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1. 发明申请

WO2016189792A1 SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS 审中-公开
标题翻译：半导体器件和电子设备
公开(公告)号：WO2016189792A1
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：PCT/JP2016/002000
申请日：2016-04-13
申请人： SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
发明人： OTAKE, Yusuke , WAKANO, Toshifumi
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/307 , H01L23/481 , H01L27/14603 , H01L27/14605 , H01L27/14607 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14638 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14645 , H01L27/14667 , H01L27/281 , H01L27/286 , H01L51/441
摘要： A semiconductor device includes a plurality of pixels arranged in a two-dimensional array, each pixel of the plurality of pixels including a photoelectric conversion film configured to photoelectrically convert light of a first wavelength and pass light of a second wavelength, and a photoelectric conversion unit configured to photoelectrically convert the light of the second wavelength. The semiconductor device may further include a charge storage unit configured to store charge received from the photoelectric conversion unit of each pixel in a pixel group, wherein the pixel group includes adjacent pixels among the plurality of pixels, a plurality of through electrodes, and a wiring layer coupled to the photoelectric conversion film of each pixel of the plurality of pixels by at least one through electrode of the plurality of through electrodes. The present technology can be applied to a solid-state imaging element.
摘要翻译：半导体器件包括以二维阵列排列的多个像素，所述多个像素中的每个像素包括被配置为对第一波长的光进行光电转换并通过第二波长的光的光电转换膜，以及光电转换单元被配置为光电转换第二波长的光。半导体器件还可以包括电荷存储单元，其被配置为存储从像素组中的每个像素的光电转换单元接收的电荷，其中所述像素组包括所述多个像素中的相邻像素，多个通孔和布线层通过所述多个通孔的至少一个贯通电极耦合到所述多个像素中的每个像素的所述光电转换膜。本技术可以应用于固态成像元件。

2. 发明申请

WO2016158618A1 撮像装置审中-公开
标题翻译：成像装置
公开(公告)号：WO2016158618A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/JP2016/059233
申请日：2016-03-23
申请人：株式会社ニコン
发明人：和泉　昭
IPC分类号： H04N5/369 , G02B7/34 , G03B13/36 , H01L27/146 , H04N9/07
CPC分类号： H04N5/23212 , H01L27/286 , H01L27/307 , H04N5/2258 , H04N5/23229 , H04N5/23254 , H04N5/23258 , H04N5/3696 , H04N9/045
摘要：　撮像装置は、入射光を受光し、第１の方向に配置された第１および第２の光電変換部を有する第１画素を含む第１の撮像素子と、第１の撮像素子を透過する光を受光し、第１の方向とは異なる第２の方向に配置された第３および第４の光電変換部を有する第２画素を含む第２の撮像素子と、を備える。
摘要翻译：该成像装置设置有：第一成像元件，其接收入射光，并且包括具有沿第一方向排列的第一和第二光电转换部的第一像素; 以及第二成像元件，其接收透过所述第一摄像元件的光，并且包括第二像素，所述第二像素具有沿与第一方向不同的第二方向排列的第三和第四光电转换部。

