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1. 发明申请

WO2010087366A1 電子増倍機能内蔵型の固体撮像素子审中-公开
标题翻译：包含电子倍增功能的固态图像感测装置
公开(公告)号：WO2010087366A1
公开(公告)日：2010-08-05
申请号：PCT/JP2010/051037
申请日：2010-01-27
申请人：浜松ホトニクス株式会社 , 鈴木久則 , 米田康人 , ▲高▼木慎一郎 , 前田堅太郎 , 村松雅治
发明人：鈴木　久則 , 米田　康人 , ▲高▼木　慎一郎 , 前田　堅太郎 , 村松　雅治
IPC分类号： H01L27/148 , H04N5/335
CPC分类号： H01L27/14887 , H01L27/14609 , H01L27/1464 , H01L27/14812 , H01L27/1485 , H01L29/76816
摘要：　この電子増倍機能内蔵型の固体撮像素子においては、増倍レジスタＥＭにおける電子転送方向に垂直な断面内において、絶縁層２は、中央領域の厚みよりも、両サイド部の厚みが大きくなっており、Ｎ型の半導体領域１Ｃの中央領域と両サイド部との境界において一対のオーバーフロードレイン１Ｎが形成され、それぞれのオーバーフロードレイン１Ｎは、増倍レジスタＥＭにおける電子転送方向に沿って延びている。オーバーフローゲート電極Ｇは、絶縁層２の薄い部分から厚い部分にかけて延びており、また、各転送電極８（８Ａ，８Ｂ）の長手方向の両端部と絶縁層２との間に介在し、各電極８（８Ａ，８Ｂ）に対するシールド電極としても機能している。
摘要翻译：公开了一种含有电子倍增功能的固体摄像装置。在垂直于倍增寄存器（EM）中的电子传输方向的截面中，绝缘层（2）具有中心区域，其中心区域的厚度大于绝缘层的相对侧部分的厚度; 并且在N型半导体区域（1C）的中心区域和相对侧部分之间的边界处形成一对溢流漏极（1N），并且每个溢出漏极（1N）在乘法寄存器中的电子传输方向上延伸（EM）。溢流栅电极（G）从绝缘层（2）的薄部分延伸到厚部分，并且设置在绝缘层（2）和每个传输电极（8A，8B）的相对端之间的纵向方向上，用作电极（8A，8B）的屏蔽电极。

2. 发明申请

WO2002059975A1 CHARGE-COUPLED DEVICE 审中-公开
标题翻译：电荷耦合器件
公开(公告)号：WO2002059975A1
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：PCT/IB2001/002670
申请日：2001-12-19
申请人： KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.
发明人： BOSIERS, Jan, T., J. , KLEIMANN, Agnes, C., M. , BOERSMA, Yvonne, A.
IPC分类号： H01L27/148
CPC分类号： H01L29/76816 , H01L27/148
摘要： The invention relates to a CCD of the buried-channel type comprising a charge-transport channel in the form of a zone (12) of the first conductivity type, for example the n-type, in a well (13) of the opposite conductivity type, in the example the p-type. In order to obtain a drift field in the channel below one or more gates (9, 10a) to improve the charge transfer, the well is provided with a doping profile, so that the average concentration decreases in the direction of charge transport. Such a profile can be formed by covering the area of the well during the well implantation with a mask, thereby causing fewer ions to be implanted below the gates (9, 10a) than below other parts of the channel. By virtue of the invention, it is possible to produce a gate (10a) combining a comparatively large length, for example in the output stage in front of the output gate (9) to obtain sufficient storage capacity, with a high transport rate.
摘要翻译：本发明涉及一种埋入通道型的CCD，其包括形成第一导电类型的区域（12）形式的电荷传输通道，例如n型，在相反电导率的阱（13）中类型，在示例中为p型。为了获得在一个或多个栅极（9,10a）下方的通道中的漂移场以改善电荷转移，阱具有掺杂分布，使得平均浓度在电荷传输方向上减小。这样的形状可以通过用掩模在阱注入期间覆盖阱的区域来形成，从而在栅极（9,10a）下面比在沟道的其它部分下方注入更少的离子。根据本发明，可以产生组合比较大长度的门（10a），例如在输出门（9）前面的输出级中以高传输速率获得足够的存储容量。

