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1. 发明申请

WO2006057711A3 METHOD FOR PREPARING SOLID PRECURSOR TRAY FOR USE IN SOLID PRECURSOR EVAPORATION SYSTEM 审中-公开
标题翻译：制备用于固体前驱体蒸发系统的固体前驱体托盘的方法
公开(公告)号：WO2006057711A3
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：PCT/US2005035596
申请日：2005-10-03
申请人： TOKYO ELECTRON LTD , IBM , SUZUKI KENJI , GUIDOTTI EMMANUEL , LEUSINK GERRIT J , HARA MASAMICHI , KUROIWA DAISUKE , MALHOTRA SANDRA G , MCFEELY FENTON , YOUNG ROBERT R JR
发明人： SUZUKI KENJI , GUIDOTTI EMMANUEL , LEUSINK GERRIT J , HARA MASAMICHI , KUROIWA DAISUKE , MALHOTRA SANDRA G , MCFEELY FENTON , YOUNG ROBERT R JR
IPC分类号： C23C16/448
CPC分类号： C23C16/4481 , C23C16/16
摘要： In a solid precursor evaporation system (50, 150, 300, 300') configured for use in a thin film deposition system (1, 100), such as thermal chemical vapor deposition (TCVD), a method for preparing one or more trays (330, 340) of solid precursor is described. The solid precursor may be formed on a coating substrate, such as a tray (330, 340), using one or more of dipping techniques, spin-on techniques, and sintering techniques.
摘要翻译：在配置用于薄膜沉积系统（1,100）中的固体前驱体蒸发系统（50,150,300,300'）中，例如热化学气相沉积（TCVD），用于制备一个或多个托盘（描述了固体前体的形式。可以使用浸渍技术，旋涂技术和烧结技术中的一种或多种，在涂层基材例如托盘（330,340）上形成固体前体。

2. 发明申请

WO2006057709A8 METHOD FOR DEPOSITION OF METAL LAYERS FROM METAL CARBONYL PRECURSORS 审中-公开
标题翻译：从金属碳前驱体沉积金属层的方法
公开(公告)号：WO2006057709A8
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：PCT/US2005035582
申请日：2005-10-03
申请人： TOKYO ELECTRON LTD , IBM , SUZUKI KENJI , GUIDOTTI EMMANUEL , LEUSINK GERRIT J , MCFEELY FENTON R , MALHOTRA SANDRA G
发明人： SUZUKI KENJI , GUIDOTTI EMMANUEL , LEUSINK GERRIT J , MCFEELY FENTON R , MALHOTRA SANDRA G
IPC分类号： C23C16/16 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C16/16 , H01L21/28556 , H01L21/76846 , H01L21/76873
摘要： A method (300) for increasing deposition rates of metal layers from metalcarbonyl precursors (52, 152) by mixing a vapor of the metal-carbonyl precursor (52, 152) with CO gas. The method (300) includes providing a substrate (25, 125) in a process chamber (10, 110) of a deposition system (1, 100), forming a process gas containing a metal-carbonyl precursor vapor and a CO gas, and exposing the substrate (25, 125, 400, 402) to the process gas to deposit a metal layer (440, 460) on the substrate (25, 125, 400, 402) by a thermal chemical vapor deposition process.
摘要翻译：一种用于通过将羰基金属前体（52,152）的蒸气与CO气体混合来提高金属层从金属羰基前体（52,152）的沉积速率的方法（300）。方法（300）包括在沉积系统（1,100）的处理室（10,110）中提供衬底（25,125），形成含有羰基金属前体蒸气和CO气体的工艺气体，以及将所述衬底（25,125,400,402）暴露于所述工艺气体，以通过热化学气相沉积工艺将金属层（440,460）沉积在所述衬底（25,125,400,402）上。

