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1. 发明申请

WO2014093304A3 SENSOR WITH AN EMBEDDED THERMISTOR FOR PRECISE LOCAL TEMPERATURE MEASUREMENT 审中-公开
标题翻译：带有嵌入式热敏电阻的传感器，用于精确的局部温度测量
公开(公告)号：WO2014093304A3
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：PCT/US2013074051
申请日：2013-12-10
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , GRAHAM ANDREW , FEYH ANDO , O'BRIEN GARY
发明人： GRAHAM ANDREW , FEYH ANDO , O'BRIEN GARY
IPC分类号： B81B7/00 , G01K7/22
CPC分类号： G01K7/226 , B81B7/008 , B81B7/0087 , B81B2201/0264 , B81B2207/03 , Y10T29/49085
摘要： A resistive temperature sensor (thermistor) for a microelectromechanical system (MEMS) device provides local temperatures of MEMS sensors and other MEMS devices for temperature compensation. Local accurate temperatures of the sensors and other devices provide for temperature compensation of such sensors or devices. By incorporating the thermistor structure into a MEMS device, an accurate temperature is sensed and measured adjacent to or within the structural layers of the device. In one embodiment, the thermistor is located within a few micrometers of the primary device.
摘要翻译：用于微机电系统（MEMS）器件的电阻温度传感器（热敏电阻）提供用于温度补偿的MEMS传感器和其他MEMS器件的局部温度。传感器和其他设备的本地准确温度提供这些传感器或设备的温度补偿。通过将热敏电阻结构结合到MEMS器件中，可以在器件的结构层附近或内部检测和测量精确的温度。在一个实施例中，热敏电阻位于主装置的几微米内。

2. 发明申请

WO2004099063A2 RADIATION SENSOR, WAFER, SENSOR MODULE, AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF A RADIATION SENSOR 审中-公开
标题翻译：辐射传感器，WAFER，传感器模块与一种用于生产辐射传感器
公开(公告)号：WO2004099063A2
公开(公告)日：2004-11-18
申请号：PCT/EP2004004841
申请日：2004-05-06
申请人： PERKINELMER OPTOELECTRONICS , HAUSNER MARTIN , SCHILZ JUERGEN , PLOTZ FRED , KARAGOEZOGLU HERMANN
发明人： HAUSNER MARTIN , SCHILZ JUERGEN , PLOTZ FRED , KARAGOEZOGLU HERMANN
IPC分类号： G01J5/10 , G01K7/02 , G01K7/22 , B81B3/00 , G01J5/12 , H01L35/02 , H01L35/32
CPC分类号： G01J5/02 , G01J5/0225 , G01J5/023 , G01J5/04 , G01J5/046 , G01J5/12 , G01K7/028 , G01K7/226 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： Disclosed is a radiation sensor (10) comprising a support (1), a lowered area (2) that is embodied within a surface of the support (1) and can represent a depression or a through hole, a sensor element (4, 4a, 4b) which is embodied above the lowered area (2), preferably on a membrane (3) spanning the lowered area (2), and electrical contacts (5, 5a, 5b) for the sensor element (4, 4a, 4b). The lowered area (2) has an entirely or partly rounded contour (2a) within the surface of the support (1).
摘要翻译：一种辐射传感器（10）具有：（a支架（1），入载体的表面（1）形成的模具（2），其可以是一个凹部或通孔，一个在模具（2），优选在模具 2）跨越所述膜（3），形成传感器元件（4，4A，4B）和电触点（5，5A，5B）的传感器元件（4，4A，4B）。在载体（1）的表面上的模头（2）是完全或部分圆形的轮廓（2A）。

