基本信息:
- 专利标题： SUPERCONDUCTING THREE-TERMINAL DEVICE AND LOGIC GATES
- 专利标题（中）：超导三端器件和逻辑门
- 申请号：PCT/US2014/023664 申请日：2014-03-11
- 公开(公告)号：WO2014197048A2 公开(公告)日：2014-12-11
- 发明人： MCCAUGHAN, Adam, N. , BERGGREN, Karl, K.
- 申请人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
- 申请人地址： 77 Massachusetts Avenue Cambridge, MA 02139 US
- 专利权人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
- 当前专利权人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
- 当前专利权人地址： 77 Massachusetts Avenue Cambridge, MA 02139 US
- 代理机构： GOODBERLET, James, G.
- 优先权： US61/776,068 20130311; US61/842,907 20130703
- 主分类号： H01L39/22
- IPC分类号： H01L39/22
摘要：
A three-terminal device that exhibits transistor-like functionality at cryogenic temperatures may be formed from a single layer of superconducting material. A main current-carrying channel of the device may be toggled between superconducting and normal conduction states by applying a control signal to a control terminal of the device. Critical- current suppression and device geometry are used to propagate a normal-conduction hotspot from a gate constriction across and along a portion of the main current-carrying channel. The three-terminal device may be used in various superconducting signal-processing circuitry.
摘要（中）：
在超低温下表现出类晶体管功能的三端器件可以由单层超导材料形成。 通过将控制信号施加到设备的控制端子，设备的主载流通道可以在超导状态和正常导电状态之间切换。 使用临界电流抑制和器件几何形状来跨越并沿着主载流沟道的一部分从栅极收缩部传播正常导热热点。 三端器件可用于各种超导信号处理电路。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L39/00 | 应用超导电性的或高导电性的器件，专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L39/22 | .包含有一个不同材料结点的器件，例如约瑟夫逊效应器件 |