3. 发明申请

WO2006057709A2 METHOD FOR INCREASING DEPOSITION RATES OF METAL LAYERS FROM METAL-CARBONYL PRECURSORS 审中-公开
标题翻译：从金属碳前驱体增加金属层沉积速率的方法
公开(公告)号：WO2006057709A2
公开(公告)日：2006-06-01
申请号：PCT/US2005035582
申请日：2005-10-03
申请人： TOKYO ELECTRON LTD , IBM , SUZUKI KENJI , GUIDOTTI EMMANUEL , LEUSINK GERRIT J , MCFEELY FENTON R
发明人： SUZUKI KENJI , GUIDOTTI EMMANUEL , LEUSINK GERRIT J , MCFEELY FENTON R
IPC分类号： C23C16/16
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C16/16 , H01L21/28556 , H01L21/76846 , H01L21/76873
摘要： A method (300) for increasing deposition rates of metal layers from metalcarbonyl precursors (52, 152) by mixing a vapor of the metal-carbonyl precursor (52, 152) with CO gas. The method (300) includes providing a substrate (25, 125) in a process chamber (10, 110) of a deposition system (1, 100), forming a process gas containing a metal-carbonyl precursor vapor and a CO gas, and exposing the substrate (25, 125, 400, 402) to the process gas to deposit a metal layer (440, 460) on the substrate (25, 125, 400, 402) by a thermal chemical vapor deposition process.
摘要翻译：一种用于通过将羰基金属前体（52,152）的蒸气与CO气体混合来提高金属层从金属羰基前体（52,152）的沉积速率的方法（300）。方法（300）包括在沉积系统（1,100）的处理室（10,110）中提供衬底（25,125），形成含有羰基金属前体蒸气和CO气体的工艺气体，以及将所述衬底（25,125,400,402）暴露于所述工艺气体，以通过热化学气相沉积工艺将金属层（440,460）沉积在所述衬底（25,125,400,402）上。

4. 发明申请

WO2006088562A3 A METHOD AND SYSTEM FOR IMPROVED DELIVERY OF A PRECURSOR VAPOR TO A PROCESSING ZONE 审中-公开
标题翻译：一种改进向处理区输送前驱蒸气的方法和系统
公开(公告)号：WO2006088562A3
公开(公告)日：2006-12-14
申请号：PCT/US2005047694
申请日：2005-12-30
申请人： TOKYO ELECTRON LTD , IBM , GUIDOTTI EMMANUEL P , SUZUKI KENJI , LEUSINK GERRIT J , MCFEELY FENTON
发明人： GUIDOTTI EMMANUEL P , SUZUKI KENJI , LEUSINK GERRIT J , MCFEELY FENTON
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/16
CPC分类号： C23C16/4481 , C23C16/16 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/45565
摘要： A method and system (1, 100) for improved delivery of a solid precursor (52, 152). A chemically inert coating (43) is provided on internal surfaces (41) in a precursor delivery line (40, 140) to reduce decomposition of a relatively unstable precursor vapor in the precursor delivery line (40, 140), thereby allowing increased delivery of the precursor vapor to a processing zone (33, 133) for depositing a layer on a substrate (25, 125). The solid precursor (52, 152) can, for example, be a ruthenium carbonyl or a rhenium carbonyl. The inert coating (43) can, for example, be a C X F y -containing polymer, such as polytetrafluoroethylene or ethylenechlorotrifluoroethylene. Other benefits of using an inert coating (43) include easy periodic cleaning of deposits from the precursor delivery line (40, 140).
摘要翻译：一种用于改进固体前体（52,152）的输送的方法和系统（1,100）。在前体输送管线（40,140）的内表面（41）上提供化学惰性涂层（43）以减少前体输送管线（40,140）中相对不稳定的前体蒸气的分解，从而允许增加所述前体蒸汽通向用于在衬底（25,125）上沉积层的处理区（33,133）。固体前体（52,152）可以例如是羰基钌或羰基铼。惰性涂层（43）可以例如是含有聚合物的聚合物，例如聚四氟乙烯或乙烯 - 三氟氯乙烯。使用惰性涂层（43）的其他益处包括易于定期清洁来自前体输送管线（40,140）的沉积物。