3. 发明申请

WO2016156546A1 SPECIFIC N AND P ACTIVE MATERIALS FOR ORGANIC PHOTOELECTRIC CONVERSION LAYERS IN ORGANIC PHOTODIODES 审中-公开
标题翻译：有机光电转换层的特殊N和P活性材料
公开(公告)号：WO2016156546A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/EP2016/057165
申请日：2016-03-31
申请人： SONY CORPORATION , SONY DEUTSCHLAND GMBH
发明人： ROSSELLI, Silvia , MITEVA, Tzenka , DEICHMANN, Vitor , DANNER, David , FORD, William , CHERCKA, Dennis , YAKUTKIN, Vladimir , SCHELLER, Lars Peter , KNORR, Nikolaus , NELLES, Gabriele
IPC分类号： C07D471/06 , H01L51/00
CPC分类号： C07D471/06 , H01L27/286 , H01L27/307 , H01L51/0053 , H01L51/0062 , H01L51/0067 , H01L51/0072 , H01L51/4253 , Y02E10/549
摘要： The field of the DISCLOSURE lies in active materials for organic image sensors. The present disclosure relates to naphtalene diimide-based molecules and naphtalene diimide dimer-based molecules. The present disclosure relates to transparent N materials and/or to transparent P materials including the molecule(s) according to the present disclosure and their use in absorption layer(s), photoelectric conversion layer(s) and/or an organic image sensor and methods for their synthesis. The present disclosure also relates to photoelectric conversion layer(s) including an active material according to the present disclosure, to a device, including active material(s) according to the present disclosure or photoelectric conversion layer(s) according to the present disclosure. Moreover, the present disclosure relates to an organic image sensor including photoelectric conversion layer(s) according to the present disclosure.
摘要翻译：本发明的领域在于有机图像传感器的活性材料。本发明涉及基于二萘酰亚胺的分子和萘二酰亚胺二聚体基分子。本公开涉及透明N材料和/或包括根据本公开的分子的透明P材料及其在吸收层，光电转换层和/或有机图像传感器中的用途，以及它们的合成方法。本公开还涉及包括根据本公开的活性材料的光电转换层涉及包括根据本公开的活性材料或根据本公开的光电转换层的器件。此外，本公开涉及包括根据本公开的光电转换层的有机图像传感器。

4. 发明申请

WO2014112279A1 固体撮像素子および電子機器审中-公开
标题翻译：固态成像元件和电子器件
公开(公告)号：WO2014112279A1
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：PCT/JP2013/084053
申请日：2013-12-19
申请人：ソニー株式会社
发明人：山口　哲司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/361 , H04N5/369 , H04N5/374
CPC分类号： H01L27/14612 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L27/14665 , H01L27/286 , H01L27/307 , H01L29/16 , H01L29/24 , H01L29/7869 , H04N5/361 , H04N5/369 , H04N5/374
摘要：　固体撮像素子は、第１の半導体からなる基板と、基板上に設けられると共に、基板側から順に第１電極、光電変換層および第２電極を有する光電変換素子と、光電変換素子から信号読み出しを行うための電界効果型の複数のトランジスタとを備える。複数のトランジスタは、転送トランジスタおよび増幅トランジスタを含み、転送トランジスタは、第１の半導体よりもバンドギャップの大きな第２の半導体を含む活性層を有し、ソースおよびドレインのうちの一方の端子が、光電変換素子の第１電極または第２電極を兼ねると共に、他方の端子が、増幅トランジスタのゲートに接続されているものである。
摘要翻译：该固态成像元件设置有：由第一半导体形成的衬底; 光电转换元件，设置在基板上，并从基板侧依次包括第一电极，光电转换层和第二电极; 以及用于读取来自光电转换元件的信号的多个场效应晶体管。多个晶体管包括传输晶体管和放大器晶体管，并且传输晶体管包括有源层，其包含具有比第一半导体更大的带隙的第二半导体。转移晶体管的源极端子和漏极端子之一也用作光电转换元件的第一电极或第二电极，另一端子连接到放大器晶体管的栅极。

