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    • 2. 发明申请
    • VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON SUBSTRATEN
    • 用于生产SUBSTRATES
    • WO2005081603A1
    • 2005-09-01
    • PCT/EP2005/050187
    • 2005-01-18
    • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFTCWIK, ThomasMETKA, UweSTÜTZER, Roland
    • CWIK, ThomasMETKA, UweSTÜTZER, Roland
    • H05K3/46
    • H05K3/4679H05K1/0269H05K3/0035H05K3/4644H05K2201/09918
    • Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen von Sub­straten (200), welche durch aufeinanderfolgende flächige Prozessschritte mit einer ersten Schicht (210 und zumindest einer auf die erste Schicht (210) abgestimmten zweiten Schicht (220 hergestellt werden. Zunächst werden auf der ersten Schicht (210) mehrere Markierungen (211) vermessen und für jede Markierung (211) eine Abweichung der Ist-Position von der Soll-Position bestimmt. Aus diesen Abweichungen wird eine Transformation FTrans1 für die Positionsabweichungen von beliebigen Gitterpunkten der ersten Schicht (210) und eine Transformation FTrans2 für mögliche Positionsabweichungen von Gitterpunkten der zweiten Schicht (220) bestimmt. Bei der Bestimmung der Transformation FTrans2 werden vorbekannte Rand­ bedingungen für ein mögliches Verhalten des Verzuges der zweiten Schicht berücksichtigt. Beim nachfolgendem Bearbeiten der zweiten Schicht (220) wird eine kombinierte Transformati­on aus den beiden zuvor bestimmten. Transformationen FTrans I und FTrans2 berücksichtigt. Dadurch kann trotz unterschiedli­ cher Verzüge der beiden Schichten (210, 220) eine zuverlässi­ge Kontaktierung von Leiterbahnen gewährleistet werden, so dass bei der Herstellung von mehrschichtigen Leiterplatten ein geringer Ausschuss an defekten Leiterplatten erzeugt wird.
    • 本发明提供一种方法,用于制造基片(200),其由包括第一层(210和至少一个(第一层210)调谐的第二层(第220首先,在第一层上连续规模的工艺步骤制造的(210 )(的多个标记的211)从目标位置的实际位置的偏差确定的测量以及(每个标记211)。从这些偏差,变换FTrans1(用于第一层210的任何网格点的位置误差)以及变换FTrans2 对于第二层(220)的网格点可能的位置偏差来确定。在确定变换FTrans2现有技术边缘条件考虑用于第二层的延迟的一种可能的行为。在第二层(220)的后续加工是两者的组合变换 先前确定 。FTRANS转换我和FTrans2考虑。 由此,导体的可靠的接触,而不管不同的两个层(210,220)的彻扭曲,使得低在多层印刷电路板的制造中在委员会缺陷印刷电路板的制造来确保。