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1. 发明申请

WO2007087769A2 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT STROMAUFWEITUNGSSCHICHT 审中-公开
标题翻译：具有功率扩展层的光电子半导体元件
公开(公告)号：WO2007087769A2
公开(公告)日：2007-08-09
申请号：PCT/DE2006/001617
申请日：2006-09-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AHLSTEDT, Magnus , EISSLER, Dieter , WALTER, Robert , WIRTH, Ralf
发明人： AHLSTEDT, Magnus , EISSLER, Dieter , WALTER, Robert , WIRTH, Ralf
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/0224 , H01S5/042
CPC分类号： H01L31/022466 , H01L31/103 , H01L31/1884 , H01L33/0095 , H01L33/42 , H01L2224/48463 , H01S5/0421 , Y02E10/50
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (10), und einer Stromaufweitungsschicht (3) angegeben. Die Stromaufweitungsschicht (3) ist zumindest stellenweise auf den Halbleiterkörper (10) aufgebracht. Dabei enthält die Stromaufweitungsschicht (3) ein Metall (1), das in der Stromaufweitungsschicht ein transparentes, elektrisch leitfähiges Metalloxid (2) bildet, und die Konzentration (x) des Metalls (1) nimmt von der dem Halbleiterkörper (10) zugewandten Seite zur dem Halbleiterkörper (10) abgewandten Seite der Stromaufweitungsschicht (3) hin ab. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelements angegeben.
摘要翻译：提供了具有半导体本体（10）和电流扩展层（3）的光电子半导体器件。电流扩展层（3）至少局部地施加到半导体本体（10）。由此，电流扩展层（3）包括在电流扩展层中形成透明导电金属氧化物（2）的金属（1），并且金属（1）的浓度（x）从半导体本体（10）侧远离电流扩散层（3）的半导体本体（10）侧。此外，指定了用于制造这种半导体器件的方法。

2. 发明申请

WO2010124915A1 LEUCHTDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER LEUCHTDIODE 审中-公开
标题翻译：发光二极管及其制造方法发光二极管
公开(公告)号：WO2010124915A1
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：PCT/EP2010/053942
申请日：2010-03-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GROLIER, Vincent , AHLSTEDT, Magnus , AHLSTEDT, Mikael , EISSLER, Dieter
发明人： GROLIER, Vincent , AHLSTEDT, Magnus , AHLSTEDT, Mikael , EISSLER, Dieter
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/486 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird eine Leuchtdiode angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (1), wobei der Halbleiterkörper (1) einen aktiven, zur Strahlungserzeugung vorgesehenen Bereich (11) umfasst, - einem Trägerkörper (2), der an einer Oberseite (1a) des Halbleiterkörpers (1) am Halbleiterkörper (1) befestigt ist, wobei der Trägerkörper (2) ein Lumineszenzkonversionsmaterial umfasst, - einer Spiegelschicht (3), die an einer der Oberseite (1a) abgewandten Unterseite (1b) des Halbleiterkörpers (1) auf den Halbleiterkörper (1) aufgebracht ist, und - zwei Kontaktschichten (4a, 4b), wobei eine erste (4a) der Kontaktschichten mit einem n-leitenden Bereich (13) des Halbleiterkörpers (1), und eine zweite der Kontaktschichten (4b) mit einem p-leitenden Bereich (12) des Halbleiterkörpers (1) elektrisch leitend verbunden ist.
摘要翻译：提供了一种发光二极管，包括： - 一个半导体主体（1），其中半导体本体（1）包括的活性，提供了一种用于放射线生成区域（11）， - 一载体本体（2）安装在所述半导体主体的上侧（1a）的（1 ）（在半导体本体1）被紧固，其中所述载体本体（2）包括一发光转换材料， - 一个镜层（3）（在从底部背对上表面1a的一个）（1b）的所述半导体主体（1）上的半导体主体（1）被施加，以及 - 与所述半导体主体（1）的n型区域（13）的接触层的两个接触层（4A，4B）中，第一个（图4a），和接触层（4b）中的与p型区的第二（12）在半导体本体（1）的导电连接。