5. 发明申请

WO2009011581A1 AN ELECTRONIC DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
标题翻译：电子设备和制造电子设备的方法
公开(公告)号：WO2009011581A1
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：PCT/NL2008/050482
申请日：2008-07-16
申请人： POLYMER VISION LIMITED , SELE, Christoph, Wilhelm , BEENHAKKERS, Monica, Johanna , GELINCK, Gerwin, Hermanus , VAN AERLE, Nicolaas, Aldegonda, Jan, Maria , HUITEMA, Hjalmar, Edzer, Ayco
发明人： SELE, Christoph, Wilhelm , BEENHAKKERS, Monica, Johanna , GELINCK, Gerwin, Hermanus , VAN AERLE, Nicolaas, Aldegonda, Jan, Maria , HUITEMA, Hjalmar, Edzer, Ayco
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/77 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1251 , H01L27/124 , H01L27/1292 , H01L27/283 , H01L27/286 , H01L29/7869
摘要： The invention relates to an electronic device comprising a sequence of a first thin film transistor (TFT) and a second TFT, the first TFT comprising a first set of electrodes separated by a first insulator, the second TFT comprising a second set of electrodes separated by a second insulator, wherein the first set of electrodes and the second set of electrodes are formed from a first shared conductive layer and a second shared conductive layer, the first insulator and the second insulator being formed by a shared dielectric layer. The invention further relates to a method of manufacturing an electronic device.
摘要翻译：本发明涉及一种包括第一薄膜晶体管（TFT）和第二TFT的序列的电子器件，所述第一TFT包括由第一绝缘体隔开的第一组电极，所述第二TFT包括第二组电极，所述第二组电极由第二绝缘体，其中所述第一组电极和所述第二组电极由第一共用导电层和第二共用导电层形成，所述第一绝缘体和所述第二绝缘体由共用介电层形成。本发明还涉及一种制造电子设备的方法。

6. 发明申请

WO2006061000A3 ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR GATE 审中-公开
标题翻译：有机场效应晶体管的栅极
公开(公告)号：WO2006061000A3
公开(公告)日：2006-08-24
申请号：PCT/DE2005002195
申请日：2005-12-06
申请人： POLYIC GMBH & CO KG , BLACHE ROBERT , FIX WALTER , FICKER JUERGEN
发明人： BLACHE ROBERT , FIX WALTER , FICKER JUERGEN
IPC分类号： H01L27/28 , H01L51/10
CPC分类号： H01L51/0512 , H01L27/283 , H01L27/286
摘要： The invention relates to an electronic component, especially an RFID transponder that comprises at least one logic gate (3). Said logic gate (3) is constituted of a plurality of layers applied to a common substrate (10). The layers comprise at least two electrode layers, at least one, especially organic, semiconductor layer (13, 23) applied from a liquid, and an insulating layer (14, 24) and are configured in such a manner that the logic gate comprises at least two differently structured field effect transistors (1, 2). Said field effect transistors (1, 2) are configured from a plurality of functional layers that can be applied to a carrier substrate (10) by a printing or doctor blade process.
摘要翻译：描述了具有至少一个逻辑门（3）的电子部件，特别是RFID应答器，其中逻辑门（3）由施加到公共衬底（10）的多个层形成，至少两个电极层 a，从液体，特别是有机半导体层（13,23）和绝缘体层（14,24）施加并且形成为使得逻辑门包括至少两个不同构造的场效应晶体管（1,2）。场效应晶体管（1,2）由多个功能层形成，这些功能层可以通过印刷或蚀刻施加到载体衬底（10）。

