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1. 发明申请

WO2022243305A1 DISPLAYANORDNUNG, STROMSTEUERSCHALTUNG UND VRFAHREN 审中-公开
公开(公告)号：WO2022243305A1
公开(公告)日：2022-11-24
申请号：PCT/EP2022/063308
申请日：2022-05-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PFEUFFER, Alexander , STANKE, Igor
IPC分类号： G06F3/041 , G06F3/042 , G06V40/13
摘要： Die Erfindung betrifft eine Displayanordnung mit einer Vielzahl von in Reihen und Spalten angeordnete Pixel, von denen jedes drei Subpixel umfasst, und jedem Subpixel ein programmierbarer Strompfad mit wenigstens einem dazu in Reihe geschalteten optoelektronischen Bauelement zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung zugeordnet ist. Eine Ansteuerschaltung ist ausgeführt, während eines ersten Zeitraums einen Strom durch den programmierbaren Strompfad zu programmieren und während eines nachfolgenden zweiten Zeitraumes den programmierbaren Strompfad anzusteuern zur Versorgung des wenigstens einen optoelektronischen Bauelement mit dem programmierten Strom. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass wenigstens einige erste Subpixel der Vielzahl von in Reihen und Spalten angeordnete Pixel einen zwischen Strompfad und optoelektronischen Bauelement angeordneten schaltbaren Ausleseanschluss aufweisen; und die Ansteuerschaltung ausgeführt ist, während des ersten Zeitraumes ein durch die optoelektronischen Bauelemente der wenigstens einigen ersten Subpixel der Vielzahl von in Reihen und Spalten angeordnete Pixel erzeugtes Photosignal am schaltbaren Ausleseanschluss zu erfassen.

2. 发明申请

WO2022058217A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2022058217A1
公开(公告)日：2022-03-24
申请号：PCT/EP2021/074706
申请日：2021-09-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PFEUFFER, Alexander , PERZLMAIER, Korbinian , KLEMP, Christoph
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/20 , H01L33/42 , H01L33/40 , H01L33/60 , H01L33/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (16) angegeben umfassend einen Schichtenstapel (9) umfassend zumindest eine Seitenfläche (9A), eine erste Hauptfläche (9B) und eine zweite Hauptfläche (90), ein erstes, an der ersten Hauptfläche (9B) angeordnetes Kontaktmittel (12), das zur elektrischen Kontaktierung eines ersten Halbleiterbereichs (4) des Schichtenstapels (9) vorgesehen ist, - ein zweites, an der zweiten Hauptfläche (90) angeordnete Kontaktmittel (17), das zur elektrischen Kontaktierung eines zweiten Halbleiterbereichs (5) des Schichtenstapel (9) vorgesehen und strahlungsdurchlässig ist, und eine auf dem Schichtenstapel (9) angeordnete, elektrisch leitfähige Randschicht (11), die sich von dem zweiten Kontaktmittel (17) über die Seitenfläche (9A) bis an die erste Hauptfläche (9B) erstreckt, und - eine erste, zwischen der Randschicht (11) und dem Schichtenstapel (9) angeordnete dielektrische Schicht (10), wobei die zweite Hauptfläche (90) von der ersten dielektrischen Schicht (10) unbedeckt ist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben.

