专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2020193408A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VERBINDUNGSSTRUKTUR UND HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2020193408A1
公开(公告)日：2020-10-01
申请号：PCT/EP2020/057784
申请日：2020-03-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： RUDOLPH, Andreas , BAUR, Teresa , KLEMP, Christoph
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/288
摘要： Ein Verfahren zur Herstellung einer Verbindungsstruktur umfasst das Ausbilden einer Öffnung (15) in einer ersten Hauptoberfläche (101) eines ersten Substrats (100), das Ausbilden einer galvanischen Keimschicht (120) über einer ersten Hauptoberfläche (111) eines Trägersubstrats (110) und das Verbinden der ersten Hauptoberfläche (101) des ersten Substrats (100) mit der ersten Hauptoberfläche (111) des Trägersubstrats (110), so dass die galvanische Keimschicht (120) zwischen der ersten Hauptoberfläche (101) des ersten Substrats (100) und der ersten Hauptoberfläche (111) des Trägersubstrats (110) angeordnet ist. Das Verfahren umfasst ferner galvanisches Ausbilden eines leitenden Materials (160) über der galvanischen Keimschicht (120).

2. 发明申请

WO2016066645A2 VERFAHREN ZUR ABLÖSUNG EINES SUBSTRATS, VORRICHTUNG ZUR DURCHFÜHRUNG EINES SOLCHEN VERFAHRENS UND PUMPVORRICHTUNG ZUM PUMPEN VON ÄTZLÖSUNG 审中-公开
标题翻译： PROCESS FOR A衬底的分离，DEVICE FOR执行该方法和装置泵的泵体蚀刻溶液
公开(公告)号：WO2016066645A2
公开(公告)日：2016-05-06
申请号：PCT/EP2015/074875
申请日：2015-10-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SUNDGREN, Petrus , ENGLHARD, Marco , BEHRINGER, Martin, Rudolf , KLEMP, Christoph
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： H01L33/0079 , C23F1/20 , H01L21/67086 , H01L21/67092 , H01L24/95
摘要： Es wird ein Verfahren zur Ablösung eines Substrats (11) von einer Schichtenfolge (13) angegeben, aufweisend die folgenden Schritte: a) Bereitstellen eines Verbundes (1, 2), aufweisend - einen Wafer (1) mit dem Substrat (11), der Schichtenfolge (13) und einer zwischen dem Substrat (11) und der Schichtenfolge (13) angeordneten Opferschicht (12), - einen Träger (2) an einer dem Substrat (11) abgewandten Deckfläche (13a) der Schichtenfolge (13), und - zumindest zwei Trenngräben (14), die sich in vertikaler Richtung (Z) durch die Schichtenfolge (13) erstrecken, b) Anbringen einer Pumpvorrichtung (3) an dem Verbund (1, 2), c) Einbringen des Verbundes (1, 2) in ein Ätzbad (4) mit einer Ätzlösung (41), und anschließend d) Erzeugen eines Druckgradienten (5) zwischen den Trenngräben (14) und der Ätzlösung (41) mit der Pumpvorrichtung (3) derart, dass die Ätzlösung (41) durch die Trenngräben (14) stellenweise entlang der Opferschicht (12) fließt und stellenweise in direktem Kontakt mit der Opferschicht (12) steht, e) Ablösen des Substrats (11).
摘要翻译：本发明提供了一种用于一个层序列（13）的衬底（11）的分离，包括以下步骤：a）提供一个复合物（1,2），包括： - 一个晶片（1）与基板（11）在背离（11）远的层序列（13）的基板顶面（13a）的支撑件（2），以及 - 布置一系列的层（13）和所述基板（11）和所述层序列（13）之间的牺牲层（12）的， - 在通过该层序列（13）的垂直方向（Z）延伸的至少两个隔离沟槽（14），b）将泵送装置（3）向复合物（1，2），c）将复合材料（1，2）在蚀刻浴（4）产生一个压力梯度的蚀刻液（41），然后D）（5）以这样的方式隔离沟槽（14）和所述蚀刻溶液（41）到所述泵送装置（3）之间，所述蚀刻液（41）由隔离沟槽（14）的地方，沿所述牺牲层（12），并且在直接接触的地方流与基板（11）的所述牺牲层（12）中，e）分离连通。

3. 发明申请

WO2014183969A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2014183969A1
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：PCT/EP2014/058357
申请日：2014-04-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BRÖLL, Markus , KLEMP, Christoph , SCHMID, Wolfgang
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/10 , H01L33/36 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
摘要： Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Halbleiterkristalls, der eine Oberfläche aufweist, zum Aufbringen einer ersten Schicht, die ein Dielektrikum aufweist, auf die Oberfläche, zum Aufbringen und Strukturieren einer Fotolackschicht auf der ersten Schicht, wobei die Fotolackschicht so strukturiert wird, dass sie eine Öffnung aufweist, zum teilweisen Herauslösen der ersten Schicht, um einen lateralen Bereich der Oberfläche freizulegen, zum Aufbringen einer Kontaktfläche, die ein erstes Metall aufweist, im lateralen Bereich der Oberfläche, zum Entfernen der Fotolackschicht, zum Aufbringen einer zweiten Schicht, die ein optisch transparentes, elektrisch leitfähiges Material aufweist, und zum Aufbringen einer dritten Schicht, die ein zweites Metall aufweist.
摘要翻译：一种制造光电器件的方法，包括：提供具有用于在第一层上施加第一层包括电介质，在表面上，沉积并图案化光致抗蚀剂层的表面的半导体晶体，其特征在于，所述光致抗蚀剂层被构造成如下步骤是，它有用于部分地浸在第一层以暴露所述表面的侧部的开口，用于施加接触表面包含第一金属，在表面的横向区域中，用于除去光致抗蚀剂层，沉积第二层其具有光学透明的，导电性材料，并沉积包含第二金属的第三层。