3. 发明申请

WO2013147310A1 温度センサ审中-公开
标题翻译：温度感应器
公开(公告)号：WO2013147310A1
公开(公告)日：2013-10-03
申请号：PCT/JP2013/060137
申请日：2013-03-26
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：田中　寛 , 稲場　均 , 竹島　一太 , 長友　憲昭
IPC分类号： G01K7/22 , H01C7/04
CPC分类号： G01K7/226 , G01K7/22 , H01C7/008 , H01C7/04
摘要：フィルムを折り曲げた際にＴｉＡｌＮのサーミスタ材料層にクラックが生じ難く、さらにフィルム等に非焼成で直接成膜することができ、高い耐熱性を有して信頼性が高い温度センサを提供する。絶縁性フィルム２と、該絶縁性フィルム上にＴｉＡｌＮのサーミスタ材料で形成された薄膜サーミスタ部３と、互いに対向した一対の対向電極部４ａを薄膜サーミスタ部上に配して絶縁性フィルム上に形成された一対のパターン電極４とを備え、一対の対向電極部が、互いが対向した間の領域を除く薄膜サーミスタ部の表面を全て覆っている。
摘要翻译：提供一种温度传感器，其在膜折叠时不易在TiAlN热敏电阻材料层中产生裂纹，可以在膜等上直接形成为膜而不烧制，并且具有高可靠性和高耐热性。该温度传感器设置有：绝缘膜（2）; 在绝缘膜上由TiAlN热敏电阻材料形成的薄膜热敏电阻部分（3）; 以及一对图案化电极（4），其在绝缘膜上形成有设置在薄膜热敏电阻部分上的一对面对电极部分（4a），所述一对相对电极部分彼此面对。一对面对电极部分覆盖薄膜热敏电阻部分的整个表面，除了面对电极部分之间的区域。

4. 发明申请

WO01081881A1 METHOD FOR MEASURING TEMPERATURE IN A WIDE RANGE USING A TUNNEL JUNCTION 审中-公开
标题翻译：使用隧道结测量宽范围温度的方法
公开(公告)号：WO01081881A1
公开(公告)日：2001-11-01
申请号：PCT/FI2001/000395
申请日：2001-04-25
IPC分类号： G01K7/22
CPC分类号： G01K7/226
摘要： The invention relates to a method for measuring temperature T over a wide range by exploiting a tunnel junction (10), in which the tunnel junction (10) includes two metallic conductors (7, 8) and a thin insulation (9) between them. The resistance R of this is measured over the linear section of the voltage-current curve and the temperature T is determined from the equation: (1), in which R0 is a previously calibrated constant and T0 is a material constant.
摘要翻译：本发明涉及一种通过利用隧道结（10）在宽范围内测量温度T的方法，其中隧道结（10）包括两个金属导体（7,8）和它们之间的薄绝缘体（9）。电阻R的电阻R在电压 - 电流曲线的线性部分测量，温度T由下式确定：（1）其中R0是先前校正的常数，T0是材料常数。

5. 发明申请

WO2015108465A1 ARRANGEMENT AND METHOD FOR MEASURING TEMPERATURE 审中-公开
标题翻译：用于测量温度的布置和方法
公开(公告)号：WO2015108465A1
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：PCT/SE2014/051577
申请日：2014-12-29
申请人： CONFLUX AB
发明人： FRANCKE, Tom
IPC分类号： G01K7/00 , G01K7/02 , G01K7/16
CPC分类号： G01K7/22 , G01K1/20 , G01K7/226
摘要： An arrangement for measuring temperature comprises a temperature sensor (11) including a main section (12) and separated electrical terminals (13, 14), wherein the main section (12) has an accentuated temperature dependent electrical resistivity and the electrical terminals are electrically connected to the main section (12); and an arrangement (15) for measuring an electrical resistance configured to measure the electrical resistance over the electrical terminals (13, 14), wherein the measured electrical resistance is indicative of the temperature of an object in thermal contact with the main section. The main section (12) may have an electrical resistivity as a function of temperature within a specified temperature interval, such as e.g. -100 to +100 degrees Celsius, such that the temperature derivative of the electrical resistivity within the specified temperature interval is strictly increasing. The main section (12) may have an electrical resistivity which is exponentially increasing with temperature within the specified temperature interval.
摘要翻译：用于测量温度的装置包括温度传感器（11），其包括主部分（12）和分离的电端子（13,14），其中主部分（12）具有与温度相关的电阻率，并且电端子电连接到主要部分（12）; 以及用于测量构造成测量电端子（13,14）上的电阻的电阻的装置（15），其中所测量的电阻指示与主部分热接触的物体的温度。主要部分（12）可以具有在特定温度区间内作为温度的函数的电阻率，例如。 -100至+ 100摄氏度，使得在特定温度范围内的电阻率的温度导数严格增加。主要部分（12）可以具有随指定温度区间内的温度指数地增加的电阻率。

