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    • 7. 发明申请
    • METHOD FOR CONTROLLING THE SHAPE OF SYNTHESIS PARTICLES AND FOR PRODUCING MATERIALS AND DEVICES CONTAINING ORIENTED ANISOTROPIC PARTICLES AND NANOSTRUCTURES
    • 用于控制合成颗粒的形状和用于生产包含定向的各向异性颗粒和纳米结构的材料和装置的方法
    • WO00015545A1
    • 2000-03-23
    • PCT/RU1999/000091
    • 1999-03-30
    • B82B3/00B22F9/30G11B5/62G11B5/845H01F1/00H01F41/30
    • B82Y25/00B82Y10/00B82Y40/00G11B5/62H01F1/0045H01F1/0072H01F41/30
    • The present invention relates to a method for controlling the shape of synthesis particles and for producing materials and devices containing extended and oriented nanostructures, wherein said method comprises a plurality of processes that involve shaping and growing particles under the action of external electric and magnetic fields. This method is used for producing discrete, metal-containing magnetic particles, including metallic amorphous ones, having a shape that can be modified in a predetermined manner. The particles are thus modified from a spherical or disc shape into an anisotropic, ellipsoidal and acicular shape with characteristic dimensions ranging from one to several hundreds of nanometers. This method is also used for producing chain clusters of particles. It is also possible to produce oriented, metallic and thread-shaped nanostructures (nanotubes) having a cross-sectional diameter of approximately 10 nm or less, as well as mono- or multi-layered systems on a solid substrate. This method can be used in the production of metallo-polymeric materials, including thin-film ones, which are used for the production of functional elements in electronics, nanotechnologies, electrical engineering as well as in optics and non-linear optics systems and devices. This method can further be used for the production of new magnetic memory elements and magnetic information carriers, as well as in the production of colloidal particles used in magnetic and magneto-rheologic fluids and in the production of absorbent protective coatings.
    • 本发明涉及一种用于控制合成颗粒形状和用于生产含有延伸和定向纳米结构的材料和装置的方法,其中所述方法包括在外部电场和磁场的作用下成形和生长颗粒的多个方法。 该方法用于生产具有可以预定方式修饰的形状的离散的含金属磁性颗粒,包括金属非晶体磁性颗粒。 因此,颗粒从球形或盘状变为各向异性,椭圆形和针状,其特征尺寸范围为一至几百纳米。 该方法也用于生产颗粒链簇。 还可以生产具有约10nm或更小的截面直径的取向的金属和线形纳米结构(纳米管),以及固体基底上的单层或多层系统。 该方法可用于生产包括薄膜的金属 - 聚合物材料,其用于生产电子学,纳米技术,电气工程以及光学和非线性光学系统和器件中的功能元件。 该方法可以进一步用于生产新的磁存储元件和磁信息载体,以及用于磁性和磁流变流体中使用的胶体颗粒的生产以及生产吸收性保护涂层。
    • 8. 发明申请
    • 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자
    • 用于制造有机发光二极管的轻提取基板,有机发光二极管的光提取基板和包括其的有机发光二极管的方法
    • WO2016036151A1
    • 2016-03-10
    • PCT/KR2015/009273
    • 2015-09-03
    • 코닝정밀소재 주식회사
    • 최은호김서현이주영김동현김의수
    • H01L51/56H01L51/54H01L51/52
    • H01L51/5268B03C1/015H01F1/0045H01F1/0063H01F41/24H01F41/30H01L51/5215H01L51/56H01L2251/303
    • 본 발명은 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에 관한 것으로서 더욱 상세하게는 매트릭스 층 내부에 분포되는 광 산란입자의 분산성 및 기판 부착력을 향상시킴으로써, 유기발광소자의 광추출 효율 및 구조적인 안정성을 증가시킬 수 있는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은, 투명 자성 나노입자를 휘발성의 제1 용액과 혼합하는 제1 혼합단계; 상기 제1 혼합단계를 통해 만들어진 혼합액 및 광 산란입자를 비자성 산화물 입자를 포함하는 제2 용액과 혼합하는 제2 혼합단계; 상기 제2 혼합단계를 통해 만들어진 코팅액을 베이스 기판 상에 코팅하는 코팅단계; 및 상기 베이스 기판의 하부에서 상기 코팅액 측으로 자기장을 인가하여, 상기 코팅액 내부에 포함되어 있는 상기 투명 자성 나노입자를 자기 정렬시키는 자기장 인가단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법을 제공한다.