4. 发明申请

WO2015121205A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT EINER REFLEKTIERENDEN SCHICHTENFOLGE UND VERFAHREN ZUM ERZEUGEN EINER REFLEKTIERENDEN SCHICHTENFOLGE 审中-公开
标题翻译：与产生反射层序列反射层序列和方法OPTO电子元件
公开(公告)号：WO2015121205A1
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：PCT/EP2015/052660
申请日：2015-02-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PFEUFFER, Alexander
IPC分类号： H01L33/46
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/0079 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058 , Y02E10/52
摘要： Es wird ein optoelektronisches Bauelement (10) mit einer ersten Schichtenfolge (30) und einer zweiten Schichtenfolge (32) beschrieben. Die erste Schichtenfolge (30) ist dazu eingerichtet, elektromagnetische Strahlung zu emittieren oder zu detektieren. Die zweite Schichtenfolge (32) ist an einer ersten Seite der ersten Schichtenfolge (30) angeordnet und ist dazu eingerichtet, die von der ersten Schichtenfolge (30) emittierte oder zu detektierende elektromagnetische Strahlung zu reflektieren. Die zweite Schichtenfolge (32) weist eine erste Reflektorschicht (38) eine zweite Reflektorschicht (40) und eine Haftvermittlungsschicht (42) auf. Die erste Reflektorschicht (38) enthält ein erstes Material und ist an einer der ersten Seite der ersten Schichtenfolge (30) zugewandten ersten Seite der zweiten Schichtenfolge (32) angeordnet. Die Haftvermittlungsschicht (42) enthält ein zweites Material und ist an einer von der ersten Seite der ersten Schichtenfolge (30) abgewandten zweiten Seite der zweiten Schichtenfolge (32) angeordnet. Die zweite Reflektorschicht (40) enthält das erste Material und ist zwischen der ersten Reflektorschicht (38) und der Haftvermittlungsschicht (42) angeordnet.
摘要翻译：它描述了一种具有第一系列的层（30）和第二系列的层（32）的光电元件（10）。第一系列的层（30）适于发射电磁辐射或检测。层的第二堆叠（32）设置在第一层序列（30）的第一侧并适于从所述第一系列的层（30）或反射电磁辐射被检测发出的光。层的第二堆叠（32）具有第一反射层（38），第二反射器层（40）和粘合剂层（42）。第一反射器层（38）包括第一材料，并且在面向所述第二层序列的第一侧的第一层序列（30）的第一侧中的一个（32）被布置。粘附促进层（42）包含第二材料，并从所述第二层序列（32）的第二侧的背向布置在所述第一层序列（30）的第一侧中的一个。第二反射层（40）包含第一材料和设置在第一反射器层（38）和粘合剂层（42）之间设置。

5. 发明申请

WO2023016899A1 TRANSFERVERFAHREN FÜR OPTOELEKTRONISCHE HALBLEITERBAUELEMENTE 审中-公开
公开(公告)号：WO2023016899A1
公开(公告)日：2023-02-16
申请号：PCT/EP2022/071865
申请日：2022-08-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： STAUSS, Peter , PFEUFFER, Alexander
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/62 , H01L33/38 , H01L21/67
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Transferieren von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) von einem ersten Träger (10) auf einen zweiten Träger (11) umfassend die Schritte: Bereitstellen einer Vielzahl (2) von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) auf dem ersten Träger (10); Bereitstellen des zweiten Trägers, wobei der zweite Träger (11) auf dessen Oberseite (11a) eine Kontaktstruktur (3) mit einer Vielzahl periodisch angeordneter Kontaktflächen (4) aufweist; Aufnehmen der Vielzahl (2) von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) mittels einer Transfereinheit (12) umfassend ein Aufsetzen der Transfereinheit (12) auf eine dem ersten Träger (10) gegenüberliegende Oberseite der optoelektronischen Halbleiterbauelemente (1); Abheben der Vielzahl (2) von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) von dem ersten Träger (10); und Absetzen einer ersten Teilmenge (2a) der Vielzahl (2) von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) auf einer ersten Teilmenge der Vielzahl periodisch angeordneter Kontaktflächen (4).

