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1. 发明申请

WO2012126752A1 APPARATUS AND A METHOD FOR DIRECT WAFER BONDING, MINIMIZING LOCAL DEFORMATION 审中-公开
标题翻译：装置和直接波形结合的方法，最小化局部变形
公开(公告)号：WO2012126752A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：PCT/EP2012/054205
申请日：2012-03-12
申请人： SOITEC , GAUDIN, Gweltaz , BARTHELEMY, Alexandre
发明人： GAUDIN, Gweltaz , BARTHELEMY, Alexandre
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67092 , H01L21/187
摘要： Apparatus is described for direct wafer bonding (200) together at least first and second wafers of circular shape, said second wafer having an initial bow. The apparatus includes annular support means (211) for receiving at least the second wafer. The annular suppor means (211) define a central recess (2111) in which the second wafer is free to deform under its own weight.
摘要翻译：描述了用于将至少第一和第二圆形晶片直接晶片接合（200）的装置，所述第二晶片具有初始弓形。该装置包括用于至少接收第二晶片的环形支撑装置（211）。环形支撑装置（211）限定中心凹部（2111），其中第二晶片在其自重下自由变形。

2. 发明申请

WO2013017924A2 METHOD FOR CORRECTING MISALIGNMENT OF POSITIONS ON A FIRST WAFER BONDED TO A SECOND WAFER 审中-公开
标题翻译：校正第一个晶片上结合第二个晶片的位置误差的方法
公开(公告)号：WO2013017924A2
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/IB2012/001404
申请日：2012-07-18
申请人： SOITEC , CASTEX, Arnaud , BARTHELEMY, Alexandre , BROEKAART, Marcel
发明人： CASTEX, Arnaud , BARTHELEMY, Alexandre , BROEKAART, Marcel
IPC分类号： G03F7/20 , G03F9/00 , H01L21/98 , H01L21/02 , H01L27/146
CPC分类号： G03F9/7007 , G03F7/70633 , G03F9/7003 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L23/544 , H01L25/50 , H01L27/06 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a method for correcting misalignment of positions on a first wafer bonded to a second wafer, the method comprising the application (F4), to coordinates of each position, of a predetermined correction function for the said first wafer, the correction applied by the correction function being a function only of the distance of the position relative to the centre of the first wafer, characterized in that the applied correction varies, over the whole of the first wafer, in a non-linear manner with respect to the distance of the position relative to the centre.
摘要翻译：本发明涉及一种用于校正结合到第二晶片的第一晶片上的位置的未对准的方法，所述方法包括对每个位置的坐标应用（F4）预定校正函数的所述第一晶片通过校正函数施加的校正仅是所述位置相对于所述第一晶片的中心的距离的函数，其特征在于，所施加的校正在整个所述第一晶片上以非线性方式相对于位置相对于中心的距离。

3. 发明申请

WO2014037777A1 SUPPORT DEVICE FOR A PLURALITY OF WAFERS FOR A VERTICAL OVEN 审中-公开
标题翻译：用于垂直烤箱的多孔的支撑装置
公开(公告)号：WO2014037777A1
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：PCT/IB2013/001824
申请日：2013-08-20
申请人： SOITEC
发明人： GOURDEL, Christophe , BARTHELEMY, Alexandre
IPC分类号： F27D5/00
CPC分类号： F27D5/0037
摘要： This support device has a central axis and includes: - three uprights (130), (131) and (132) extending substantially parallel to the central axis, - a plurality of series of support members spaced along the central axis, each series of support members comprising three support members (140), (141) and (142) adapted to support one wafer (W) of the plurality of wafers and extending in different essentially longitudinal directions transverse to the central axis, each support member (140), (141) and (142) being mounted directly on a separate upright, this support device being remarkable in that the directions of the three support members (140), (141) and (142) of each series of support members (135) are concurrent at a point on the central axis.
摘要翻译：该支撑装置具有中心轴线，并且包括： - 基本上平行于中心轴线延伸的三个立柱（130），（131）和（132）， - 沿着中心轴线间隔开的多个一系列支撑构件，每一系列支撑件包括三个支撑构件（140），（141）和（142）的构件，其适于支撑所述多个晶片中的一个晶片（W）并且沿与所述中心轴线横截的不同的基本纵向方向延伸，每个支撑构件（140）， 141）和（142）直接安装在单独的直立上，该支撑装置是显着的，因为每个系列支撑构件（135）的三个支撑构件（140），（141）和（142）的方向是同时的在中心轴上的一点。

4. 发明申请

WO2014037769A1 METHOD OF DETACHING A LAYER 审中-公开
标题翻译：拆分层的方法
公开(公告)号：WO2014037769A1
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：PCT/IB2013/000653
申请日：2013-04-10
申请人： SOITEC
发明人： BARTHELEMY, Alexandre
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76259 , H01L21/76254
摘要： The present invention concerns a method of detaching a layer (12) to be detached from a donor substrate (11), comprising the following steps: a) Assembling the donor substrate (11) and a porous substrate (13), b) Application of a treatment (E) of chemical modification of the crystallites, the chemical modification being adapted to generate a variation of the volume of the crystallites, said volume variation generates deformation in compression or in tension of the porous substrate (13), said deformation in compression or in tension generates a stress in tension or in compression in the donor substrate (11), which causes fracture in a fracture plane (14), said fracture plane (14) delimiting the layer (12) to be detached, said stress leading to the detachment of the layer (12) to be detached from the donor substrate (11).
摘要翻译：本发明涉及一种从施主衬底（11）上拆下层（12）的方法，包括以下步骤：a）组装供体衬底（11）和多孔衬底（13），b）施加所述微晶化学改性的处理（E），所述化学修饰适于产生微晶体积的变化，所述体积变化产生多孔基材（13）的压缩或张力变形，所述压缩变形或在张力下在施主衬底（11）中产生张力或压缩中的应力，这导致在断裂平面（14）中断裂，所述断层面（14）限定层（12）被分离，所述应力导致所述层（12）与所述供体基板（11）分离脱离。

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