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1. 发明申请

WO2007022741A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES LUMINESZENZDIODENCHIPS UND LUMINESZENZDIODENCHIP 审中-公开
标题翻译：一种用于生产LED芯片的LED芯片和
公开(公告)号：WO2007022741A1
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：PCT/DE2006/001262
申请日：2006-07-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRUNNER, Herbert , EISSLER, Dieter , FISCHER, Helmut , GUENTHER, Ewald, Karl, Michael , HEINDL, Alexander
发明人： BRUNNER, Herbert , EISSLER, Dieter , FISCHER, Helmut , GUENTHER, Ewald, Karl, Michael , HEINDL, Alexander
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren angegeben, bei dem ein Grundkörper bereitgestellt wird, der eine Schichtenfolge für den Lumineszenzdiodenchip aufweist, die geeignet ist, eine elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Auf zumindest eine Hauptfläche des Grundkörpers wird eine Deckschicht aufgebracht. In die Deckschicht wird mindestens eine Kavität eingebracht, die vollständig oder teilweise mit einem Lumineszenzkonversionsmaterial gefüllt wird. Das Lumineszenzkonversionsmaterial weist mindestens einen Leuchtstoff auf. Zudem wird ein Verfahren angegeben, bei dem die Deckschicht photostrukturierbares Material sowie mindestens einen Leuchtstoff aufweist, so dass sie als Lumineszenzkonversionsmaterial fungieren und unmittelbar photostrukturiert werden kann. Weiterhin werden Lumineszenzdiodenchips beschrieben, die mit den Verfahren herstellbar sind.
摘要翻译：提供了一种在其基体设置，具有用于发光二极管芯片，其适于发射电磁辐射的层序列的方法。在基体的至少一个主表面的覆盖层施加。在覆盖层中至少一个腔结合，其被完全地或部分地填充有发光转换材料。发光转换材料包含至少一种磷光体。此外，提供了一种方法，其中，所述涂膜材料可光图案化和至少一种磷光体，使得它们用作发光和可以立即发生光结构化的。此外，所描述的LED芯片可与方法来制造。

2. 发明申请

WO2009003435A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTEN UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于制造光电子器件和光电子器件
公开(公告)号：WO2009003435A1
公开(公告)日：2009-01-08
申请号：PCT/DE2008/000776
申请日：2008-05-07
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , FISCHER, Helmut , EISSLER, Dieter , HEINDL, Alexander
发明人： FISCHER, Helmut , EISSLER, Dieter , HEINDL, Alexander
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/78 , H01L21/68
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L23/3114 , H01L24/12 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L24/95 , H01L24/97 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/44 , H01L2221/68322 , H01L2221/68354 , H01L2221/68363 , H01L2221/68377 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/05611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13155 , H01L2224/13169 , H01L2224/16225 , H01L2224/29144 , H01L2224/2919 , H01L2224/81001 , H01L2224/81801 , H01L2224/83851 , H01L2224/90 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10158 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/181 , H01L2924/01032 , H01L2924/0105 , H01L2224/81 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen (1) angegeben, bei dem eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern (2) mit jeweils einer Halbleiterschichtenfolge bereitgestellt wird. Weiterhin wird ein Bauelementträgerverbund (30) mit einer Mehrzahl von Anschlussflächen (35) bereitgestellt. Die Halbleiterkörper (2) werden relativ zum Bauelementträgerverbund (30) positioniert. Zwischen den Anschlussflächen (35) und den zugeordneten Halbleiterkörpern (2) wird eine elektrisch leitende Verbindung hergestellt und die Halbleiterkörper werden an dem Bauelementträgerverbund (30) befestigt. Die optoelektronischen Bauelemente (2) werden fertig gestellt, wobei für jedes optoelektronische Bauelement (1) ein Bauelementträger (3) aus dem Bauelementträgerverbund (30), auf dem die Halbleiterkörper (2) befestigt sind, ausgebildet wird. Ferner wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben.
摘要翻译：提供了一种用于生产光电元件（1）的，其中多个在每种情况下的半导体层序列设置有半导体本体（2）的。此外，具有多个焊盘（35）的一个组件承载组件（30）设置。该半导体主体（2）相对于所述分量载波组件（30）被定位。连接面（35）和所分配的半导体本体（2）之间被制备，导电性化合物和半导体本体被紧固到部件载体复合物（30）。光电子器件（2）完成，其中，对于每个光电部件（1）的分量载波（3）从在其上形成所述半导体主体（2）所连接的分量载波组件（30）。此外，光电元件中指定。