3. 发明申请

WO2009083001A3 STRAHLUNGSEMITTIERENDER KÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN KÖRPERS 审中-公开
公开(公告)号：WO2009083001A3
公开(公告)日：2009-07-09
申请号：PCT/DE2008/002136
申请日：2008-12-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , EBERHARD, Franz , WINDISCH, Reiner , WALTER, Robert , SCHMAL, Michael , AHLSTEDT, Magnus
发明人： EBERHARD, Franz , WINDISCH, Reiner , WALTER, Robert , SCHMAL, Michael , AHLSTEDT, Magnus
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Die Erfindung betrifft einen strahlungsemittierenden Körper umfassend eine Schichtenfolge, mit einer aktiven Schicht (10) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, mit einer Reflexionsschicht (50), welche die erzeugte Strahlung reflektiert und mit zumindest einer Zwischenschicht (40), welche zwischen der aktiven Schicht (10) und der Reflexionsschicht (50) angeordnet ist. Dabei weist die aktive Schicht (10) auf einer zur Reflexionsschicht (50) gerichteten Grenzfläche (15) eine Aufrauung auf und die Reflexionsschicht (50) ist an einer zur aktiven Schicht (10) gerichteten Grenzfläche (45) im Wesentlichen planar. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Körpers, bei dem eine Schichtenfolge auf einem Substrat mit einer aktiven Schicht (10) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung, ausgebildet wird. Dabei erfolgt ein Aufrauen einer Grenzfläche (15) auf der aktiven Schicht (10) und ein Ausbilden zumindest einer Zwischenschicht (40) und einer Reflexionsschicht (50).

4. 发明申请

WO2010017790A1 OBERFLÄCHENMONTIERBARES, OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：表面贴装，光电子半导体组件
公开(公告)号：WO2010017790A1
公开(公告)日：2010-02-18
申请号：PCT/DE2009/000884
申请日：2009-06-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , ZITZLSPERGER, Michael , WEGLEITER, Walter , MOOSBURGER, Jürgen , BARCHMANN, Bernd , AHLSTEDT, Magnus , ZEILER, Thomas
发明人： ZITZLSPERGER, Michael , WEGLEITER, Walter , MOOSBURGER, Jürgen , BARCHMANN, Bernd , AHLSTEDT, Magnus , ZEILER, Thomas
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/486 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des oberflächenmontierbaren, optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) umfasst dieses eine Montagefläche (10) an einer Bauteilunterseite, einen um eine Ausnehmung (9) umlaufenden Gehäusegrundkörper (4), der einen Teil der Montagefläche (10) bildet, und mindestens zwei elektrische Anschlussstücke (2), die ebenfalls einen Teil der Montagefläche (10) bilden und die den Gehäusegrundkörper (4) lateral nicht überragen. Die Ausnehmung (9) reicht hierbei bis zu den Anschlussstücken (2). Des Weiteren umfasst das Halbleiterbauteil (1) mindestens einen strahlungsemittierenden, optoelektronischen Halbleiterchip (3), der sich in der Ausnehmung (9) befindet und über die Anschlussstücke (2) elektrisch kontaktiert und auf mindestens einem Anschlussstück (2) aufgebracht ist. Außerdem weist das Halbleiterbauteil (1) mindestens einen Abschirmkörper (5) auf, der sich zwischen dem Halbleiterchip (3) und dem Gehäusegrundkörper (4) befindet, wobei der Abschirmkörper (5) eine vom Halbleiterchip (3) emittierte Strahlung vom Gehäusegrundkörper (4) abschirmt.
摘要翻译：在至少一个实施例中，表面安装，所述光电子半导体器件（1），包括在组件底座，所述安装表面（10），环绕的凹部（9），壳体基体（4），其形成在安装表面（10）的一部分，和至少两个电连接片（2），其也形成在安装表面（10）的一部分，并且不突出超过壳体基体（4）横向。所述凹部（9）在这种情况下达到所述连接件（2）延伸。此外，半导体器件（1）包括至少一个辐射发射光电子半导体芯片（3），它位于所述凹部（9）和连接件（2）的电接触，并在至少一个连接被施加片（2）。此外，至少，在半导体上的屏蔽体组分（1）（5）（3）和壳体基体（4）位于所述半导体芯片，其特征在于，所述屏蔽（5）通过将半导体芯片（3）从所述外壳基体的辐射发射的一个（4）之间盾牌。

