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1. 发明申请

WO2009017981A1 APPARATUS AND METHODS FOR TREATING A WORKPIECE USING A GAS CLUSTER ION BEAM 审中-公开
标题翻译：使用气体聚束离子束处理工件的装置和方法
公开(公告)号：WO2009017981A1
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：PCT/US2008/070399
申请日：2008-07-18
申请人： TEL EPION INC. , HAUTALA, John, J.
发明人： HAUTALA, John, J.
IPC分类号： B82B3/00 , H01J37/08
CPC分类号： C23C14/0031 , C23C14/022 , H01J2237/045 , H01J2237/0812 , H01J2237/1518 , H01J2237/20228 , H01J2237/31706 , H01J2237/31732
摘要： Embodiments of an apparatus and methods of forming isolated islands (410, 420, 430, 432, 510) of modified material with a gas cluster ion beam (128) are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed.
摘要翻译：本文通常描述了用气体簇离子束（128）形成改性材料的隔离岛（410,420,430,432,510）的装置和方法的实施例。可以描述和要求保护其他实施例。

2. 发明申请

WO2014028290A1 INDUCTIVELY COUPLED PLASMA ION SOURCE WITH MULTIPLE ANTENNAS FOR WIDE ION BEAM 审中-公开
标题翻译：具有多个天线的电感耦合等离子体源
公开(公告)号：WO2014028290A1
公开(公告)日：2014-02-20
申请号：PCT/US2013/054056
申请日：2013-08-08
申请人： VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人： BILOIU, Costel , OLSON, Joseph C. , BELL, Edward W. , SIERADZKI, Manny
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/16 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32165 , H01J37/32422 , H01J2237/0817 , H01J2237/31706
摘要： A wide ion beam source (10) includes a plurality of RF windows (26,28, 30) arranged in a predetermined relationship, a single plasma chamber (12) disposed on a first side of the plurality of RF windows, a plurality of RF antennas (20, 22, 24), each RF antenna of the plurality of RF antennas disposed on a second side of a respective RF window of the plurality of RF windows, the second side being opposite the first side, and a plurality of RF sources (14, 16, 18), each RF source coupled to a respective RF antenna of the plurality of RF antennas, wherein a difference in frequency of a first RF signal produced by a first RF source coupled to a first RF antenna from that of a second RF signal produced by a second RF source coupled to an RF antenna adjacent to the first RF antenna is greater than 10 kHz.
摘要翻译：宽离子束源（10）包括以预定关系布置的多个RF窗口（26,28,30），设置在多个RF窗口的第一侧上的单个等离子体室（12），多个RF 天线（20,22,24）中，多个RF天线的每个RF天线设置在多个RF窗口的相应RF窗口的第二侧，第二侧与第一侧相对，以及多个RF源（14,16,18），每个RF源耦合到所述多个RF天线中的相应RF天线，其中由耦合到第一RF天线的第一RF源产生的第一RF信号的频率与由耦合到与第一RF天线相邻的RF天线的第二RF源产生的第二RF信号大于10kHz。

3. 发明申请

WO2010055724A1 イオン注入方法およびイオン注入装置审中-公开
标题翻译：离子植入方法和离子植入装置
公开(公告)号：WO2010055724A1
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：PCT/JP2009/065223
申请日：2009-08-31
申请人：日新イオン機器株式会社 , 日野雅泰
发明人：日野　雅泰
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/1472 , H01J2237/31706 , H01L21/26586 , H01L29/6659
摘要：　板のステップ回転を用いることなく、基板の面内に、円形状注入領域と、それを囲んでいて当該円形状注入領域とはドーズ量の異なる外周部注入領域とを形成することができるイオン注入方法等を提供する。このイオン注入方法は、基板（２）の面内におけるイオンビーム（４）の走査速度を可変にして、基板（２）の面内におけるイオンビーム（４）の１片道走査または１往復走査ごとのＸ方向における走査速度分布を、基板（２）のＹ方向の位置に応じて変化させることによって、基板（２）の面内に、円形状注入領域と、それを囲んでいて当該円形状注入領域とはドーズ量の異なる外周部注入領域とを形成するものである。
摘要翻译：公开了一种离子注入方法，其可以在基板的平面中形成，而不使用包围圆形注入区域的板，圆形注入区域和外周注入区域的步进旋转，并且具有不同于该注入区域的剂量的圆形植入区域。离子注入方法使得离子束（4）在衬底（2）的平面中的扫描速率变化，使得扫描速率分布如在X方向上每单向扫描获得的扫描速率分布或扫描速率分布基板（2）的平面中的离子束（4）根据基板（2）在Y方向上的位置而变化，从而在基板的表面形成圆形注入区域和外周注入区域，其包围圆形植入区域并且具有与圆形植入区域不同的剂量。

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