3. 发明申请

WO2006014492A3 ADJUSTABLE CCD CHARGE SPLITTER 审中-公开
标题翻译：可调CCD电荷分离器
公开(公告)号：WO2006014492A3
公开(公告)日：2007-06-28
申请号：PCT/US2005023989
申请日：2005-07-06
申请人： MASSACHUSETTS INST TECHNOLOGY , ANTHONY MICHAEL P , KOHLER EDWARD J
发明人： ANTHONY MICHAEL P , KOHLER EDWARD J
IPC分类号： H01L29/765
CPC分类号： H01L29/76858 , G11C19/285 , H01L27/14812 , H01L29/76816
摘要： An adjustable charged coupled device (CCD) charge splitter (50) includes a channel control structure (54) and an associated plurality of output channels (56a)-(56N). Control signals (55) applied to the channel control structure determine an amount of charge, which passes into one of the plurality of output channels.
摘要翻译：可调电荷耦合器件（CCD）电荷分配器（50）包括沟道控制结构（54）和相关联的多个输出通道（56a） - （56N）。施加到信道控制结构的控制信号（55）确定进入多个输出信道之一的电荷量。

4. 发明申请

WO2005067443A2 LOW NOISE CHARGE AMPLIFICATION CCD 审中-公开
标题翻译：低噪声充电放大CCD
公开(公告)号：WO2005067443A2
公开(公告)日：2005-07-28
申请号：PCT/US2004/029943
申请日：2004-09-13
申请人： IMAGERLABS, INC. , ATLAS, Eugene , WADSWORTH, Mark , KULLMAN, Richard, H. , NETER, Sarit
发明人： ATLAS, Eugene , WADSWORTH, Mark , KULLMAN, Richard, H. , NETER, Sarit
IPC分类号： G01J1/00 , G11C19/28 , H01L27/00 , H01L27/148 , H04N5/357 , H04N5/372 , H04N5/376 , H04N5/378
CPC分类号： G11C19/285 , H01L27/14625 , H01L27/14806 , H01L27/1485 , H01L29/76816 , H04N5/357 , H04N5/372 , H04N5/37213 , H04N5/3725 , H04N5/378
摘要： A charge coupled device (CCD) includes a low noise charge gain circuit that amplifies charge of a cell dependent upon the charge accumulated by the cell. The low noise charge gain circuit receives clocking signals, such as from an input diode, which allow charge to accumulate in a reservoir well and then flow into a receiving well. The low noise charge gain circuit also receives a voltage signal corresponding to charge accumulated on an associated cell. The amount of charge flowing into the receiving well depends on this voltage signal.
摘要翻译：电荷耦合器件（CCD）包括低噪声电荷增益电路，其根据该单元累积的电荷来放大单元的电荷。低噪声充电增益电路接收时钟信号，例如来自输入二极管，其允许电荷积聚在储层中，然后流入接收阱。低噪声充电增益电路还接收对应于在相关联的单元上累积的电荷的电压信号。流入接收阱的电荷量取决于该电压信号。

