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    • 2. 发明申请
    • FLASH MEMORY WITH TARGETED READ SCRUB ALGORITHM
    • 具有指定读取SCRUB算法的闪存
    • WO2013191870A1
    • 2013-12-27
    • PCT/US2013/043692
    • 2013-05-31
    • SANDISK TECHNOLOGIES INC.
    • SPROUSE, Steven, T.BAUCHE, AlexandraHUANG, YichaoCHEN, JianHUANG, JianminLEE, Dana
    • G11C16/34
    • G11C16/3418G11B20/18G11B20/1883G11C16/3427G11C16/3431
    • A method and system have been described for counteracting and correcting for read disturb effects in blocks of flash memory. The method may include the step of a controller of the memory system performing a read scrub scan on only a portion of one targeted word line in a block at desired intervals. The controller may calculate whether a read scrub scan is necessary based on a probabilistic determination that is calculated in response to each received host read command. The controller may then place a block associated with the targeted word line into a refresh queue if a number of errors are detected in the targeted word line that meets or exceeds a predetermined threshold. The block refresh process may include copying the data from the block into a new block during a background operation.
    • 已经描述了用于抵消和校正闪速存储器块中的读取干扰效应的方法和系统。 该方法可以包括存储器系统的控制器的步骤,其以期望的间隔仅在块中的一个目标字线的一部分上执行读取擦除扫描。 控制器可以基于响应于每个接收的主机读取命令而计算的概率确定来计算是否需要读取擦除扫描。 然后,如果在满足或超过预定阈值的目标字线中检测到多个错误,则控制器然后可以将与目标字线相关联的块放置到刷新队列中。 块刷新过程可以包括在后台操作期间将数据从块复制到新块中。
    • 3. 发明申请
    • DYNAMIC HIGHER-LEVEL REDUNDANCY MODE MANAGEMENT WITH INDEPENDENT SILICON ELEMENTS
    • 采用独立硅元素的动态高级别冗余模式管理
    • WO2012075200A3
    • 2012-08-16
    • PCT/US2011062726
    • 2011-11-30
    • LSI CORPWERNER JEREMYBARYUDIN LEONIDCANEPA TIMOTHYCOHEN EARL
    • WERNER JEREMYBARYUDIN LEONIDCANEPA TIMOTHYCOHEN EARL
    • G06F12/16G06F11/08
    • G11B20/1883G06F11/1044G06F11/108H03M13/353
    • A Solid-State Disk (SSD) controller enables dynamic higher-level redundancy mode management with independent silicon elements to provide graceful degradation as non-volatile (e.g. flash) memory elements fail during operation of an SSD implemented by the controller. Higher-level error correction provides correction of lower-level uncorrectable errors. If a failure of one of the non-volatile memory elements is detected, then the higher-level error correction is dynamically transitioned from operating in a current mode to operating in a new mode. The transition includes one or more of reducing free space available on the SSD, rearranging data storage of the SSD, recovering/storing failed user data (if possible), and determining/storing revised higher-level error correction information. Operation then continues in the new mode. If another failure of the non-volatile memory elements is detected, then another transition is made to another new mode.
