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热词
    • 1. 发明申请
    • UMRICHTERMOTOR
    • 变频电机
    • WO2009097916A1
    • 2009-08-13
    • PCT/EP2008/063695
    • 2008-10-13
    • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFTBILLMANN, MarkusDOMES, KonradHEINING, Hans-DieterSCHIERLING, HubertSCHMIDT, RichardWINDISCHMANN, Heinrich
    • BILLMANN, MarkusDOMES, KonradHEINING, Hans-DieterSCHIERLING, HubertSCHMIDT, RichardWINDISCHMANN, Heinrich
    • H05K7/20H05K7/14
    • H05K7/20909H02K11/33
    • Die Erfindung bezieht sich auf einen Umrichtermotor, umfassend einen Motor (2) und einen Umrichter (4), wobei Bauelemente einer Umrichterelektronik auf einer Leiterplatte derart angeordnet sind, dass verlustbehaftete Bauelemente mit einem als Deckel eines Umrichter-Gehäuses aus thermisch isolieren- dem Kunststoff ausgebildeten Kühlkörper (8) thermisch leitend verbunden sind, wobei dieses Umrichter-Gehäuse aus thermisch isolierendem Material axial an einer B-Seite des Motors (2) befestigt ist. Erfindungsgemäß ist die Leiterplatte (14) in mehrere Leiterplattensegmente unterteilt, die derart gegeneinander abgekantet sind, dass Leiterplattensegmente mit Bauelementen mit geringer Verlustleistung jeweils mit einer Wand einer Umrichter-Gehäusewandung (6) thermisch leitend verbunden sind und dass ein zentrales Leiterplattensegment mit verlustbehafteten Bauelementen mit einem aus thermisch leitendem Kunststoff bestehenden Kühlkörper (8) thermisch leitend verbunden ist, und ist der Motor (2) B-seitig mit einer Schottwand (16) aus thermisch isolierendem Material versehen, auf der eine Steckerleiste (18) angeordnet ist. Somit erhält man einen kompakten lüfterlosen Umrichtermotor.
    • 本发明涉及一种转换器电机包括发动机(2)和逆变器(4),所述一个逆变器电子部件被布置在电路板上,使得形成有损耗的部件用作为热isolieren-塑料的转换器壳体的盖 散热器(8)的热传导地连接,所述转换器壳体被轴向地固定热绝缘材料的发动机(2)的B侧。 根据本发明,所述电路板(14)被划分成多个印刷电路板段,这是如此相对于彼此折叠的,具有低功率损耗装置,其电路板段连接导热与转换器壳体的壁(6)和一个中央印刷电路板段用一种有损部件 由导热塑料制成的散热装置(8)热导通连接,并且马达(2)B侧有热绝缘材料的分隔壁(16)的,设置在电源板(18)。 因此,你会得到一个紧凑的无风扇变频电机。
    • 3. 发明申请
    • KURZSCHLUSSSTROMENTLASTUNG FÜR SUBMODUL EINES MODULAREN MEHRSTUFENUMRICHTERS (MMC)
    • 短路电流放电子模块甲MODULAR MEHRSTUFENUMRICHTERS(MMC)
    • WO2013044961A1
    • 2013-04-04
    • PCT/EP2011/066996
    • 2011-09-29
    • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFTBILLMANN, MarkusDORN, JörgGAMBACH, HerbertWAHLE, Marcus
    • BILLMANN, MarkusDORN, JörgGAMBACH, HerbertWAHLE, Marcus
    • H02H7/122H02M1/32H02M7/49
    • H02M1/32H01L2224/32225H01L2224/48227H01L2224/48472H01L2224/73265H01L2924/1301H01L2924/13055H02H7/1225H02M7/49H02M2001/322H02M2001/325H02M2007/4835H01L2924/00
    • Um einen Submodul (31) für einen Mehrpunkt-Umrichter mit einem unipolaren Energiespeicher (16), zwei Anschlussklemmen (22, 23) und einer Halbleiterschaltung (17, 26), die wenigstens zwei ansteuerbare Leistungshalbleiterschalter (18, 19, 27, 28) aufweist, denen jeweils eine separate Freilaufdiode (20, 21, 29, 30) gegensinnig parallel geschaltet ist, wobei dem unipolaren Energiespeicher (16) niederinduktiv wenigstens ein Halbleiterbauelement (32) parallel geschaltet ist, das im Fehlerfall den Energiespeicher (16) überbrückt, bereitzustellen, der im Fehlerfall die beiden Anschlussklemmen des Submoduls zuverlässig überbrückt, wird vorgeschlagen, dass jede Freilaufdiode (20, 21, 29, 30) eine Scheibenzellendiode und Teil einer Schaltungseinheit (39) ist, die eine Emitterplatte (41) sowie eine Kollektorplatte (42) aufweist, zwischen denen die Scheibenzellendiode (20, 21, 29, 30) verspannt ist, wobei die Kollektorplatte (42) mit einem Kollektoranschluss (5) des Leistungshalbleiterschalters (18, 19, 27, 28) und die Emitterplatte (41) mit einem Emitteranschluss (4) des Leistungshalbleiterschalters (18, 19, 27, 28) verbunden ist, welcher der besagten Freilaufdiode (20, 21, 29, 30) parallel geschaltet ist.
    • 为了具有用于与单极电力存储装置(16),两个端子(22,23)和半导体电路(17,26),所述至少两个可控功率半导体开关(18,19,27,28)中的多点转换器子模块(31) ,其中的每一个单独的续流二极管(20,21,29,30)相对地并联连接,其中,所述单极能量存储器(16)中的至少一个半导体器件(32)是并联连接的低电感,在未能提供的情况下,桥接所述能量存储装置(16), 可靠地桥接在错误的情况下的子模块的两个连接端子,所以建议每个续流二极管(20,21,29,30)是具有发射板(41)和集电板的电路部(39)的盘细胞二极管和部分(42) 其之间的盘被支撑单元二极管(20,21,29,30),其中,所述集电板(42),其具有电力用半导体开关的集电极端子(5) 具有发射极端子连接的RS(18,19,27,28)和所述发射板(41)(4)的功率半导体开关(18,19,27,28),其中,所述续流二极管(20,21,29,30)平行的 连接。