5. 发明申请

WO2007109410A2 METHOD AND APPARATUS FOR REDUCING PARTICLE CONTAMINATION IN A DEPOSITION SYSTEM 审中-公开
标题翻译：减少沉积物中颗粒污染的方法和装置
公开(公告)号：WO2007109410A2
公开(公告)日：2007-09-27
申请号：PCT/US2007063285
申请日：2007-03-05
申请人： TOKYO ELECTRON LTD , TOKYO ELECTRON AMERICA INC , SUZUKI KENJI , GOMI ATSUSHI , HARA MASAMICHI , MIZUSAWA YASUSHI
发明人： SUZUKI KENJI , GOMI ATSUSHI , HARA MASAMICHI , MIZUSAWA YASUSHI
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： C23C16/16 , C23C16/4481 , C23C16/45565 , C23C16/45568 , C23C16/45574
摘要： A method and system is described for reducing particle contamination of a substrate (25) in a deposition system (1). The deposition system comprises one or more particle diffusers (47) disposed therein and configured to prevent or partially prevent the passage of film precursor particles, or break-up or partially break-up film precursor particles. The particle diffuser may be installed in the film precursor evaporation system (50), or the vapor delivery system (40), or the vapor distribution system (30), or two or more thereof.
摘要翻译：描述了用于减少沉积系统（1）中的基底（25）的颗粒污染的方法和系统。沉积系统包括设置在其中的一个或多个粒子扩散器（47），并构造成防止或部分地阻止膜前体颗粒的通过，或破坏或部分破坏膜前体颗粒。粒子扩散器可以安装在膜前体蒸发系统（50）或蒸汽输送系统（40）或蒸气分配系统（30）中，或者其两个或多个。

6. 发明申请

WO2007117803A3 METHOD FOR INTRODUCING A PRECURSOR GAS TO A VAPOR DEPOSITION SYSTEM 审中-公开
标题翻译：将前驱气体引入蒸发沉积系统的方法
公开(公告)号：WO2007117803A3
公开(公告)日：2009-01-29
申请号：PCT/US2007063574
申请日：2007-03-08
申请人： TOKYO ELECTRON LTD , TOKYO ELECTRON AMERICA INC , SUZUKI KENJI , GOMI ATSUSHI
发明人： SUZUKI KENJI , GOMI ATSUSHI
IPC分类号： C23C16/16 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/16 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/45576
摘要： A method for introducing a precursor vapor to a processing chamber (10, 110) configured for forming a thin metal on a substrate (25, 125) is described. The vapor delivery method includes introducing a dilution gas to the precursor vapor and adjusting the spatial distribution of the dilution gas addition in order to affect improvements to the properties of the deposited film.
摘要翻译：描述了将前体蒸汽引入配置用于在基板（25,125）上形成薄金属的处理室（10,110）的方法。蒸气输送方法包括向前体蒸气引入稀释气体并调节稀释气体添加物的空间分布，以便影响沉积膜的性质的改善。

7. 发明申请

WO2009060320A3 METHOD FOR INTEGRATING SELECTIVE RUTHENIUM DEPOSITION INTO MANUFACTURING OF A SEMICONDUCTIOR DEVICE 审中-公开
标题翻译：将选择性的沉积物集成到半导体器件的制造中的方法
公开(公告)号：WO2009060320A3
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：PCT/IB2008003805
申请日：2008-09-09
申请人： TOKYO ELECTRON LTD , SUZUKI KENJI
发明人： SUZUKI KENJI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/285 , H01L23/532
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A method for integrating selective Ru metal deposition into manufacturing of semiconductor devices to improve electromigration and stress migration in bulk Cu. The method includes selectively depositing a Ru metal film (312,324) on a metallization layer (302) or on bulk Cu (322) using a process gas containing Ru3 (C0)12 precursor vapor and a CO gas in a thermal chemical vapor depostition process. A semiconductor device containing one or more selectively deposited Ru metal films is described.
摘要翻译：将选择性Ru金属沉积集成到半导体器件的制造中以改善体积Cu中的电迁移和应力迁移的方法。该方法包括使用在热化学气相沉积工艺中含有Ru 3（C 10）12前体蒸气和CO气体的工艺气体，在金属化层（302）上或在本体Cu（322）上选择性沉积Ru金属膜（312,324）。描述了包含一种或多种选择性沉积的Ru金属膜的半导体器件。