7. 发明申请

WO2017199771A1 固体撮像装置、及び、電子機器审中-公开
标题翻译：固态成像装置和电子装置
公开(公告)号：WO2017199771A1
公开(公告)日：2017-11-23
申请号：PCT/JP2017/017281
申请日：2017-05-02
申请人：ソニー株式会社
发明人：山口　哲司 , 戸田　淳 , 押山　到
IPC分类号： H01L27/146 , G02B5/20 , G02B5/28 , H01L31/10 , H04N5/369 , H04N9/07
CPC分类号： H01L27/307 , G02B5/201 , G02B5/208 , H01L27/146 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/1464 , H01L27/14649 , H01L27/14667 , H01L27/281 , H01L27/286 , H01L31/10 , H04N5/332 , H04N5/3745 , H04N5/378 , H04N9/07
摘要：本技術は、可視光画像の高画質を維持しつつ、高解像度なIR画像を生成することができるようにする固体撮像装置、及び、電子機器に関する。固体撮像装置は、複数の画素を２次元状に配列した画素アレイ部を備え、各画素は、半導体層の上層に形成された第１の光電変換領域と、半導体層に形成された第２の光電変換領域と、色成分に対応した所定の波長領域の光を透過する第１のフィルタと、第１のフィルタとは異なる透過特性を有する第２のフィルタとを有し、第１の光電変換領域及び第２の光電変換領域のうち、一方の光電変換領域により可視光領域の光の光電変換を行うとともに、他方の光電変換領域により赤外光領域の光の光電変換を行い、第１のフィルタは、第１の光電変換領域よりも上層に形成され、第２のフィルタは、第１のフィルタの下層に形成された他方の光電変換領域に吸収される赤外光領域の光の波長を揃える透過特性を有している。
摘要翻译：本技术涉及能够在维持可见光图像的高图像质量的同时生成高分辨率IR图像的固态图像拾取装置和电子设备。该固态成像装置包括被二维布置的多个像素的像素阵列部分，每个像素包括形成在半导体层的上层上的第一光电转换区域，第二形成在半导体层上光电转换区域，使与颜色成分对应的规定的波长区域的光透过的第1滤光器以及具有与第1滤光器不同的透过特性的第2滤光器，其中，第1光电转换通过第一光电转换区域和第二光电转换区域中的一个光电转换区域对可见光区域中的光进行光电转换，并且通过另一光电转换区域对红外光区域中的光进行光电转换，滤光器形成在比第一光电转换区域更上层，并且第二滤光器形成为使得在形成于第一滤光器的下层中的另一光电转换区域中吸收的红外光区域中的光的波长为它具有传输特性来对齐它们。

8. 发明申请

WO2016198382A1 BAUTEIL ZUM DETEKTIEREN ELEKTROMAGNETISCHER STRAHLUNG 审中-公开
标题翻译： COMPONENT用于检测电磁辐射
公开(公告)号：WO2016198382A1
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：PCT/EP2016/062865
申请日：2016-06-07
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V.
发明人： RICHTER, Bernd , WARTENBERG, Philipp , FEHSE, Karsten , JAHNEL, Matthias
IPC分类号： H01L31/101 , H01L27/144 , H01L27/32 , H01L31/12
CPC分类号： H01L27/307 , H01L27/1443 , H01L27/281 , H01L27/286 , H01L27/288 , H01L31/1013 , H01L31/125
摘要： Die Erfindung betrifft ein Bauteil (10; 30) mit einer ersten Funktionsschicht (12; 32) die auf einer ersten Seite eines Substrates (11; 31) abgeschieden ist und mit einer zweiten Funktionsschicht (13; 33) die auf einer der ersten Seite gegenüberliegenden Seite des Substrates (11; 31) abgeschieden ist. Innerhalb der ersten Funktionsschicht (12; 32) ist mindestens ein erstes Element ausgebildet, mittels dem elektromagnetische Strahlung (14; 34) aus einem ersten Wellenlängenbereich detektierbar ist. Innerhalb der zweiten Funktionsschicht (13; 33) ist mindestens ein zweites Element ausgebildet, mittels dem in einer ersten Ausführungsform des Bauteils elektromagnetische Strahlung (15) aus einem zweiten Wellenlängenbereich detektierbar ist, wobei die erste Funktionsschicht (12) und das Substrat (11) bezüglich elektromagnetischer Strahlung (15) aus dem zweiten Wellenlängenbereich transparent sind. In einer alternativen Ausführungsform des Bauteils ist mittels dem mindestens zweiten Element elektromagnetische Strahlung (35) aus einem zweiten Wellenlängenbereich emittierbar. Die Funktionsschichten können aus einem organischen Material bestehen. Mit dem erfindungsgemäßen Bauteil lassen sich multispektrale Sensoren (10) als auch Sensor- Emitter-Systeme (30) realisieren. Derartige Sensor-Emitter-Systeme weisen einen hohen Füllgrad bezüglich der Funktion des Detektierens als auch bezüglich der Funktion des Emittierens elektromagnetischer Strahlung auf.
摘要翻译：本发明涉及一种组件（10; 30），具有第一功能层（12; 32）上的衬底的第一侧（11; 31）被沉积和第二功能层（13; 33）相对于该第一侧的一个衬底的一侧（11; 31）被沉积。内的第一功能层（12; 32）;在检测到第一波长范围的是由电磁辐射（34 14）的装置形成的至少一个第一元件。内的第二功能层（13; 33），通过所述的电磁来自第二波长范围内的分量辐射（15）的第一实施例中检测装置，至少形成一个第二元件，其中所述第一功能层（12）和所述衬底（11）相对于从所述第二波长范围的电磁辐射（15）是透明的。在从第二波长范围的电磁辐射（35）的组件的替代实施例可以通过所述至少第二元件来发射。功能层可以由有机材料制成的。利用本发明的设备是多光谱传感器（10）和传感器 - 发射极系统（30）可以被实现。这样的传感器 - 发射极系统具有高度相对于相对于发射的电磁辐射的检测功能以及功能的填充。

