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1. 发明申请

WO2009051180A1 ブリッジ回路出力電圧のオフセット調整回路审中-公开
标题翻译：用于桥接电路输出电压的偏移调整电路
公开(公告)号：WO2009051180A1
公开(公告)日：2009-04-23
申请号：PCT/JP2008/068753
申请日：2008-10-16
申请人：アルプス電気株式会社 , 石曽根昌彦 , 梅津英冶 , 五十嵐一聡
发明人：石曽根昌彦 , 梅津英冶 , 五十嵐一聡
IPC分类号： G01D3/028 , G01L19/04 , G01R17/10
CPC分类号： G01L1/2281 , G01D3/028 , G01D3/036 , G01R1/44 , G01R17/10
摘要：オフセット補正用抵抗素子の温度係数ＴＣＲの調整、設定が容易なブリッジ回路出力電圧のオフセット調整回路を得る。電源入力端子と接地端子との間に、感応抵抗素子が直列接続された直列抵抗素子が二組並列に接続され、各直列抵抗素子の中点の電圧が中点電圧として取り出され、前記中点電圧差の中央値が前記差動増幅器の出力レンジの中央値となるようにオフセットする温度特性調整抵抗素子が、前記各直列抵抗素子の前記各中点を挟んだ対角位置に、各直列抵抗素子と直列となるように配置され、前記各温度特性調整抵抗素子の温度係数を、前記直列抵抗素子の温度係数よりも小さく設定された、ブリッジ回路の出力電圧オフセット調整回路であって、前記温度特性調整抵抗素子を、Ｎｉ、Ｆｅ及びＣｒからなる薄膜層と、Ｔａ又はＴａＮからなる薄膜層の積層構造とした。
摘要翻译：提供了一种用于桥接电路输出电压的偏移调整电路，其可以容易地调整和设置偏移校正电阻元件的温度系数（TCR）。在该桥式电路输出电压偏移调整电路中，具有串联连接的敏感电阻元件的两组串联电阻元件并联连接在电源输入端子和接地端子之间，使得各个串联电阻元件的中间电压被提取为中值电压。用于执行偏移的温度特性调整电阻元件使得中间点电压差的中值可以是差分放大器的输出范围的中值与单个串联电阻元件串联布置在跨越个体的个体中心的对角线位置处串联电阻元件。各个温度特性调节电阻元件的温度系数设定为小于串联电阻元件的温度系数。温度特性调整电阻元件由Ni，Fe和Cr的薄膜层和Ta或TaN的薄膜层的层叠结构制成。

2. 发明申请

WO2009016994A1 ブリッジ回路出力電圧のオフセット調整回路审中-公开
标题翻译：桥式电路输出电压偏移调整电路
公开(公告)号：WO2009016994A1
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：PCT/JP2008/063119
申请日：2008-07-22
申请人：アルプス電気株式会社 , 源川隆幸 , 佐藤清 , 菊入勝也 , 石曽根昌彦 , 五十嵐一聡 , 梅津英冶
发明人：源川隆幸 , 佐藤清 , 菊入勝也 , 石曽根昌彦 , 五十嵐一聡 , 梅津英冶
IPC分类号： G01D3/028 , G01L1/22
CPC分类号： G01D3/021 , G01L1/2281
摘要：　差増増幅回路の全分解能を利用可能として分解能を高めるとともに、温度特性を高めることができる、ブリッジ回路出力電圧のオフセット調整回路を提供する。　電源入力端子と接地端子との間に、感応抵抗素子が直列接続された直列抵抗素子が二組並列に接続され、各直列抵抗素子の中点の電圧が中点電圧として取り出され、中点電圧差が差動増幅器により増幅されるブリッジ回路の出力電圧オフセット調整回路であって、前記中点電圧差の中央値が前記差動増幅器の出力レンジの中央値となるようにオフセットする温度特性調整用抵抗素子を、前記各直列抵抗素子の前記各中点を挟んだ対角位置に、各直列抵抗素子と直列となるように配置し、前記各温度特性調整抵抗素子の温度係数を、前記直列抵抗素子の温度係数よりも小さく設定した。
摘要翻译：提供了一种桥式电路输出电压偏移调整电路，其可以通过使能差分放大电路的所有分辨率来提高分辨率并增加温度特性。通过感应电阻元件形成的两组串联电阻元件串联连接在电源输入端子和接地端子之间。每个串联电阻元件的中点处的电压被获取为中点电压，并且中间点电压差由差分放大器放大。温度特性调整电阻元件执行偏移，使得中点电压差的中心值是差分放大器的输出范围的中心值。温度特性调整电阻元件布置在夹着各个串联电阻元件的各个中点的对角线位置处以与各个串联电阻元件串联。每个温度特性调节电阻元件的温度系数被设定为小于串联电阻元件的温度系数。

3. 发明申请

WO2008050790A1 トンネル型磁気検出素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：隧道式磁性检测元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2008050790A1
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：PCT/JP2007/070700
申请日：2007-10-24
申请人：アルプス電気株式会社 , 田中健一 , 梅津英治 , 五十嵐一聡
发明人：田中健一 , 梅津英治 , 五十嵐一聡
IPC分类号： H01L43/10 , G11B5/39 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3163 , G11B5/3906 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01F41/307 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要：【課題】　特に、絶縁障壁層にＡｌ－Ｏを使用したトンネル型磁気検出素子に係り、低いＲＡで且つ高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが可能なトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】　第２固定磁性層４ｃ上に、Ａｌ－Ｏで形成された下側絶縁層５ａと、前記下側絶縁層５ａの上にＣｏＦｅ－Ｏで形成された上側絶縁層５ｂとで絶縁障壁層５を形成し、さらに前記絶縁障壁層５上にフリー磁性層６を形成する。これにより高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）と低いＲＡ（素子抵抗Ｒ×素子面積Ａ）を得ることが出来る。
摘要翻译：为了提供一种隧道式磁检测元件，特别是使用Al-O作为绝缘阻挡层的隧道型磁检测元件，通过该隧道型磁检测元件可以获得高电阻变化率（ΔR/ R） RA，并提供制造这种隧道式磁检测元件的方法。 [解决问题的手段]在第二固定磁性层（4c）上，通过使用由Al-O形成的下绝缘层（5a）和由CoFe形成的上绝缘层（5b）形成绝缘阻挡层（5） -O在下绝缘层（5a）上。此外，在绝缘阻挡层（5）上形成自由磁性层（6）。因此，可以获得高电阻变化率（ΔR/ R）和低RA（元件电阻RO元素区域A）。

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