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1. 发明申请

WO2012110365A1 TRÄGERSUBSTRAT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：承载基板及其制造方法半导体芯片
公开(公告)号：WO2012110365A1
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：PCT/EP2012/052060
申请日：2012-02-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GÜNTHER, Ewald Karl Michael , PLÖSSL, Andreas , ZULL, Heribert , VEIT, Thomas , KÄMPF, Mathias , DENNEMARCK, Jens , BÖHM, Bernd , PERZLMAIER, Korbinian
发明人： GÜNTHER, Ewald Karl Michael , PLÖSSL, Andreas , ZULL, Heribert , VEIT, Thomas , KÄMPF, Mathias , DENNEMARCK, Jens , BÖHM, Bernd , PERZLMAIER, Korbinian
IPC分类号： H01L21/761 , H01L23/60 , H01L25/16 , H01L27/15 , H01L33/00 , H01L27/14 , H01L33/64 , H01L27/02
CPC分类号： H01L29/0607 , H01L23/60 , H01L25/167 , H01L27/0248 , H01L27/14 , H01L27/15 , H01L29/66128 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/641 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265
摘要： Es wird ein Trägersubstrat (10) für eine Halbleiterschichtenfolge angegeben, das eine erste Hauptfläche (11) und eine der ersten Hauptfläche gegenüberliegende zweite Hauptfläche (12) aufweist. Zwischen der ersten Hauptfläche und der zweiten Hauptfläche ist eine Diodenstruktur (2) ausgebildet, die die erste Hauptfläche von der zweiten Hauptfläche zumindest für eine Polarität einer elektrischen Spannung elektrisch isoliert. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterchips (3) mit einem Trägersubstrat angegeben.
摘要翻译：它是为具有第一主表面（11）和具有相对的第二主表面（12）的第一主表面中的一个的半导体层序列的支撑基板（10）中指定。所述第一主表面，并且（2）形成的二极管结构的第二主表面之间，所述第二主表面的第一主表面电性绝缘的至少一种用于电动电压的极性。此外，用于制造半导体芯片（3）的方法设置有支撑衬底。

2. 发明申请

WO2012130643A1 VERFAHREN ZUM VEREINZELN EINES BAUELEMENTVERBUNDS 审中-公开
标题翻译：方法分离COMPONENT GROUPING
公开(公告)号：WO2012130643A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/EP2012/054714
申请日：2012-03-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ZULL, Heribert , PERZLMAIER, Korbinian , PLÖßL, Andreas , VEIT, Thomas , KÄMPF, Mathias , DENNEMARCK, Jens , BÖHM, Bernd
发明人： ZULL, Heribert , PERZLMAIER, Korbinian , PLÖßL, Andreas , VEIT, Thomas , KÄMPF, Mathias , DENNEMARCK, Jens , BÖHM, Bernd
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/18 , H01S5/02
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L21/7806 , H01L21/782 , H01L21/784 , H01L31/18 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01S5/0201
摘要： Es wird ein Verfahren zum Vereinzeln eines Bauelementverbunds (1) in eine Mehrzahl von Bauelementbereichen (10) angegeben, bei dem ein Bauelementverbund mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung oder zum Empfangen von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen Bereich aufweist, bereitgestellt wird. Der Bauelementverbund wird an einem starren Hilfsträger (6) befestigt. Der Bauelementverbund wird in die Mehrzahl von Bauelementbereichen vereinzelt, wobei für jeden Bauelementbereich jeweils ein Halbleiterkörper (25) aus der Halbleiterschichtenfolge hervorgeht. Die Bauelementbereiche werden von dem Hilfsträger entfernt.
摘要翻译：提供了一种用于分离的部件组件（1）成多个器件区域（10），其具有带用于生产或用于接收电磁辐射区域中设置（2）的半导体层序列的成分复合的方法。部件组件被安装在一个刚性的辅助支撑（6）。复合部件对每个器件区域中的每一种情况下分离成多个分量区域，其中从所述半导体层序列看到一个半导体本体（25）。该器件区域从子载波中移除。

3. 发明申请

WO2012139953A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERKÖRPERS 审中-公开
标题翻译：用于生产半导体主体
公开(公告)号：WO2012139953A1
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/EP2012/056183
申请日：2012-04-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PERZLMAIER, Korbinian , ZULL, Heribert , EBERHARD, Franz , VEIT, Thomas , KÄMPF, Mathias , DENNEMARCK, Jens
发明人： PERZLMAIER, Korbinian , ZULL, Heribert , EBERHARD, Franz , VEIT, Thomas , KÄMPF, Mathias , DENNEMARCK, Jens
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/02 , H01L21/78
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L21/78 , H01L2924/0002 , H01S5/0201 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers (3) mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Halbleiterwafers mit mindestens zwei Chipbereichen (1) und mindestens einem Trennbereich (2), der zwischen den Chipbereichen (1) angeordnet ist, wobei der Halbleiterwafer eine Schichtenfolge aufweist, deren äußerste Schicht zumindest innerhalb des Trennbereiches (2) eine transmittierende Schicht (8) aufweist, die für elektromagnetische Strahlung durchlässig ist, - Durchführen zumindest einer der folgenden Maßnahmen: Entfernen der transmittierenden Schicht (8) innerhalb des Trennbereichs (2), Aufbringen einer absorbierenden Schicht (16) innerhalb des Trennbereichs, Erhöhen des Absorptionskoeffizients der transmittierenden Schicht innerhalb des Trennbereichs, und - Trennen der Chipbereiche (1) entlang der Trennbereiche (2) mittels eines Lasers.
摘要翻译：提供了一种方法用于制造半导体主体（3），包括以下步骤： - 提供具有至少两个芯片的区域（1）和至少一个分离区的半导体晶片（2），其被布置在所述芯片区域（1），其中所述半导体晶片为间具有层序列，最外层具有至少（2）的发射层（8），其是可渗透的电磁辐射，该释放区域内 - 执行以下各项中的至少一项：所述分离区域（2）内除去所述透射层（8）的，施加所述分离区域内的吸收层（16），增加分离区中的透射层的吸收系数，以及 - 所述芯片区域（1）沿所述分开部分（2）通过激光来分离。