3. 发明申请

WO2009039802A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTES UND HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法的半导体元件和半导体元件
公开(公告)号：WO2009039802A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/DE2008/001291
申请日：2008-08-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EISSLER, Dieter , HEINDL, Alexander
发明人： EISSLER, Dieter , HEINDL, Alexander
IPC分类号： B29C41/12 , B29C41/36 , B29C41/38 , B29C41/20 , H05K3/12 , H01L21/56
CPC分类号： B29C41/12 , B29C41/20 , B29C41/36 , B29C41/38 , H01L21/568 , H01L24/97 , H01L33/44 , H01L33/52 , H05K3/0052 , H05K3/284 , H05K2203/0582
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes (9), wobei ein Gitter (7) auf einem Träger (1) gebildet wird, so dass Vertiefungen entstehen, eine Mehrzahl von Halbleiterchips (4) auf dem Träger (1) angeordnet wird, so dass die Halbleiterchips (4) innerhalb der Vertiefungen positioniert sind, die Vertiefungen, in denen die Halbleiterchips (4) angeordnet sind, mit einem Abdeckmaterial (8) gefüllt werden, so dass die Vertiefungen bis zur Höhe des Gitters (7) gefüllt sind, das Abdeckmaterial (8) ausgehärtet wird und die Halbleiterchips (4) von dem Träger (1) und dem Gitter (7) getrennt werden.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在载体上制造半导体元件（9），（7）在载体上的（1），从而形成凹陷部形成的光栅，多个半导体芯片（4）（1）被配置成半导体芯片（4）被定位在所述凹槽内，其中，所述半导体芯片（4）被布置在凹槽中填充有覆盖材料（8），从而使凹部一直到光栅的高度填充（7）所述载体（1）和电网（7）是分离的覆盖材料（8）被固化和半导体芯片（4）。

4. 发明申请

WO2008131743A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电组件
公开(公告)号：WO2008131743A1
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：PCT/DE2008/000715
申请日：2008-04-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ILLEK, Stefan , PLOESSL, Andreas , HEINDL, Alexander , RODE, Patrick , EISSLER, Dieter
发明人： ILLEK, Stefan , PLOESSL, Andreas , HEINDL, Alexander , RODE, Patrick , EISSLER, Dieter
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/385 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Strahlungserzeugung geeigneten aktiven Bereich (4) aufweist, einer auf dem Halbleiterkörper angeordneten Reflektorschicht (72) und zwei elektrischen Kontakten (7,8) angegeben, wobei ein erster Kontakt (7) der beiden Kontakte auf der der Reflektorschicht zugewandten Seite des aktiven Bereichs elektrisch leitend mit dem Halbleiterkörper verbunden ist, der zweite Kontakt (8) der beiden Kontakte auf der von der Reflektorschicht abgewandten Seite des aktiven Bereichs elektrisch leitend mit dem Halbleiterkörper verbunden ist und die Reflektorschicht zwischen einem Teilbereich des zweiten Kontakts und dem Halbleiterkörper angeordnet ist.
摘要翻译：它是与具有合适的半导体层序列的半导体主体（2），用于生成辐射有源区（4），一个设置在半导体本体反射器层（72）和两个电触头（7,8）上，其中，第一光电装置（7）接触的面对所述有源区域的反射层侧的一侧上的两个触点导电连接到所述半导体主体，所述第二触头（8）上从所述活性区域的所述反射层侧的远程侧的两个触点的导电地连接到所述半导体基体是和半导体主体的第二接触的部分之间的反射层被布置。

5. 发明申请

WO2008131736A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MEHRZAHL OPTOELEKTRONISCHER BAUELEMENTE 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的多个光电元件的
公开(公告)号：WO2008131736A1
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：PCT/DE2008/000704
申请日：2008-04-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ILLEK, Stefan , PLOESSL, Andreas , HEINDL, Alexander , RODE, Patrick , EISSLER, Dieter
发明人： ILLEK, Stefan , PLOESSL, Andreas , HEINDL, Alexander , RODE, Patrick , EISSLER, Dieter
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der einen zur Strahlungserzeugung geeigneten aktiven Bereich (4) aufweist, und mit zwei auf dem Halbleiterkörper angeordneten elektrischen Kontakten (7, 8) angegeben, wobei die Kontakte elektrisch leitend mit dem aktiven Bereich verbunden sind, die Kontakte jeweils eine vom Halbleiterkörper abgewandte Anschlussfläche (70, 80) aufweisen, die Anschlussflächen auf einer Anschlussseite des Bauelements angeordnet sind und eine von der Anschlussseite verschiedene Seite des Bauelements verspiegelt ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl derartiger Bauelemente angegeben.
摘要翻译：它是（1）设置有一个半导体主体（2），其具有适合于产生辐射有源区（4），和两个设置在半导体本体电接触（7,8），其中，所述触点电连接到所述的光电子器件有源区被连接到在每种情况下一个接触面与半导体本体垫（70，80）的距离，其垫被设置在部件的一个端侧，并从部件的连接并排不同被镜像。此外，用于制造多个这样的器件的方法中给出。