5. 发明申请

WO9221151A3 HIGH-SPEED PERISTALTIC CCD IMAGER WITH GAAS FET OUTPUT 审中-公开
标题翻译：具有GAAS FET输出的高速CCD摄像机
公开(公告)号：WO9221151A3
公开(公告)日：1993-01-07
申请号：PCT/US9203863
申请日：1992-05-08
申请人： Q DOT INC
发明人： GARDNER DAVID W , LINNENBRINK THOMAS E , GAALEMA STEPHEN D
IPC分类号： H01L27/148 , H01L29/768
CPC分类号： H01L29/76816 , H01L27/14831
摘要： An improved CCD imaging array system (10) is disclosed which is capable of operating at 10,000 frames-per-second. The imager consists of an array (12) of 512 x 512 pixels having 16 serial output channels (40) which provides a composite output data rate up to 250 Megasamples/second. The serial output registers (40) are constructed from peristaltic CCDs, each having a GaAs FET output circuit (42) bump-mounted to the silicon substrate. A four-layer pinned photodiode (100) is utilized as the photodetector, and each photodiode has its own antiblooming drain (130). The antiblooming gates (132) double as an optical shuttering device. Sample-and-hold output circuitry is also provided.

6. 发明申请

WO2013008405A1 固体撮像装置审中-公开
标题翻译：固态图像捕获器件
公开(公告)号：WO2013008405A1
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：PCT/JP2012/004251
申请日：2012-06-29
申请人：パナソニック株式会社 , 石田琢磨 , 白木宏一
发明人：石田　琢磨 , 白木　宏一
IPC分类号： H04N5/372 , H01L27/148
CPC分类号： H01L29/76816 , H01L27/14831 , H04N5/3698 , H04N5/372
摘要：　垂直転送部（４）における最終転送電極下のチャネル領域の不純物濃度及び水平転送部（５）のチャネル領域の不純物濃度は、垂直転送部（４）における最終転送電極下以外のチャネル領域の不純物濃度よりも低い。信号電荷を垂直方向に転送する際に垂直転送部（４）の最終転送電極に印加される駆動信号におけるハイレベルの電位は、光電変換部（３）で生成された信号電荷を垂直転送部（４）に読み出す際に使用される信号の電位と同レベルであり、前記駆動信号におけるローレベルの電位は、垂直転送部（４）で信号電荷を垂直方向に転送する際に使用される信号の最低電位と同レベルである。
摘要翻译：在垂直转印单元（4）中的极性转移电极下的沟道区域的杂质浓度和水平转印单元（5）的沟道区域的杂质浓度低于最终转印区域以外的通道区域的杂质浓度电极在垂直传送单元（4）中。当在垂直方向上传送信号电荷时，施加到垂直传送单元（4）的最终传送电极的驱动信号中的高电平电位与读出时使用的信号的电位相同由光电转换单元（3）生成到垂直传送单元（4）的信号电荷。驱动信号中的低电平电位与垂直传送单元（4）在垂直方向传送信号电荷时使用的信号的最小电位相同。