5. 发明申请

WO2012055661A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINEM HALBLEITERCHIP, EINEM TRÄGERSUBSTRAT UND EINER FOLIE UND EIN VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：具有半导体芯片，载体基板和膜及其制造方法光电半导体器件
公开(公告)号：WO2012055661A1
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：PCT/EP2011/066767
申请日：2011-09-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AHLSTEDT, Magnus , RAMCHEN, Johann
发明人： AHLSTEDT, Magnus , RAMCHEN, Johann
IPC分类号： H01L33/62 , H01L23/52
CPC分类号： H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es ist ein Halbleiterbauelement (100) mit einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1), einem Trägersubstrat (2) und einer Folie (3) vorgesehen. Das Trägersubstrat (2) weist auf einer Oberseite (20) elektrisch leitfähige Kontaktbahnen (21a, 21b) auf. Die Folie (3) ist auf einer vom Trägersubstrat (2) abgewandten Strahlungsaustrittsseite (10) des Chips (1) und auf der Oberseite (20) des Trägersubstrats (2) angeordnet und weist elektrisch leitfähige erste Leiterbahnen (31a) auf. Zudem weist die Folie (3) Durchbrüche (32a, 32b) auf, die derart angeordnet sind, dass der Halbleiterchip (1) über die erste Leiterbahn (31a) der Folie (3) mit der ersten Kontaktbahn (21a) des Trägersubstrats (2) elektrisch kontaktierbar ist. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Bauelements angegeben.
摘要翻译：它是具有发射辐射的半导体芯片的半导体器件（100）（1）中，载体基板（2）和一个膜（3）。所述载体基片（2）具有导电接触轨道（21A，21B）上的顶侧（20）。从芯片（1）的载体基板（2）辐射出射侧（10）和在载体基材的顶部（20）的面向从远离所述箔（3）（2）和电包括在导电的第一导体轨迹（31A）。另外，膜（3）具有开口（32A，32B），其被布置成使得通过所述箔（3）的与所述载体基片的第一接触轨道（21A）在所述第一导体轨道（31A）在半导体芯片（1）（2）可以电接触。此外，被指定制造这种器件的方法。

6. 发明申请

WO2012041925A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：WO2012041925A1
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：PCT/EP2011/066917
申请日：2011-09-28
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AHLSTEDT, Magnus , RAMCHEN, Johann , RACZ, David , KRÄUTER, Gertrud
发明人： AHLSTEDT, Magnus , RAMCHEN, Johann , RACZ, David , KRÄUTER, Gertrud
IPC分类号： H01L33/60 , H01L33/54 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/54
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem Licht emittierenden Chip und ein dem Licht emittierenden Chip seitlich umgebendes Gehäuse angegeben. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben, bei dem ein flüssiges Gehäusematerial auf einem Substrat aufgebracht wird.
摘要翻译：是侧指示壳体周围具有发光芯片和所述发光芯片的光电子器件。此外，提供了一种用于制造其中液体壳材料被施加到基底上的光电装置的方法。