4. 发明申请

WO2011104097A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER MEHRZAHL VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子半导体芯片的多个
公开(公告)号：WO2011104097A1
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：PCT/EP2011/051574
申请日：2011-02-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GÜNTHER, Ewald, Karl, Michael , KÄMPF, Mathias , DENNEMARCK, Jens , GMEINWIESER, Nikolaus
发明人： GÜNTHER, Ewald, Karl, Michael , KÄMPF, Mathias , DENNEMARCK, Jens , GMEINWIESER, Nikolaus
IPC分类号： B28D5/00 , H01L27/15
CPC分类号： H01L27/153 , B28D5/0011 , H01L21/78
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips angegeben, das zumindest die folgenden Verfahrensschritte umfasst: a) Bereitstellen einer Trägerscheibe (1), welche eine erste (11) und eine der ersten Oberfläche (11) gegenüberliegende zweite Oberfläche (12) aufweist, wobei auf der ersten Oberfläche (11) eine Mehrzahl von einzelnen, in einer lateralen Richtung zueinander beabstandeten Bauelementschichtenfolgen (2) aufgebracht ist, die jeweils durch Trenngräben (3) voneinander getrennt sind; b) Einbringen von zumindest einer Kristallstörung (4) in zumindest einem Bereich (41) der Trägerscheibe (1), der in einer vertikalen Richtung zumindest teilweise mit einem Trenngraben (3) überlappt; c) Vereinzeln der Trägerscheibe (1) entlang der zumindest einen Kristallstörung (4) in einzelne Halbleiterchips (1000).
摘要翻译：（1）具有（第一（11）和所述第一表面的一个11）相对的第二表面（12）a）提供承载晶片：它是由光电子半导体芯片，产生多个的方法，其包括至少下面的处理步骤中指定其中，所述第一表面（11）上施加多个单独的，相互在横向方向上组件层间隔开的序列（2）中，通过分离的沟槽（3）彼此分开; b）将至少一个晶体故障（4）（在承载盘（1），其至少部分地在垂直方向上与分离槽（3）重叠的至少一个区域41）; c）分离沿所述至少一个晶体故障（4）承载盘（1）（在单独的半导体芯片1000）。

5. 发明申请

WO2016075142A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT STREUSTRAHLUNG 审中-公开
标题翻译：与杂散辐射OPTO电子元件
公开(公告)号：WO2016075142A1
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：PCT/EP2015/076217
申请日：2015-11-10
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MUELLER, Jens , HÖß, Christine , DENNEMARCK, Jens , KOLLER, Johann
IPC分类号： H01L33/42 , H01S5/042 , H01S5/223
CPC分类号： H01L33/42 , G01R31/2635 , H01L33/0045 , H01L33/0095 , H01L33/22 , H01L2933/0016 , H01S5/0207 , H01S5/0425 , H01S5/2231
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen des optoelektronischen Bauelements, ein Verfahren zum Testen des Bauelements und das optoelektronische Bauelement, wobei die durch die aktive Zone (5,6) erzeugte elektromagnetische Strahlung in einer Führungsebene (19) geführt wird, wobei die elektromagnetische Strahlung im Wesentlichen in der Führungsebene (19) ausgegeben wird, wobei seitlich zur Führungsebene (19) die aktive Zone (5,6) eine Streustrahlung (12) abgibt, wobei eine elektrische Kontaktfläche (18) vorgesehen ist, wobei die Kontaktfläche (18) außerhalb der Führungsebene angeordnet ist, wobei die Kontaktfläche (18) durch eine Oberfläche (8) gebildet ist, die mit einer leitenden Schicht (9) wenigstens teilweise bedeckt ist, wobei die Oberfläche (9) geneigte Teilflächen (15) aufweist, wobei die elektrisch leitende Schicht (9) an wenigstens einer Teilmenge der geneigten Flächen der Kontaktfläche (18) so dünn ausgebildet ist, dass elektromagnetische Streustrahlung (12) über die Teilmenge der geneigten Flächen (15) austritt.
摘要翻译：本发明涉及一种制造光电组件，该组件和光电子器件的测试方法，的方法，所述由有源区中产生（5,6）中的引导面（19）电磁辐射被引导，其中，在所述电磁辐射基本上是在所述导向平面（19）输出的，横向于导向平面（19），有源区（5,6）写一个散射辐射（12），其特征在于，提供了一种电接触表面（18），其特征在于，外侧的所述接触表面（18）引导面被布置，其中，所述接触表面（18）由表面（8），（9）上设置有导电层至少部分地覆盖所述表面（9）具有倾斜面（15），其中，所述导电层形成（9）至少在接触表面的倾斜面的一个子集（18）被形成很薄以致电磁Streustrahlu 纳克（12）离开，通过倾斜表面（15）的子集。

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