8. 发明申请

WO2006107545A3 METHOD FOR FORMING A BARRIER/SEED LAYER FOR COPPER METALLIZATION 审中-公开
标题翻译：用于形成用于铜金属化的障碍物/种子层的方法
公开(公告)号：WO2006107545A3
公开(公告)日：2006-12-07
申请号：PCT/US2006009219
申请日：2006-03-14
申请人： TOKYO ELECTRON LTD , TOKYO ELECTRON AMERICA INC , SUZUKI KENJI
发明人： SUZUKI KENJI
IPC分类号： C23C16/16 , C23C16/06 , C23C16/18 , H01L21/288
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/16 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76856 , H01L21/76873 , H01L21/76874
摘要： A method (400) for improving adhesion of Cu to a Ru layer (650a, 650b) in Cu metallization. The method (400) includes providing a substrate (25, 125) in a process chamber (10, 110) of a deposition system (1 , 100), depositing a Ru layer (650a, 650b) on the substrate (25, 125) in a chemical vapor deposition process, and forming a Cu seed layer (660a, 660b) on the Ru layer (650a, 650b) to prevent oxidation of the Ru layer (650a, 650b). The Cu seed layer (660a, 660b) is partially or completely oxidized prior to performing a Cu bulk plating process on the substrate (25, 125). The oxidized portion (660a, 667) of the Cu seed layer (660a, 660b) is substantially dissolved and removed from the substrate (25, 125) during interaction with a Cu plating solution, thereby forming a bulk Cu layer (670a, 670b) with good adhesion to the underlying Ru layer (650a, 650b).
摘要翻译：一种用于在Cu金属化中改善Cu与Ru层（650a，650b）的附着力的方法（400）。方法（400）包括在沉积系统（1,100）的处理室（10,110）中提供衬底（25,125），在衬底（25,125）上沉积Ru层（650a，650b）在化学气相沉积工艺中，并且在Ru层（650a，650b）上形成Cu籽晶层（660a，660b）以防止Ru层（650a，650b）的氧化。在对基板（25,125）进行Cu体积电镀处理之前，Cu籽晶层（660a，660b）被部分或完全氧化。在与Cu电镀溶液相互作用的过程中，Cu籽层（660a，660b）的氧化部分（660a，660b）基本上溶解并从衬底（25,125）除去，从而形成本体Cu层（670a，670b）与下面的Ru层（650a，650b）具有良好的粘合性。

9. 发明申请

WO2006057706A3 METHOD FOR DEPOSITION OF METAL LAYERS FROM METAL CARBONYL PRECURSORS 审中-公开
标题翻译：从金属碳前驱体沉积金属层的方法
公开(公告)号：WO2006057706A3
公开(公告)日：2006-11-09
申请号：PCT/US2005035429
申请日：2005-10-03
申请人： TOKYO ELECTRON LTD , TOKYO ELECTRON AMERICA INC , SUZUKI KENJI
发明人： SUZUKI KENJI
IPC分类号： C23C16/16 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76846 , C23C16/16 , H01L21/28556
摘要： A method (300) and a deposition system (1, 100) for increasing deposition rates of metal layers (440, 460) from metal-carbonyl precursors (52, 152) using CO gas and a dilution gas. The method (300) includes providing a substrate (25, 125, 400, 402) in a process chamber (10, 110) of a processing system (1, 100), forming a process gas containing a metal-carbonyl precursor vapor and a CO gas, diluting the process gas in the process chamber (10, 110), and exposing the substrate (25, 125, 400, 402) to the diluted process gas to deposit a metal layer (440, 460) on the substrate (25, 125, 400, 402) by a thermal chemical vapor deposition process. The deposition system (1, 100) contains a substrate holder (20, 120) configured for supporting and heating a substrate (25, 125, 400, 402) in a process chamber (10, 110) having a vapor distribution system (30, 130), a precursor delivery system (105) configured for forming a process gas containing a metal-carbonyl precursor vapor and a CO gas and for introducing the process gas to the vapor distribution system (30, 130), a dilution gas source (37, 137) configured for adding a dilution gas to the process gas in the process chamber (10, 110), and a controller (165) configured for controlling the deposition system (1, 100) during exposure of the substrate (25, 125, 400, 402) to the diluted process gas to deposit a metal layer (440, 460) on the substrate (25, 125, 400, 402) by a thermal chemical vapor deposition process.
摘要翻译：一种用于使用CO气体和稀释气体从金属羰基前体（52,152）提高金属层（440,460）的沉积速率的方法（300）和沉积系统（1,100）。方法（300）包括在处理系统（1,100）的处理室（10,110）中提供衬底（25,125,400,402），形成含有羰基金属前体蒸气和 CO气体，稀释处理室（10,110）中的工艺气体，以及将衬底（25,125,400,402）暴露于稀释工艺气体，以将金属层（440,460）沉积在衬底（25）上，125,400,402）通过热化学气相沉积工艺。沉积系统（1,100）包括衬底保持器（20,120），衬底保持器（20,120）被配置为支撑和加热处理室（10,110）中的衬底（25,125,400,402），所述处理室具有蒸气分配系统 130），前体输送系统（105），其被配置用于形成含有羰基金属前体蒸气和CO气体的工艺气体，并用于将所述工艺气体引入所述蒸气分配系统（30,130）;稀释气体源，137），被配置为将稀释气体添加到所述处理室（10,110）中的处理气体;以及控制器（165），被配置为在所述基板（25,125）暴露期间控制所述沉积系统（100） 400,402）与稀释的工艺气体通过热化学气相沉积工艺将金属层（440,460）沉积在衬底（25,125,400,402）上。