7. 发明申请

WO2006108927A1 CCD SENSOR AND METHOD FOR EXPANDING DYNAMIC RANGE OF CCD SENSOR 审中-公开
标题翻译： CCD传感器和扩展CCD传感器动态范围的方法
公开(公告)号：WO2006108927A1
公开(公告)日：2006-10-19
申请号：PCT/FI2006/050151
申请日：2006-04-12
申请人： PLANMECA OY , DE GODZINSKY, Christian
发明人： DE GODZINSKY, Christian
IPC分类号： H01L27/148
CPC分类号： H04N5/32 , H01L27/14806 , H01L27/14825 , H01L29/76816 , H04N5/355 , H04N5/35554 , H04N5/37206 , H04N5/37213
摘要： The invention relates to a CCD sensor arrangement (1-1 ), comprising a CCD sensor, which comprises a detector (1-2) which has an active area comprising pixels that receive charges; a read-out register (1-4) in functional connection with the aforesaid active area; means for transferring charges from the active area into the read-out register (1-4); means for transferring charges to the out-put (1-4a, 1-4b) of the read-out register (1-4); at least two, a first and a second read-out well (1-6, 1-8) functionally connected with the read-out register (1-4); and means for transferring charges from the output (1-4a, 1-4b) of read-out register (1-4) into the read-out well (1-6, 1-8). The invention is characterized in that said at least two read-out wells (1-6, 1-8) have different capasities, and means arranged in the sensor or in functional connection with the sensor for measuring the signal generated by the charges, and selection means for deciding at least partly on the basis of the aforesaid measured signal whether the read-out well (1-6, 1-8) to be used is to be changed.
摘要翻译：本发明涉及一种CCD传感器装置（1-1），其包括CCD传感器，其包括检测器（1-2），其具有包括接收电荷的像素的有效区域; 与上述活动区域功能连接的读出寄存器（1-4）; 用于将费用从有效区域转移到读出寄存器（1-4）的手段; 用于将费用转移到读出寄存器（1-4）的输出（1-4a，1-4b）的装置; 至少两个，与读出寄存器（1-4）功能连接的第一和第二读出阱（1-6,1-8）; 以及用于将读出寄存器（1-4）的输出（1-4a，1-4b）的电荷转移到读出阱（1-6,1-8）中的装置。本发明的特征在于，所述至少两个读出孔（1-6,1-8）具有不同的容量，以及布置在传感器中或与传感器功能连接的装置，用于测量由电荷产生的信号，以及选择装置，用于至少部分地基于上述测量信号确定要使用的读出井（1-6,1-8）是否被改变。

8. 发明申请

WO2006011313A1 SOLID STATE IMAGE PIKUP DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD 审中-公开
标题翻译：固态图像剔除装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2006011313A1
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：PCT/JP2005/011103
申请日：2005-06-10
申请人： FUJI PHOTO FILM CO., LTD. , NAGASE, Masanori
发明人： NAGASE, Masanori
IPC分类号： H01L27/148
CPC分类号： H01L27/14683 , H01L27/14812 , H01L29/76816
摘要： PROBLEM To provide a high quality solid state image pickup device. SOLUTION Impurities are implanted into a semiconductor substrate to form vertical transfer channels for transferring electric charges in a first direction and to form a drain near each of the vertical transfer channels via a gate which forms a barrier. A first silicon oxide film, a silicon nitride film and a second silicon oxide film are deposited in this order from the bottom, on the surfaces of the vertical transfer channels, gates and drains. A first layer vertical transfer electrode is formed on the second silicon oxide film above the vertical transfer channel, and an insulating film if formed on the surface of the first layer vertical transfer electrode. The second silicon oxide film and silicon nitride film are etched in such a manner that the silicon nitride film covers the vertical transfer channel and extends above the gate excepting a portion near the drain. A gate control electrode is formed on the insulating film and first silicon oxide film. A plurality of charge accumulation regions are formed in a matrix shape in an area defined on an upstream side of the first direction further than the drains, in such a manner that each column of the charge accumulation regions is formed near each of the vertical transfer channels.
摘要翻译：问题提供高品质固态图像拾取装置。解决方案将杂质注入到半导体衬底中以形成用于沿第一方向传送电荷的垂直传输通道，并且经由形成屏障的栅极在每个垂直传输通道附近形成漏极。该第一氧化硅膜，氮化硅膜和第二氧化硅膜从该底部，垂直传输通道，栅极和漏极的表面依次沉积。第一层垂直转移电极形成在垂直转移通道上方的第二氧化硅膜上，如果形成在第一层垂直转移电极的表面上，则形成绝缘膜。蚀刻第二氧化硅膜和氮化硅膜，使得氮化硅膜覆盖垂直传输沟道并且在栅极附近延伸，除了漏极附近的部分。在绝缘膜和第一氧化硅膜上形成栅极控制电极。多个电荷累积区域形成为在比排水线更远的第一方向的上游侧限定的区域中以矩阵形状，使得电荷累积区域的每列形成在每个垂直传送通道附近。

