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    • 7. 发明申请
    • スパッタリングターゲット及びその製造方法
    • 喷射目标及其生产方法
    • WO2013065362A1
    • 2013-05-10
    • PCT/JP2012/068033
    • 2012-07-06
    • 三菱マテリアル株式会社昭和シェル石油株式会社張 守斌小路 雅弘梅本 啓太
    • 張 守斌小路 雅弘梅本 啓太
    • C23C14/34B22F3/14B22F3/15C22C9/00B22F9/08
    • C23C14/3414B22F3/14B22F9/082B22F2009/043C22C1/0425C22C9/00
    • 機械加工性に優れ、主としてCu,Gaを含有する化合物膜が成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタリングターゲット中の全金属元素に対し、Ga:15~40原子%を含有し、さらに、Bi:0.1~5原子%を含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる成分組成を有する。このスパッタリングターゲットの製造方法は、少なくともCu,GaおよびBiの各元素を単体またはこれらのうち2種以上の元素を含む合金を1050℃以上に溶解し、鋳塊を作製する工程を有する。または、少なくともCu,GaおよびBiの各元素を単体またはこれらのうち2種以上の元素を含む合金の粉末とした原料粉末を作製する工程と、原料粉末を真空、不活性雰囲気または還元性雰囲気で熱間加工する工程を有している。
    • 提供:具有优异的加工性并能够制备主要包含Cu和Ga的化合物膜的溅射靶; 以及溅射靶的制造方法。 溅射靶具有对于溅射靶中的所有金属元素含有15-40原子%的Ga和0.1-5原子%的Bi的元素组合物,其余部分包含Cu和不可避免的杂质。 用于制造溅射靶的方法具有至少使元素Cu,Ga和Bi作为元素物质或在1050℃以上含有至少两种所述元素的合金熔化以生产锭的步骤。 或者,该方法具有:制备至少具有元素Cu,Ga和Bi作为元素物质的粉末或含有至少两种所述元素的合金的原料粉末的步骤; 以及在真空,惰性气氛或还原气氛中对起始原料粉末进行热加工的工序。