10. 发明申请

WO2007117802A3 METHOD FOR INTEGRATING A CONFORMAL RUTHENIUM LAYER INTO COPPER METALLIZATION OF HIGH ASPECT RATIO FEATURES 审中-公开
标题翻译：将均匀钌层集成到高纵横比铜箔金属化的方法
公开(公告)号：WO2007117802A3
公开(公告)日：2008-01-03
申请号：PCT/US2007063570
申请日：2007-03-08
申请人： TOKYO ELECTRON LTD , TOKYO ELECTRON AMERICA INC , SUZUKI KENJI
发明人： SUZUKI KENJI
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C16/16 , H01L21/28556 , H01L21/76805 , H01L21/76844 , H01L21/76873 , H01L2221/1089
摘要： A method of integrated processing of a patterned substrate (400, 600) for copper metallization. The method includes providing the patterned substrate (400, 600) containing a via (426, 626) and a trench (424, 624) in a vacuum processing tool (300), and performing an integrated process on the patterned substrate (400, 600) in the vacuum processing tool (300) by depositing a first metal-containing layer (428, 628) over the patterned substrate (400, 600), removing by sputter etching the first metal-containing layer (428, 628) from the bottom (426b, 626b) of the via (426, 626) and at least partially removing the first metal-containing layer (428, 628) from the bottom (424b, 624b) of the trench (424,624), depositing a conformal Ru layer (432, 632) onto the sputter etched first metal-containing layer (428a, 628a), depositing a non-conformal Cu layer (434,634) on the conformal Ru layer (432), and plating Cu (436, 636) over the patterned substrate (400, 600). According to one embodiment of the invention, the method can further include depositing a second metal-containing layer (430) onto the sputter etched first metal-containing layer (428a) prior to depositing the conformal Ru layer (432).
摘要翻译：一种用于铜金属化的图案化衬底（400,600）的集成处理方法。该方法包括在真空处理工具（300）中提供包含通孔（426,626）和沟槽（424,624）的图案化衬底（400,600），并且在图案化衬底（400,600）上执行集成处理）通过在图案化衬底（400,600）上沉积第一含金属层（428,628），通过从底部溅射蚀刻去除第一含金属层（428,628）而在真空处理工具（300）（426,626）的至少一部分（426b，626b），并且从沟槽（424,624）的底部（424b，624b）至少部分地去除第一含金属层（428,628），沉积共形Ru层（428a，628a）上，在共形Ru层（432）上沉积非共形Cu层（434,634），以及在图案化衬底（436,636）上电镀Cu（436,636）（400,600）。根据本发明的一个实施例，该方法可以进一步包括在沉积共形Ru层（432）之前，在溅射蚀刻的第一含金属层（428a）上沉积第二含金属层（430）。

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