7. 发明申请

WO2009015645A2 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINEM SCHICHTENSTAPEL 审中-公开
标题翻译：具有层堆栈的光电子器件
公开(公告)号：WO2009015645A2
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：PCT/DE2008/001225
申请日：2008-07-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AHLSTEDT, Magnus , BADER, Stefan , BAUR, Johannes , SABATHIL, Matthias , STRASSBURG, Martin , ZEHNDER, Ulrich
发明人： AHLSTEDT, Magnus , BADER, Stefan , BAUR, Johannes , SABATHIL, Matthias , STRASSBURG, Martin , ZEHNDER, Ulrich
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/02 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/42 , H01L33/46
摘要： Optoelektronisches Bauelement (20) mit einem Schichtenstapel (10), der zumindest folgendes umfasst: eine Schichtenfolge, die eine Halbleiterleuchtdiode (5) darstellt und zumindest eine erste Leuchtdiodenschicht (2), eine zweite Leuchtdiodenschicht (4) und eine optisch aktive Zone (3) zwischen der ersten (2) und der zweiten Leuchtdiodenschicht (4) umfasst, wobei die beiden Leuchtdiodenschichten (2, 4) jeweils aus einem III-V-Halbleiter-material gebildet sind, das jeweils mindestens eines der Elemente Aluminium, Gallium und Indium und jeweils mindestens eines der Elemente Stickstoff, Phosphor und Arsen enthält, und wobei die erste Leuchtdiodenschicht (2) eine n-dotierte Schicht und die zweite Leuchtdiodenschicht (4) eine p-dotierte Schicht ist, eine silberhaltige metallische Schicht (9) und eine Zwischenschicht (8) aus einem transparenten leitfähigen Oxid, die zwischen der Halbleiterleuchtdiode (15) und der metallischen Schicht (9) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Schicht (9) und die Zwischenschicht (8) auf derjenigen Seite der Halbleiterleuchtdiode (15) angeordnet sind, der die p-dotierte zweite Leuchtdiodenschicht (4) zugewandt ist, und dass zwischen der zweiten Leuchtdiodenschicht (4) und der Zwischenschicht (8) zumindest eine hochdotierte erste Halbleiterschicht (7) angeordnet ist, deren Dotierstoffkonzentration größer ist als die Dotierstoffkonzentration der zweiten Leuchtdiodenschicht (4).
摘要翻译：
包括一个叠层（10），至少包括所述的光电子器件（20）：一个层序列，这是一种半导体发光二极管（5）和至少一个第一发光二极管（2），第二发光层（4）和光学活性区域（3）的第一（2）和第二发光层（4），其中所述两个发光层（2,4）分别由III-V族半导体材料，其在每种情况下中的至少一个的形成之间包括元素铝，镓和铟和元素氮，磷中的至少一种和砷包含HOLDS，并且其中，所述第一发光层（2）的n型掺杂层和第二发光层（4）p型掺杂的层，含银设置在半导体发光二极管（15）和金属层（9）之间的透明导电氧化物的金属层（9）和中间层（8） ichnet在于，所述金属层（9）和所述中间层（8）上的半导体发光二极管的那侧（15）被布置成面对所述p型第二发光层（4），并且所述第二发光层（4）之间和中间层（8）设置有至少一个掺杂浓度大于第二发光二极管层（4）的掺杂浓度的高掺杂第一半导体层（7）

8. 发明申请

WO2007076743A1 LUMINESZENZDIODENCHIP MIT STROMAUFWEITUNGSSCHICHT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译： LED芯片MIT电流扩展层FOR和方法及其
公开(公告)号：WO2007076743A1
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：PCT/DE2006/002046
申请日：2006-11-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HAHN, Berthold , WIRTH, Ralph , ALBRECHT, Tony , AHLSTEDT, Magnus , ILLEK, Stefan , STREUBEL, Klaus
发明人： HAHN, Berthold , WIRTH, Ralph , ALBRECHT, Tony , AHLSTEDT, Magnus , ILLEK, Stefan , STREUBEL, Klaus
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/145 , H01L33/42
摘要： Es wird ein Lumineszenzdiodenchip angegeben, der mindestens ein Strombarriere aufweist. Die Strombarriere ist geeignet, die Erzeugung der Strahlung in einem von dem elektrischen Anschlusskörper lateral bedeckten Bereich durch eine verringerte Stromdichte selektiv zu verhindern oder zu verringern. Die Stromaufweitungsschicht enthält mindestens ein TCO (Transparent Conductive Oxide). In einer besonders bevorzugten Ausführungsform ist mindestens eine Strombarriere enthalten, die Material der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge, Material der Stromaufweitungsschicht und/oder eine Grenzfläche zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der Stromaufweitungsschicht aufweist. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines Lumineszenzdiodenchips angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有至少一个流动屏障的LED芯片。电流阻挡适于防止辐射的产生以横向通过所述电连接器本体部分覆盖的减小的电流密度选择性或减小。电流扩展层包括至少一个TCO（透明导电氧化物）。在特别优选的实施方案中，包括至少一个电流阻挡层，其包括外延半导体层序列的材料，所述电流扩展层材料和/或半导体层序列和所述电流扩展层之间的界面。还提供了用于制造LED芯片的方法。