    • 固态硬盘(SSD)控制器使得具有独立硅元件的动态更高级冗余模式管理能够在非易失性(例如闪存)存储器元件在由控制器实现的SSD的操作期间失败时提供适度的降级。 更高级别的纠错功能可纠正较低级别的不可纠正错误。 如果检测到非易失性存储器元件之一的故障,则较高级别的错误校正从在当前模式下操作动态地转换到在新模式下操作。 转换包括减少SSD上可用的空闲空间,重新安排SSD的数据存储,恢复/存储失败的用户数据(如果可能)以及确定/存储修改的更高级别的纠错信息中的一个或多个。 然后操作以新模式继续。 如果检测到非易失性存储器元件的另一个故障,则对另一新模式进行另一转换。
    • 7. 发明申请
    • RECORDING MEDIUM, DATA RECORDING/REPRODUCING METHOD, AND DATA RECORDING/REPRODUCING APPARATUS
    • 记录介质,数据记录/再现方法和数据记录/再现装置
    • WO2010131857A2
    • 2010-11-18
    • PCT/KR2010/002787
    • 2010-05-03
    • LG ELECTRONICS INC.PARK, Yong CheolKWON, Hyug JinKIM, Sung Hoon
    • PARK, Yong CheolKWON, Hyug JinKIM, Sung Hoon
    • G11B7/007G11B20/12G11B20/18G11B20/10
    • G11B20/1883G11B2020/1826G11B2220/20G11B2220/216G11B2220/2541
    • A recording medium, a data recording/reproducing method and a data recording/reproducing apparatus are disclosed. A recording medium comprises a data zone where user data are recorded; an inner zone located at an inner circumference of the data zone; and an outer zone located at an outer circumference of the data zone, wherein the data zone includes at least one spare area, and at least one of the inner zone and the outer zone includes at least one disc management area, the disc management area including: defect management information of the recording medium; general management information including information of the defect management information; and address information of the spare area that can be used as a defective replacement cluster, the general management information including address information per cluster of the disc management area where the defect management information is recorded. According to the recording medium, the data recording/reproducing method and the data recording/reproducing apparatus of the present invention, the defect occurring in the recording medium can be managed more efficiently.
    • 公开了一种记录介质,数据记录/再现方法和数据记录/再现装置。 记录介质包括记录用户数据的数据区; 位于数据区的内圆周的内区; 以及位于所述数据区的外围的外部区域,其中所述数据区域包括至少一个备用区域,并且所述内部区域和所述外部区域中的至少一个包括至少一个盘管理区域,所述盘管理区域包括 :记录介质的缺陷管理信息; 一般管理信息,包括缺陷管理信息的信息; 以及可以用作有缺陷的替换簇的备用区的地址信息,一般管理信息包括记录有缺陷管理信息的盘管理区的每个簇的地址信息。 根据记录介质,本发明的数据记录/再现方法和数据记录/再现装置可以更有效地管理记录介质中出现的缺陷。
    • 8. 发明申请
    • 情報記録媒体、情報記録方法、情報記録装置、情報再生方法および情報再生装置
    • 信息记录介质,信息记录方法,信息记录装置,信息再现方法和信息再现装置
    • WO2010128590A1
    • 2010-11-11
    • PCT/JP2010/003064
    • 2010-04-28
    • パナソニック株式会社高橋宜久伊藤基志
    • 高橋宜久伊藤基志
    • G11B20/12G11B7/004G11B7/0045G11B20/10G11B20/18G11B27/00
    • G11B20/1883G11B2020/1826G11B2220/20G11B2220/2541G11B2220/2562
    •  スペア領域内に存在する欠陥クラスタを欠陥エントリで管理しようとすると、多層化などに伴ってスペア領域サイズが増加するほどDFLサイズも自動的に大きくなってしまう課題がある。本発明の情報記録媒体は、スペア領域各々に対応する次に使用可能な位置を示すポインタ情報を持ち、かつスペア領域の使用方向に制限をつける。さらにスペア領域内の欠陥クラスタを示す欠陥エントリをDFLに備える。これにより、スペア領域15のサイズが大きくなったとしても、DFL21のサイズはコンパクトに抑えることができる。また、物理再フォーマットを行った後も、スペア領域15中の欠陥クラスタに対して欠陥であることを認識して、そこを交替クラスタとして再割り当てしない(使用しない)ように制御することができる。
    • 尝试使用缺陷条目来管理位于备用区域内的有缺陷的集群,存在这样的问题:随着诸如层数增加的因素伴随着备用区域大小的增加,DFL大小也自动增加。 所提供的信息记录介质携带指示信息,指示对于每个备用区域,相应的下一可用位置。 信息记录介质还限制可以使用备用区域的方向,并且在DFL中提供指示备用区域中的缺陷簇的缺陷条目。 这使得即使备用区域(15)的尺寸增加,DFL(21)也保持紧凑。 此外,即使在物理重新格式化之后,也可以验证备用区域(15)中的有缺陷的簇是否有缺陷,并阻止它们被重新分配(使用)作为替换簇。