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    • 8. 发明申请
    • 熱アシスト磁気記録媒体及び磁気記憶装置
    • 热辅助磁记录介质和磁记录装置
    • WO2011027880A1
    • 2011-03-10
    • PCT/JP2010/065207
    • 2010-09-06
    • 昭和電工株式会社神邊 哲也佐々木 有三橋本 篤志
    • 神邊 哲也佐々木 有三橋本 篤志
    • G11B5/738G11B5/02G11B5/64
    • G11B5/7325G11B5/65G11B5/82G11B2005/0021
    • 微弱な加熱パワーでも磁性層を200℃以上まで加熱でき、かつ、加熱後の冷却速度が十分に速い、1Tbit/inch 2 以上の面記録密度を有する熱アシスト磁気記録媒体を実現することを課題とする。基板(101)上に下地層を介してL1 0 構造のFePt合金、もしくはCoPt合金を主成分とする磁性層(108)が形成されており、該磁性層(108)が、BCC構造を有し、かつ、格子定数が2.97Å以下の金属もしくは合金からなる圧縮応力導入層(103a)、(104a)、(105a)、(106a)と、複数のMgO層(103b)、(104b)、(105b)、(106b)とが交互に積層された積層膜(107)上に形成されている熱アシスト磁気記録媒体を用いることにより、上記課題を解決できる。
    • 公开了具有不小于1Tbit / inch2的表面记录密度的热辅助磁记录介质,其中即使加热功率弱,加热后的冷却速度也可将磁性层加热至不低于200℃的温度 足够高。 具体公开了一种热辅助磁记录介质,其中主要由具有L10结构的FePt合金或CoPt合金构成的磁性层(108)形成在基板(101)上,基底层插入其间,磁性层 在具有BCC结构并由晶格常数不大于2.97的金属或合金形成的压应力导入层(103a,104a,105a,106a)的多层膜(107)上形成层(108) 和多个MgO层(103b,104b,105b,106b)交替布置。