9. 发明申请

WO1997012402A1 SEMICONDUCTOR CHARGE POTENTIAL WELLS WITH INTEGRATED DIFFUSIONS 审中-公开
标题翻译：具有集成扩散的半导体充电电位阱
公开(公告)号：WO1997012402A1
公开(公告)日：1997-04-03
申请号：PCT/US1996015285
申请日：1996-09-24
申请人： ANALOG DEVICES, INC.
发明人： ANALOG DEVICES, INC. , MUNROE, Scott, C.
IPC分类号： H01L29/768
CPC分类号： H01L29/76816 , H01L29/42396 , H01L29/768 , H01L29/772 , H01L29/7831 , H01L29/94
摘要： A semiconductor device having a semiconductor region including a material of a first predetermined conductivity type; an insulating layer (40) provided on the semiconductor region; a gate electrode (32, 34, 38) provided on the insulating layer, the gate electrode forming a potential well within the semiconductor region in response to a potential being applied thereto; and a diffusion (36) of highly doped material of a second predetermined conductivity type being positioned within the semiconductor region, and which is applied through an opening in the gate electrode and the insulating layer (40), the diffusion (36) being in direct ohmic contact with the potential well. The diffusion (36) can be either a n+ or p+ diffusion. The diffusion (36) accommodates a reduction in lateral time constants of charge redistribution within the potential well, direct sensing of the charge in the well, and injection and extraction of charge to and from the well.
摘要翻译：一种半导体器件，具有包括第一预定导电类型的材料的半导体区域; 设置在所述半导体区域上的绝缘层（40）设置在所述绝缘层上的栅极电极，所述栅极电极响应于施加到所述栅电极的电位而在所述半导体区域内形成势阱; 并且第二预定导电类型的高掺杂材料的扩散（36）位于半导体区域内，并且通过栅电极和绝缘层（40）中的开口施加，扩散（36）直接欧姆接触势阱。扩散（36）可以是n +或p +扩散。扩散（36）可以减少潜在井内的电荷再分配的横向时间常数，直接感测井中的电荷，以及向井和从井的注入和提取电荷。

10. 发明申请

WO2010087277A1 固体撮像装置审中-公开
标题翻译：固态成像装置
公开(公告)号：WO2010087277A1
公开(公告)日：2010-08-05
申请号：PCT/JP2010/050776
申请日：2010-01-22
申请人：浜松ホトニクス株式会社 , 鈴木久則 , 米田康人 , ▲高▼木慎一郎 , 前田堅太郎 , 村松雅治
发明人：鈴木　久則 , 米田　康人 , ▲高▼木　慎一郎 , 前田　堅太郎 , 村松　雅治
IPC分类号： H04N5/335 , H01L27/148
CPC分类号： H01L27/14806 , H01L29/76816
摘要：　一実施形態に係る固体撮像装置は、マルチポート型の固体撮像装置であって、撮像領域、及び、複数のユニットを備えている。撮像領域は、複数の画素列を有している。複数のユニットは、撮像領域からの電荷に基づく信号を生成するものである。複数のユニットの各々は、出力レジスタ、複数の増倍レジスタ、及び、アンプを有している。出力レジスタは、複数の画素列のうち一以上の対応の画素列からの電荷を転送する。複数の増倍レジスタは、並列に設けられており、出力レジスタからの電荷を受けて個別に増倍された電荷を生成する。アンプは、複数の増倍レジスタからの増倍された電荷に基づく信号を生成する。
摘要翻译：固态成像装置是多端口固态成像装置，并具有成像区域和多个单元。成像区域具有多行像素。多个单元基于来自成像区域的电荷产生信号。多个单元中的每一个设置有输出寄存器，多个乘法器寄存器和放大器。输出寄存器从多个像素行中的一个或多个相应行的像素传送电荷。并行提供多个乘法器寄存器，以响应于来自输出寄存器的电荷而产生单独的乘法电荷。放大器基于来自多个乘法器寄存器的相乘电荷产生信号。

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