6. 发明申请

WO2022207908A1 TRANSFERVERFAHREN FÜR OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2022207908A1
公开(公告)日：2022-10-06
申请号：PCT/EP2022/058758
申请日：2022-04-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PFEUFFER, Alexander
IPC分类号： H01L33/00 , H05K3/30 , H01L25/075 , H01L33/62 , H01L21/67 , H05K13/04 , H05K3/34 , H01L21/67144 , H01L25/0753 , H01L2933/0066 , H01L33/0095 , H05K2201/10106 , H05K2203/0278 , H05K3/303 , H05K3/3494
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Transferieren mindestens eines optoelektronischen Halbleiterbauelementes von einem ersten Träger auf einen zweiten Träger umfassend die Schritte: Aufbringen einer strukturierbaren Materialschicht auf mindestens ein auf einem ersten Träger angeordnetes optoelektronisches Halbleiterbauelement; Strukturieren der zumindest einen strukturierbaren Materialschicht derart, dass dem optoelektronischen Halbleiterbauelement ein Teilbereich der strukturierten Materialschicht auf einer Oberseite des optoelektronischen Halbleiterbauelements zugeordnet ist; Aufnehmen des optoelektronischen Halbleiterbauelements mittels einer Transfereinheit umfassend ein Aufsetzen der Transfereinheit auf eine dem optoelektronischen Halbleiterbauelement gegenüberliegende Oberseite des Teilbereichs der strukturierten Materialschicht; Abheben des optoelektronischen Halbleiterbauelements von dem ersten Träger; Anordnen des optoelektronischen Halbleiterbauelements auf einem ersten Bereich eines zweiten Trägers, wobei zumindest ein zum ersten Bereich benachbarter zweiter Bereich die Oberseite des optoelektronischen Halbleiterbauelements überragt; und Fixieren des optoelektronischen Halbleiterbauelements auf dem zweiten Träger.

7. 发明申请

WO2021078480A1 VERFAHREN ZUR MONTAGE EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS UND STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
公开(公告)号：WO2021078480A1
公开(公告)日：2021-04-29
申请号：PCT/EP2020/077257
申请日：2020-09-29
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BAUR, Teresa , HOEPPEL, Lutz , LEBER, Andreas , NEVELING, Kerstin , PERZLMAIER, Korbinian , PFEUFFER, Alexander , RAFAEL, Christine
IPC分类号： H01L33/40 , H01L33/62 , H01L33/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Montage eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) angegeben, mit den Schritten: - Bereitstellen zumindest eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) mit zumindest einer metallischen Anschlussschicht (2), - Bereitstellen eines Hilfsträgers (3), - Anbringen einer Opferschicht (4) zwischen dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1) und dem Hilfsträger (3), die eine mechanisch stabile Verbindung zwischen dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (1) und dem Hilfsträger (3) vermittelt, - Erzeugen einer Vielzahl von Kontaktelementen (5) in der Opferschicht (4), die elektrisch leitend ausgebildet ist, - Entfernen der Opferschicht (4), derart, dass der strahlungsemittierende Halbleiterchip (1) durch die Kontaktelemente (5) an dem Hilfsträger (3) befestigt ist. Des Weiteren wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben.

8. 发明申请

WO2019158657A1 KOMPOSITHALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KOMPOSITHALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO2019158657A1
公开(公告)日：2019-08-22
申请号：PCT/EP2019/053721
申请日：2019-02-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： HOEPPEL, Lutz , PFEUFFER, Alexander
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62
摘要： Ein Komposithalbleiterbauelement (10) weist ein Trägersubstrat (100) aus einem Halbleitermaterial sowie einen auf dem Trägersubstrat (100) angeordneten Halbleiterchip (200) auf. Das Trägersubstrat (100) weist ein von einer ersten Hauptoberfläche (110) des Trägersubstrats (100) hervorstehendes Element (130) auf, das ein elektrisch leitfähiges Material (135) umfasst. Das elektrisch leitfähige Material ist mit einem Kontaktbereich (120) elektrisch leitend verbunden. Der Halbleiterchip (200) weist an einer ersten Oberfläche (210) mindestens eine Kontaktfläche (225, 228) auf, welche mit dem elektrisch leitfähigen Material (135) des hervorstehenden Elements (130) elektrisch verbunden ist.Die Kontaktfläche (225, 228) hat an einer Position, an der die Kontaktfläche (225, 228) und das elektrisch leitfähige Material (135) des hervorstehenden Elements (130) jeweils miteinander in Kontakt stehen, eine größere laterale Ausdehnung als das hervorstehende Element (130).

