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    • 1. 发明申请
    • 多結晶シリコンの結晶粒径分布の評価方法
    • 评估多晶硅晶粒尺寸分布的方法
    • WO2014208007A1
    • 2014-12-31
    • PCT/JP2014/002925
    • 2014-06-03
    • 信越化学工業株式会社
    • 宮尾 秀一祢津 茂義
    • G01N23/207C01B33/02C30B29/06
    • G01N23/207C01B33/02C30B13/00C30B15/00C30B29/06G01N2223/3306G01N2223/606
    •  多結晶シリコンの結晶粒径分布をX線回折法により評価するにあたり、採取した円板状試料(20)をミラー指数面<hkl>からのブラッグ反射が検出される位置に配置し、スリットにより定められるX線照射領域が円板状試料(20)の主面上をφスキャンするように円板状試料(20)の中心を回転中心として回転角度φで面内回転させ、ブラッグ反射強度の円板状試料(20)の回転角度(φ)依存性を示すチャートを求め、さらに、該φスキャン・チャートのベースラインの回折強度の単位回転角度当たりの変化量を1次微分値で求める。そして、該変化量の絶対値を正規分布化した際の歪度を算出し、この歪度を結晶粒径分布の評価指標として用い、単結晶シリコン製造用原料として好適な多結晶シリコンを選択する。
    • 在使用X射线晶体学评价多晶硅的晶粒尺寸分布的情况下,将收集的盘状样品(20)设置在检测到来自米勒分度平面的布拉格反射的位置,盘状样品在 以盘状样品(20)的中心为旋转角的旋转角度ψ的平面,使得由狭缝ø限定的X射线照射区域扫描盘状样品(20)的主表面,表示 寻求布拉格反射强度对盘状样品(20)的旋转角(ø)的依赖性,并且在基础上的每单位旋转角度的衍射强度变化量 扫描图被寻求作为一阶导数。 另外,计算出变化量的绝对值的正态分布中的偏斜量,将该偏斜用作结晶粒度分布的评价指标,以及适合作为原料使用的多晶硅 选择单晶硅的生产。
    • 2. 发明申请
    • 多結晶シリコン中の局所配向ドメインの評価方法
    • 用于评估多晶硅中定位方位的方法
    • WO2014192245A1
    • 2014-12-04
    • PCT/JP2014/002609
    • 2014-05-19
    • 信越化学工業株式会社
    • 宮尾 秀一祢津 茂義
    • G01N23/20C01B33/02
    • G01N23/20G01N2223/602G01N2223/604G01N2223/606
    •  多結晶シリコンの局所配向ドメインをX線回折法により評価するにあたり、採取した板状試料(20)をミラー指数面<hkl>からのブラッグ反射が検出される位置に配置し、スリットにより定められるX線照射領域が円板状試料(20)の主面上をφスキャンするように円板状試料(20)の中心を回転中心として回転角度φで面内回転させ、ミラー指数面<hkl>からのブラッグ反射強度の円板状試料(20)の回転角度(φ)依存性を示すチャートから、ピークトップとベースラインの回折強度を求め、ピークトップの値をベースラインの値で除した値を局所配向ドメインの評価指標として用いる。
    • 当使用X射线衍射法评估多晶硅中的局部取向域时,收集的板状样品(20)被布置在从米勒指数平面检测到布拉格反射的位置处; 使盘形样品(20)经历面旋转旋转角度&phgr; 围绕盘状样品(20)的中心处的旋转中心,以在狭缝的主要面上扫描由狭缝限定的X射线照射区域; 峰值顶点和基线衍射强度由表示圆盘形样品(20)旋转角度的图表计算,与米勒折射率平面的布拉格反射强度的相关性; 将峰顶值除以基线值所得到的值作为局部取向域的评价指标。