    • 本发明涉及一种制造有机发光二极管的光提取基板的方法,更具体地说,涉及一种能够提高光提取效率和结构的有机发光二极管的光提取基板的制造方法 通过提高分散在基质层内的光散射粒子的分散性和底物粘合性,有机发光二极管的稳定性。 为此,本发明提供一种制造有机发光二极管的光提取基板的方法,该方法包括:将透明磁性纳米颗粒与挥发性第一溶液混合的第一混合步骤; 第二混合步骤,与包含非磁性氧化物颗粒的第二溶液,通过第一混合步骤形成的混合液体和光散射颗粒混合; 涂布步骤,用通过第二混合步骤形成的涂布溶液涂覆基底基材; 以及磁场施加步骤,对基底基板的下部的涂布液侧施加磁场,使磁性对准包含在涂布液内的透明磁性纳米粒子。
    • 9. 发明申请
    • スピン注入電極の製造方法
    • 旋转注射电极生产方法
    • WO2012070217A1
    • 2012-05-31
    • PCT/JP2011/006463
    • 2011-11-21
    • パナソニック株式会社小田川 明弘松川 望
    • 小田川 明弘松川 望
    • H01L29/82C01B31/02
    • H01L43/12H01F10/1936H01F41/205H01F41/30
    •  本発明の製造方法は、多層のグラフェンと、これに接する強磁性体であるFe 3 O 4 を含む鉄酸化物とを準備する第1のステップと;グラフェンと鉄酸化物との間にグラフェン側を正とする電圧または電流を印加して、グラフェンの一部、またはグラフェンおよびFe 3 O 4 の一部を酸化させて、酸化グラフェン、または酸化グラフェンおよびFe 2 O 3 により構成される障壁層をグラフェンと鉄酸化物との間に形成することにより、グラフェンと鉄酸化物とグラフェンおよび鉄酸化物の界面に配置された障壁層とを備え、鉄酸化物からグラフェンへ障壁層を介してスピンを注入しうるスピン注入電極を形成する第2のステップと;を含む。本発明の製造方法によれば、グラフェンに対する高効率のスピン注入を実現しうるスピン注入電極が得られる。
    • 该制造方法包括:制备与石墨烯接触的多层石墨烯和铁磁性含Fe 3 O 4的氧化铁的第一工序; 以及第二步骤,用于将石墨烯和氧化铁之间的电压或电流与石墨烯侧作为石墨烯或部分石墨烯和Fe 3 O 4的正氧化部分,并形成由氧化石墨烯构成的阻挡层或 氧化石墨烯和石墨烯与氧化铁之间的Fe 2 O 3,从而提供石墨烯,氧化铁和设置在石墨烯和氧化铁界面处的阻挡层,并形成能够从氧化铁中注入自旋的自旋注入电极 通过阻挡层进入石墨烯。 该制造方法可以获得能够实现石墨烯的高效自旋注入的自旋注入电极。
    • 10. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ELEMENTS, UMFASSEND EINE VIELZAHL VON NANOZYLINDERN AUF EINEM SUBSTRAT, UND DESSEN VERWENDUNG
    • 方法制作元件包含纳米气缸各种在基底上,它的使用
    • WO2007131617A1
    • 2007-11-22
    • PCT/EP2007/003792
    • 2007-04-28
    • FORSCHUNGSZENTRUM KARLSRUHE GMBHELLRICH, JensYONG, LeiHAHN, Horst
    • ELLRICH, JensYONG, LeiHAHN, Horst
    • H01F1/00H01F41/30
    • H01F1/009B82Y25/00B82Y40/00H01F1/0081H01F10/123H01F10/14H01F10/3286H01F41/30
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Elements aus einem Substrat, auf das eine Vielzahl von Nanozylindern aufgebracht ist, wobei jeder Nanozylinder mindestens vier übereinander liegende Schichten aus 1 bis 10 Atomlagen aufweist. Diese Schichten bestehen abwechselnd aus Atomen M eines magnetischen Elements und Atomen X eines nicht-magnetischen Elements, wobei vorzugsweise für M = Fe, Co oder Ni und für X = Pd, Pt, Rh oder Au gewählt werden. Die Anzahl und Dicke der Schichten beeinflussen die magnetischen Eigenschaften der Nanozylinder. Hierzu wird zunächst ein bereitgestelltes Substrat mit einer nanoporösen Membran aus Al 2 O 3 bedeckt. Anschließend wird das mit der nanoporösen Membran bedeckte Substrat abwechselnd mit Atomen M eines magnetischen Elements und Atomen X eines nicht-magnetischen Elements bedampft. Schließlich wird die Membran entfernt, so dass an Stelle der Poren der Membran Nanozylinder stehen bleiben. Ein erfindungsgemäß hergestelltes Element lässt sich als magnetisches Speichermedium, Schaltelement oder Sensor verwenden.
    • 本发明涉及一种方法,用于被施加多个纳米气缸,每个气缸具有气缸纳米至少1至10个原子层4重叠的层产生从衬底的一个项目。 这些层包括一个非磁性元素,其中优选地选择用于M =铁,钴或镍和X =钯,铂,铑或Au的磁性元素的原子M和X原子交替。 所述层的数量和厚度影响所述纳米圆柱体的磁特性。 为此,具有纳米多孔膜安装基片由Al 2 0 3 首先覆盖。 随后,将覆盖有纳米多孔膜基材交替蒸镀原子的磁性元素和非磁性元素的X原子的M个。 最后,将膜去除,所以仍然站在到位膜纳米圆柱体的孔中。 一个本发明制备的元件可以用作磁性存储介质,切换元件或传感器。