9. 发明申请

WO2010012257A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTEN UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：用于制造光电子器件和光电子器件
公开(公告)号：WO2010012257A1
公开(公告)日：2010-02-04
申请号：PCT/DE2009/000941
申请日：2009-07-02
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AHLSTEDT, Magnus
发明人： AHLSTEDT, Magnus
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/486 , H01L31/0203 , H01L33/62 , H01L33/647 , H01L2224/73265 , H01L2933/0075 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： Verfahren zur waferbasierten Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Bauelementen (40,100) mit jeweils mindestens einem Halbleiterkörper (30) und einem Bauelementgehäuse, bei dem eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterkörpern mit jeweils einem ersten elektrischen Kontakt (31) und einem zweiten elektrischen (32) Kontakt und ein Substratwafer (10,100) mit einer ersten Hauptfläche (120) und einer zweiten Hauptfläche (120') bereitgestellt werden.
摘要翻译：一种用于基于晶片的生产多个光电子装置（40,100），每个具有至少一个半导体本体（30）和部件壳体的方法，其中多个光电子半导体本体中的每个具有第一电触点（31）和第二电（32）接触，并且一提供衬底晶片（10,100），其具有第一主表面（120）和第二主表面（120“）。

10. 发明申请

WO2013045371A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG MINDESTENS EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN UND/ODER -EMPFANGENDEN HALBLEITERBAUTEILS UND HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：方法用于生产至少一个辐射发射和/或接收半导体部件和半导体部件
公开(公告)号：WO2013045371A1
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：PCT/EP2012/068683
申请日：2012-09-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , AHLSTEDT, Magnus , RAMCHEN, Johann
发明人： AHLSTEDT, Magnus , RAMCHEN, Johann
IPC分类号： H01L33/54 , H01L33/62
CPC分类号： H01L31/0232 , H01L33/54 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/12044 , H01L2933/005 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung mindestens eines strahlungsemittierenden und/oder –empfangenden Halbleiterbauteils (100) angegeben. Bei einem Verfahrensschritt wird ein Trägerkörper (1) mit einer Montagefläche (101) bereitgestellt. Bei einem weiteren Verfahrensschritt wird ein Barriererahmen (6) auf der Montagefläche (101) ausgebildet, derart dass der Barriererahmen (6) einen Montagebereich (110) der Montagefläche (101) lateral umschließt. Bei einem weiteren Verfahrensschritt wird ein strahlungsemittierender und/oder –empfangender Halbleiterchip (4) innerhalb des Montagebereichs (110) auf der Montagefläche (101) montiert. Der Halbleiterchip (4) wird mit einem flüssigen Linsenmaterial vergossen, wobei das Linsenmaterial (7) innerhalb des Montagebereichs (110) auf die Montagefläche (101) aufgebracht wird. Das Linsenmaterial (7) wird gehärtet. Dabei sind die Montagefläche (101), der Barriererahmen (6) und das Linsenmaterial (7) derart aneinander angepasst, dass die Montagefläche (101) innerhalb des Montagebereichs (110) von dem Linsenmaterial (7) benetzbar und der Barriererahmen (6) von dem Linsenmaterial (7) nicht benetzbar ist, so dass sich das Linsenmaterial (7) beim Aufbringen auf die Montagefläche (101) zu einem zumindest stellenweise von dem Barriererahmen (6) begrenzten Tropfen mit konvexer Außenfläche formt und den Barriererahmen (6) frei lässt.Weiterhin wird ein Halbleiterbauteil (100) angegeben.
摘要翻译：提供了一种用于产生至少一个辐射发射和/或 - 接收半导体器件（100）的方法。在一个方法步骤中，一个承载体（1），其具有设置有安装表面（101）。在进一步的处理步骤中，所述安装表面（101）上形成阻挡框架（6）被形成为使得所述屏障框架（6）的安装表面（101）的安装部分（110）横向包围。在进一步的方法步骤被安装在安装表面（101）上的安装区域（110）内的发射辐射的和/或-empfangender半导体芯片（4）。半导体芯片（4）铸有一个液体透镜材料，透镜材料（7）的安装面（101）上的安装区域（110）内被施加。透镜材料（7）固化。在此，屏障框架的安装表面（101）（6）和所述透镜材料（7）适于彼此，该透镜材料的安装部（110）内的安装表面（101）（7）润湿和阻挡框架（6）的透镜材料（7）是不可润湿使得透镜材料（7）当由阻挡帧至少局部地施加到安装表面（101）到（6）形成具有凸形外表面和阻挡框架（6）自由lässt.Weiterhin有限滴一个半导体器件（100）被指定。

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