6. 发明申请

WO2010089390A1 HALBLEITER-TEMPERATURSENSOR MIT ESD-SCHUTZ 审中-公开
标题翻译：带有ESD保护的半导体温度传感器
公开(公告)号：WO2010089390A1
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：PCT/EP2010/051492
申请日：2010-02-08
申请人： EPHY-MESS GESELLSCHAFT FÜR ELEKTRO-PHYSIKALISCHE MESSGERÄTE MBH , HIX, Werner
发明人： HIX, Werner
IPC分类号： G01K7/22 , G01K7/24
CPC分类号： G01K7/24 , G01K7/226
摘要： Die Erfindung betrifft einen Temperatursensor, der ein Halbleiter-Sensorelement (1) mit mindestens zwei Anschlussleitungen aufweist. Um einen Temperatursensor der vorgenannten Art bereitzustellen, der sich dadurch auszeichnet, dass er einen sehr guten ESD-Schutz bietet und für Temperaturen geeignet ist, die typischerweise im Stator von Elektromotoren auftreten, wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass dem KTY-Sensorelement ein die Anschlußleitungen überbrückender Varistor parallel geschaltet ist. Der Varistor ist vorteilhaft ein Hochtemperatur-Varistor.
摘要翻译：本发明涉及一种具有半导体传感器元件（1）具有至少两个连接电缆的温度传感器。为了提供一种上述类型，其特征在于，它提供了一个非常良好的ESD保护和适用于通常发生在电动马达的定子的温度的温度传感器，本发明提出的是，KTY传感器元件是桥变阻器引线并联连接。压敏电阻优选为高温变阻器。

7. 发明申请

WO2006113759A2 MEMS BASED CONDUCTIVITY-TEMPERATURE-DEPTH SENSOR FOR HARSH OCEANIC ENBIRONMENT 审中-公开
标题翻译：基于MEMS的电导率 - 温度 - 深度传感器，用于海洋海洋环境
公开(公告)号：WO2006113759A2
公开(公告)日：2006-10-26
申请号：PCT/US2006014643
申请日：2006-04-19
申请人： UNIV SOUTH FLORIDA , BHANSALI SHEKHAR , LANGEBRAKE LAWRENCE , BHAT SHREYAS
发明人： BHANSALI SHEKHAR , LANGEBRAKE LAWRENCE , BHAT SHREYAS
IPC分类号： F02M51/00
CPC分类号： G01L9/0054 , G01C13/008 , G01K7/16 , G01K7/18 , G01K7/186 , G01K7/226 , G01K7/343 , G01L19/0092
摘要： A MEMS-based silicon CTD sensor for ocean environment is presented. The sensor components are a capacitive conductivity sensor, a gold doped silicon temperature sensor, and a multiple diapghram piezoresistive pressure sensor. The sensor elements have further been packaged to protect them from harsh marine menvironment. The sensor components showed good linear response, resolution and mechanical integrity to the harsh ocean environment.
摘要翻译：介绍了一种用于海洋环境的基于MEMS的硅CTD传感器。传感器组件是电容电导率传感器，金掺杂硅温度传感器，以及多重压力压阻传感器。传感器元件进一步包装，以保护它们免受严酷的海洋环境。传感器组件对恶劣的海洋环境表现出良好的线性响应，分辨率和机械完整性。

8. 发明申请

WO2017110968A1 DUAL-FUNCTION ACTIVE MATRIX SENSOR ARRAY 审中-公开
标题翻译：双功能有源矩阵传感器阵列
公开(公告)号：WO2017110968A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：PCT/JP2016/088286
申请日：2016-12-22
申请人： SHARP KABUSHIKI KAISHA
发明人： AFENTAKIS, Themistokles
IPC分类号： G01D21/02 , G01K7/01 , G01L5/00 , A61B5/00 , A61B5/01
CPC分类号： A61B5/447 , A61B5/6892 , A61B2560/0252 , A61B2562/0247 , A61B2562/0261 , A61B2562/029 , A61B2562/046 , G01D1/00 , G01D5/1655 , G01K7/16 , G01K7/226 , G01N27/045 , G01N27/048
摘要： A method is provided for making multiple environmental measurements using a single sensing element. Each sensing element (sensel) includes a thin-film transistor (TFT) and a passive element. Typically, a plurality of sensels is provided arranged into an array. In response to an electrical stimulus, an electrical measurement is supplied that is responsive to a change in TFT electrical characteristic correlated to a first environmental condition, as well as a change in a characteristic of the passive element correlated to a second environmental condition. When the sensels are formed in an array, a plurality of electrical measurements is supplied corresponding plurality of locations on a monitored surface. Some exemplary environmental conditions include temperature, pressure, moisture, chemicals, oxygen, solution pH, salinity, and shear. The method determines the first environmental condition independent of the second environmental condition, while determining the second environmental condition independent of the first environmental condition.
摘要翻译：提供了一种使用单个感测元件进行多个环境测量的方法。每个传感元件（sensel）包括一个薄膜晶体管（TFT）和一个无源元件。典型地，提供排列成阵列的多个传感器。响应于电刺激，提供电测量，该电测量响应于与第一环境条件相关的TFT电特性的变化以及与第二环境条件相关的无源元件的特性的变化。当传感器形成阵列时，在监测表面上的多个位置上提供多个电测量值。一些示例性环境条件包括温度，压力，湿度，化学品，氧气，溶液pH，盐度和剪切。该方法确定独立于第二环境条件的第一环境条件，同时确定独立于第一环境条件的第二环境条件。