9. 发明申请

WO2016194630A1 光電変換素子および固体撮像装置审中-公开
标题翻译：光电转换元件和固态图像捕获器件
公开(公告)号：WO2016194630A1
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：PCT/JP2016/064887
申请日：2016-05-19
申请人：ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
发明人：長谷川　雄大 , 松澤　伸行 , 尾花　良哲 , 竹村　一郎 , 中山　典一 , 下川　雅美 , 山口　哲司 , 八木　巖 , 茂木　英昭
IPC分类号： H01L51/42 , H01L27/146 , H01L31/10
CPC分类号： H01L27/307 , H01L27/146 , H01L27/14647 , H01L27/14689 , H01L27/286 , H01L31/10 , H01L51/001 , H01L51/0046 , H01L51/0047 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/008 , H01L51/42 , H01L51/4273 , Y02E10/549
摘要：本開示の一実施形態の光電変換素子は、対向配置された第１電極および第２電極と、第１電極と第２電極との間に設けられると共に、互いに異なる母骨格を有する第１有機半導体材料，第２有機半導体材料および第３有機半導体材料を含む光電変換層とを備えたものであり、第１有機半導体材料は、フラーレンまたはフラーレン誘導体であり、第２有機半導体材料は、単層膜の状態における第１有機半導体材料および第３有機半導体材料の各単層膜よりも可視光領域における極大光吸収波長の線吸収係数が高く、第３有機半導体材料は、第２有機半導体材料のＨＯＭＯ準位以上の値を有する。
摘要翻译：根据本公开的实施例的光电转换元件设置有：彼此相对设置的第一电极和第二电极; 以及光电转换层，其设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并且包括第一有机半导体材料，第二有机半导体材料和具有相互不同的骨架的第三有机半导体材料，其中所述第一有机半导体材料为富勒烯或富勒烯衍生物，第二有机半导体材料在单层膜状态下，对于可见光区域中的最大光吸收波长，具有比第一有机半导体材料和第三有机半导体材料的单层膜更高的线性吸收系数并且第三有机半导体材料具有大于或等于第二有机半导体材料的HOMO能级的HOMO电平值。

10. 发明申请

WO2014085469A1 DEPOSITION OF SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS FOR LIGHT EMITTING DEVICES 审中-公开
标题翻译：用于发光器件的半导体纳米晶的沉积
公开(公告)号：WO2014085469A1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：PCT/US2013/072030
申请日：2013-11-26
申请人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
发明人： BULOVIC, Vladimir , SONG, Katherine, Wei , COSTI, Ronny
IPC分类号： B82Y40/00 , H01L33/02
CPC分类号： H01L33/36 , H01L21/02057 , H01L27/286 , H01L33/005 , H01L33/0087 , H01L33/06 , H01L51/4233 , H01L51/502 , Y02E10/549
摘要： A method of depositing semiconductor nanocrystals on a surface can include applying a voltage to the nanocrystals.
摘要翻译：在表面上沉积半导体纳米晶体的方法可以包括向纳米晶体施加电压。

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