9. 发明申请

WO2015177164A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS SOWIE OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电子半导体芯片和光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2015177164A1
公开(公告)日：2015-11-26
申请号：PCT/EP2015/061015
申请日：2015-05-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PFEUFFER, Alexander
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/60 , H01L33/00 , H01L33/32 , H01L33/44
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L31/02005 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/02366 , H01L31/03044 , H01L31/1892 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/0066 , H01S5/0217 , H01S5/028 , H01S5/2275 , H01S5/3202 , H01S5/32341
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, aufweisend: -eine Mesa (72) mit -einer Halbleiterschichtenfolge (2) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung umfassend eine p-leitende Schicht (21), eine aktive Zone (22) und eine n-leitende Schicht (23), -einer Grundfläche (72a) und -einer Strahlungsdurchtrittsfläche (24a), -eine Durchkontaktierung (71), die sich durch die p-leitende Schicht (21) und die aktive Zone (22) hindurch in die n- leitende Schicht (23) erstreckt, -einen Anschlussträger (6) mit einem Anschlusssubstrat (62), der an einer der Strahlungsdurchtrittsfläche (24a) abgewandten Seite der Mesa (72) angeordnet ist, und -eine ganzflächig ausgebildete Aluminiumschicht (33), die Aluminium enthält und zwischen der Mesa (72) und dem Anschlussträger (6) angeordnet ist, wobei -die Mesa (72) lateral von einem Graben (73) umschlossen ist, die frei von dem Material der Halbleiterschichtenfolge (2) ist, -die Durchkontaktierung (71) zumindest teilweise durch das Material der Aluminiumschicht (33) gebildet ist.
摘要翻译：提供了一种光电子半导体芯片，包括：-a台面（72） - 这种用于产生电磁辐射，其包括p型层（21），有源区（22）和n型层半导体层序列（2）（23 ） - 这种底表面（72A）和 - 这种辐射穿透表面（24A）-a通过（71）延伸的（由p型层21）和活性区（22）进入n型层（23 ）延伸，与端子基板（62）（-a连接载体（6）在辐射穿透表面24a的一个）从台面背向侧（72）被布置和-a整个表面上形成铝层（33）含有铝和之间的台面（72）和被布置，其中-the台面（72）横向地从一个沟槽（73）被封闭，这是从该半导体层序列的无材料的连接载体（6）（2）合模孔（71）至少部分地由伴侣铝层（33）的里亚尔形成。

10. 发明申请

WO2014033041A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS MIT REFLEKTIERENDER ELEKTRODE 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子半导体芯片反射电极
公开(公告)号：WO2014033041A1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：PCT/EP2013/067445
申请日：2013-08-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PFEUFFER, Alexander
IPC分类号： H01L33/40 , H01L33/44 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/005 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/0033 , H01L2933/005 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) angegeben, umfassend die folgenden Schritte: - Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (10), - Anordnen einer metallischen Spiegelschicht (21) an einer Oberseite der Halbleiterschichtenfolge (10), - Anordnen einer Spiegelschutzschicht (3) zumindest an freiliegenden Seitenflächen (21c) der Spiegelschicht, - teilweise Entfernen der Halbleiterschichtenfolge (10), wobei - die Spiegelschicht (21) Öffnungen (23) zur Halbleiterschichtenfolge (10) hin aufweist, die in lateralen Richtungen (l) von der Spiegelschutzschicht (3) umrandet werden, - das teilweise Entfernen der Halbleiterschichtenfolge (10) im Bereich der Öffnungen (23) der Spiegelschicht (21) erfolgt, - das Anordnen der Spiegelschutzschicht (3) an den freiliegenden Seitenflächen (21c) der Spiegelschicht (21) selbstjustierend erfolgt.
摘要翻译：公开的是用于制造光电子半导体芯片（1），包括以下步骤的方法： - 提供半导体层序列（10）， - 在所述半导体层序列（10）的上表面上布置的金属镜层（21）， - 布置镜保护层（3 ）至少（在镜层的暴露的侧表面21c）中， - 部分去除半导体层序列（10），其中的 - 镜层（21）具有用于半导体层序列（10）的开口（23）朝向所述（在横向方向上升）（反射镜的保护层的边3）， - 在镜层的开口（23）的区域中的部分除去半导体层序列（10）的（21）发生， - 所述反射镜层的暴露的侧表面（21c）中关于将所述反射镜的保护层（3）（21）在自对准进行，

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