6. 发明申请

WO2010091936A1 VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG EINER HALBLEITEROBERFLÄCHE UND HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法构建半导体表面及半导体晶片
公开(公告)号：WO2010091936A1
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：PCT/EP2010/050742
申请日：2010-01-22
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH , BAUR, Elmar , BÖHM, Bernd , HEINDL, Alexander , RODE, Patrick , SABATHIL, Matthias
发明人： BAUR, Elmar , BÖHM, Bernd , HEINDL, Alexander , RODE, Patrick , SABATHIL, Matthias
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/0062
摘要： Es wird ein Verfahren zur Strukturierung einer Halbleiteroberfläche angegeben, mit den folgenden Schritten: Bereitstellen eines ersten Wafers (1), welcher eine strukturierte Oberfläche (11) aufweist; Bereitstellen eines zweiten Halbleiterwafers (3); Aufbringen eines Fotolacks (2) auf die Außenflächen des zweiten Halbleiterwafers (3); Strukturieren der dem zweiten Halbleiterwafer (3) abgewandten Oberfläche des Fotolacks (2) durch Abdrucken der strukturierten Oberfläche (11) des ersten Wafers (1) in den Fotolack (2); Anwendung eines Strukturierungsverfahrens (6) auf die strukturierte Oberfläche (21) des Fotolacks (2), wobei die auf dem Fotolack (2) aufgebrachte Struktur zumindest stellenweise auf die Außenfläche (31) des zweiten Halbleiterwafers (3) übertragen wird.
摘要翻译：提供了一种用于图案化的半导体表面，其包括以下步骤提供了一种方法：提供（1）具有结构化表面（11）的第一晶片; 提供第二半导体晶片（3）; 施加光刻胶（2）到所述第二半导体晶片（3）的外表面; 光致抗蚀剂（2）的表面形成图案，以在第二半导体晶片（3）的面向远离通过在光致抗蚀剂（2）压印在第一晶片（1）的图案化表面（11）; 光致抗蚀剂的结构化表面（21）上施加图案化工艺（6）（2），其中，所述光致抗蚀剂（2）（3）发送的第二半导体晶片的外表面（31）上至少局部地施加结构。

7. 发明申请

WO2010136304A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUTEILS 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电半导体元件
公开(公告)号：WO2010136304A1
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：PCT/EP2010/055986
申请日：2010-05-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BAUR, Elmar , HEINDL, Alexander , BOEHM, Bernd , RODE, Patrick , ZULL, Heribert
发明人： BAUR, Elmar , HEINDL, Alexander , BOEHM, Bernd , RODE, Patrick , ZULL, Heribert
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/22 , G03F7/00
CPC分类号： H01L33/22 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L33/005 , H01L33/20
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben, mit den folgenden Schritten: - Bereitstellen eines ersten Wafers (1), welcher eine strukturierte Oberfläche (11) aufweist, wobei die strukturierte Oberfläche (11) zumindest stellenweise durch Erhebungen (E1, E2) erster (H1) und zweiter Höhe (H2) gebildet ist, wobei die erste Höhe (H1) größer ist als die zweite Höhe (H2); - Bereitstellen eines zweiten Wafers (3); - Aufbringen eines Fotolacks (2) auf die Außenflächen des zweiten Wafers (3); - Strukturieren der dem zweiten Wafer (3) abgewandten Oberfläche des Fotolacks (2) durch Abdrucken der strukturierten Oberfläche (11) des ersten Wafers (1) in den Fotolack (2), wobei die Erhebungen (E1, E2) als Gräben (G1, G2) erster und zweiter Tiefe in den Fotolack (2) abgedruckt werden; - Anwendung eines Strukturierungsverf ahrens (6) auf die strukturierte Oberfläche (21) des Fotolacks (2), wobei - die auf dem Fotolack (2) aufgebrachte Struktur zumindest stellenweise auf die Außenfläche (30) des zweiten Wafers (3) übertragen wird.
摘要翻译：公开的是用于制造光电子半导体器件，其包括以下步骤的方法： - 提供（1）具有结构化表面（11），第一晶片，其中所述结构化表面（11）至少局部地通过凸起（E1，E2）首先（H1）形成，并且第二高度（H2），其中，所述第一高度（H1）比所述第二高度（H2）更大; - 提供第二晶片（3）; - 施加抗蚀剂（2）所述第二晶片的外表面（3）上; - 通过在光致抗蚀剂（2）压印在第一晶片（1）的图案化表面（11），图案化（3）的面向远离所述光致抗蚀剂（2）的表面的第二晶片，其中所述凸起（E1，E2）（如沟槽G1， G2）的第一和第二深度（在光致抗蚀剂2）将被打印; - 一个Strukturierungsverf Ahrens的（6）到所述光致抗蚀剂（2），其中，所述结构化表面（21）的应用 - 的光致抗蚀剂（2）施加的结构被至少局部地转移到第二晶片（3）的外表面（30）。

8. 发明申请

WO2002056113A3 VERFAHREN ZUM AUSBILDEN EINER ÄTZMASKE 审中-公开
公开(公告)号：WO2002056113A3
公开(公告)日：2002-07-18
申请号：PCT/DE2002/000109
申请日：2002-01-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BUCHNER, Anton , HEINDL, Alexander
发明人： BUCHNER, Anton , HEINDL, Alexander
IPC分类号： G03F7/40
摘要： Eine Photolackschicht (3) auf der Oberfläche (2) eines Substrats (1) wird zum Aufheizen mit einer Metallisierungsschicht (7) abgedeckt, so daß nach dem Aufheizen eine ätzstabile Photolackschicht mit scharfen Strukturen zur Verfügung steht.

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