9. 发明申请

WO2014093304A2 SENSOR WITH AN EMBEDDED THERMISTOR FOR PRECISE LOCAL TEMPERATURE MEASUREMENT 审中-公开
标题翻译：具有嵌入式热敏电阻的传感器用于精确的局部温度测量
公开(公告)号：WO2014093304A2
公开(公告)日：2014-06-19
申请号：PCT/US2013/074051
申请日：2013-12-10
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , GRAHAM, Andrew , FEYH, Ando , O'BRIEN, Gary
发明人： GRAHAM, Andrew , FEYH, Ando , O'BRIEN, Gary
IPC分类号： G01K1/14
CPC分类号： G01K7/226 , B81B7/008 , B81B7/0087 , B81B2201/0264 , B81B2207/03 , Y10T29/49085
摘要： A resistive temperature sensor (thermistor) for a microelectromechanical system (MEMS) device provides local temperatures of MEMS sensors and other MEMS devices for temperature compensation. Local accurate temperatures of the sensors and other devices provide for temperature compensation of such sensors or devices. By incorporating the thermistor structure into a MEMS device, an accurate temperature is sensed and measured adjacent to or within the structural layers of the device. In one embodiment, the thermistor is located within a few micrometers of the primary device.
摘要翻译：用于微机电系统（MEMS）器件的电阻式温度传感器（热敏电阻）提供MEMS传感器和其他MEMS器件的温度补偿的局部温度。传感器和其他设备的本地准确温度可提供这种传感器或设备的温度补偿。通过将热敏电阻结构结合到MEMS器件中，在设备的结构层附近或内部感测和测量精确的温度。在一个实施例中，热敏电阻位于主要装置的几微米内。

10. 发明申请

WO2010055841A1 サーミスタ及びその製造方法审中-公开
标题翻译：热敏电阻及其制造方法
公开(公告)号：WO2010055841A1
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：PCT/JP2009/069167
申请日：2009-11-11
申请人：アルプス電気株式会社 , 石曽根昌彦 , 梅津英治 , 五十嵐一聡 , 田中健一
发明人：石曽根　昌彦 , 梅津　英治 , 五十嵐　一聡 , 田中　健一
IPC分类号： H01C7/04
CPC分类号： H01C7/008 , G01K7/226 , H01C1/14 , H01C1/142
摘要：　サーミスタ基材を損傷することなく、所望の抵抗値に高精度に調整されたサーミスタ及びその製造方法を提供すること。本発明のサーミスタの製造方法は、絶縁基板（１）上にサーミスタ薄膜（２）を形成する工程と、サーミスタが目標抵抗値よりも高い抵抗値を有するようなパターンを持つ一対の櫛歯電極（３）、（４）を、前記サーミスタ薄膜（２）上に、互いに対向するように形成する工程と、前記サーミスタが前記目標抵抗値を有するように、前記櫛歯電極（３）、（４）に付加電極部（５）を形成する工程と、を具備することを特徴とする。
摘要翻译：公开了一种可以高精度地调节到期望的电阻值而不损坏热敏电阻基板的热敏电阻及其制造方法。热敏电阻的制造方法的特征在于包括：在绝缘基板（1）上形成热敏电阻薄膜（2）的工序。在热敏电阻薄膜（2）上形成具有使热敏电阻具有高于目标电阻值的电阻值的图案的一对梳齿电极（3,4）的步骤。以及其中在梳齿电极（3,4）上形成附加电极部分（5），使得热敏电阻具有目标电阻值的步骤。

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