat for a certain duration. The phases are monitored during synthesis with x-ray diffraction and mass-spectrometry. The resultant materials display superconducting transitions, TS, above 225 K and approaching room temperature.
摘要翻译：本发明涉及一种以高压立方相形成的新型高温Li 3 P基超导体。此外，本发明涉及一种立方相制备Li 3 P的方法，其本身或者以高达10％的Li 3 N按分子比例制备。本发明还涉及这些超导化合物的合成。通常，在低压下合成的Li 3 N和Li 3 P的混合物经历一段时间的高压和高温。在X射线衍射和质谱合成过程中监测这些相。获得的材料具有超导转变，TS大于225K并接近环境温度。

9. 发明申请

WO2014197047A2 SUPERCONDUCTING THREE-TERMINAL DEVICE AND LOGIC GATES 审中-公开
标题翻译：超级终端设备和逻辑门
公开(公告)号：WO2014197047A2
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：PCT/US2014/023640
申请日：2014-03-11
申请人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
发明人： MCCAUGHAN, Adam N. , BERGGREN, Karl K.
IPC分类号： H01L39/22
CPC分类号： H03K19/195 , H01L39/025 , H01L39/10 , H01L39/12 , H01L39/125 , H01L39/126 , H01L39/145 , H03K19/20
摘要： A three-terminal device that exhibits transistor-like functionality at cryogenic temperatures may be formed from a single layer of superconducting material. A main current-carrying channel of the device may be toggled between superconducting and normal conduction states by applying a control signal to a control terminal of the device. Critical- current suppression and device geometry are used to propagate a normal-conduction hotspot from a gate constriction across and along a portion of the main current-carrying channel. The three-terminal device may be used in various superconducting signal-processing circuitry.
摘要翻译：在低温下呈现晶体管状功能的三端子器件可以由单层超导材料形成。通过将控制信号施加到装置的控制端，装置的主载流通道可以在超导和正常导通状态之间切换。临界电流抑制和器件几何形状用于沿着主电流通道的一部分沿着栅极收缩传播正常传导热点。三端器件可用于各种超导信号处理电路。

10. 发明申请

WO2014104208A1 酸化物超電導線材审中-公开
标题翻译：氧化物超导线
公开(公告)号：WO2014104208A1
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：PCT/JP2013/084934
申请日：2013-12-26
申请人：株式会社フジクラ
发明人：竹本　哲雄 , 日高　輝
IPC分类号： H01B12/06 , C01G1/00 , H01F6/06 , H01L39/04 , H01L39/16 , H02H9/02
CPC分类号： H01B12/06 , C01G1/00 , H01F6/06 , H01L39/125 , H01L39/143 , H01L39/16 , H01L39/248
摘要：　テープ状の基材と、前記基材上に積層された中間層と、前記中間層上に積層された酸化物超電導層と、前記酸化物超電導層上に積層されＡｇ又はＡｇ合金からなる保護層と、を有する酸化物超電導積層体と、前記超電導積層体の保護層上に低融点金属層を介して形成され、金属テープからなる安定化層と、を備える酸化物超電導線材であって、前記保護層の膜厚が５μｍ以下であり、前記安定化層の室温での体積抵抗率が３．８μΩ・ｃｍ以上１５μΩ・ｃｍ以下である。
摘要翻译：一种氧化物超导线，其具有：氧化物超导层叠体，其包括带状基底，层叠在基底上的中间层，层叠在中间层上的氧化物超导层和层叠的保护层在氧化物超导层上，由Ag或Ag合金形成; 以及由金属带构成并形成在氧化物超导层叠体的保护层上的稳定层，其间插入有低熔点金属层。保护层的膜厚为5μm以下，室温下的稳定层的体积电阻率为3.8μΩ·cm〜15μΩ·cm·cm（含）。

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