4. 发明申请

WO2021078505A1 BAUTEILVERBUND UND VERFAHREN ZUM PROBEN UND HERSTELLEN VON BAUTEILEN 审中-公开
公开(公告)号：WO2021078505A1
公开(公告)日：2021-04-29
申请号：PCT/EP2020/077918
申请日：2020-10-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： PERZLMAIER, Korbinian , STAUSS, Peter , PFEUFFER, Alexander F. , KLEMP, Christoph , NEVELING, Kerstin , BIEBERSDORF, Andreas
IPC分类号： H01L33/00
摘要： Es wird ein Bauteilverbund (100) mit einem Hilfsträger (90), einer Mehrzahl von Bauteilen (10), einer Haltestruktur (7, 70) und einer elektrisch leitfähigen Opferschicht (6) angegeben, wobei die Bauteile jeweils eine der Opferschicht zugewandte Anschlussschicht (4) aufweisen, die mit der Opferschicht elektrisch leitend verbunden ist. Die Opferschicht befindet sich in vertikaler Richtung zwischen dem Hilfsträger und den Bauteilen, wobei die Opferschicht entfernbar ausgeführt ist und die Bauteile (10) außer über die Opferschicht (4) nur noch über die Haltestruktur (7, 70) mit dem Hilfsträger (90) mechanisch verbunden sind. Des Weiteren werden ein Verfahren zum Proben sowie ein Verfahren zum Herstellen von Bauteilen angegeben.

5. 发明申请

WO2021052635A2 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT, HALBLEITERSTRUKTUR UND VERFAHREN 审中-公开
公开(公告)号：WO2021052635A2
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：PCT/EP2020/058547
申请日：2020-03-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BIEBERSDORF, Andreas , ILLEK, Stefan , FEIX, Felix , KLEMP, Christoph , PIETZONKA, Ines , SUNDGREN, Petrus , BERGER, Christian , KANEVCE, Ana
IPC分类号： H01L33/60 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L21/18 , H01L25/075 , H01L21/182 , H01L33/0066 , H01L33/0095 , H01L33/145
摘要： Eine HalbleiterStruktur umfasst eine n-dotierte erste Schicht, eine mit einem ersten Dotierstoff dotierte p-dotierte zweite Schicht, und eine aktive Schicht, die zwischen der n-dotierten ersten Schicht und der p-dotierten zweiten Schicht angeordnet ist und mindestens einen Quantenwell aufweist. Die die aktive Schicht der Halbleiterstruktur teilt sich in eine Vielzahl von ersten optisch aktiven Bereichen, mindestens einen zweiten Bereich und mindestens einen dritten Bereich auf. Dabei sind die mehreren ersten optisch aktiven Bereiche in einem hexagonalen Muster zueinander beabstandet angeordnet sind. Der mindestens eine Quantenwell im aktiven Bereich weist im mindestens einen zweiten Bereich eine größere Bandlücke auf als in der Vielzahl von ersten optisch aktiven Bereichen und dem mindestens einen dritten Bereich, wobei die Bandlücke insbesondere durch ein Quantenwellintermixing modifiziert ist. Der mindestens eine zweite Bereich umschließt die Vielzahl von ersten optisch aktiven Bereichen umschließt.

6. 发明申请

WO2020239526A1 METHOD OF LASER TREATMENT OF A SEMICONDUCTOR WAFER COMPRISING ALGAINP-LEDS TO INCREASE THEIR LIGHT GENERATING EFFICIENCY 审中-公开
公开(公告)号：WO2020239526A1
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：PCT/EP2020/063906
申请日：2020-05-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： EBBECKE, Jens , KREUTER, Philipp , KLEMP, Christoph , BIEBERSDORF, Andreas , PIETZONKA, Ines , SUNDGREN, Petrus
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/268 , H01L21/18
摘要： A method of treating a semiconductor wafer (10) comprising a set of Aluminum Gallium Indium Phosphide light emitting diodes or AlGaInP-LEDs to increase the light generating efficiency of the AlGaInP-LEDs, wherein each ALGaInP-LED includes a core active layer for light generation sandwiched between two outer layers, the core active layer having a central light generating area (20) and a peripheral edge (22) surrounding the central light generating area, the method comprising the step of treating the peripheral edge (22) of the core active layer of each AlGaInP-LED with a laser beam (L), thus increasing the minimum band gap in each peripheral edge (22) to such an extent that, during later operation of the AlGaInP-LED, the electron-hole recombination is essentially confined to the central light generating area.

7. 发明申请

WO2016146584A1 VERFAHREN ZUR ABLÖSUNG EINES AUFWACHSSUBSTRATS VON EINER SCHICHTENFOLGE 审中-公开
标题翻译： PROCESS FOR的生长衬底中的层序列的分离
公开(公告)号：WO2016146584A1
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：PCT/EP2016/055454
申请日：2016-03-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： KLEMP, Christoph , ENGLHARD, Marco
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/306 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/7813 , H01L21/30625 , H01L21/67086 , H01L21/67092 , H01L21/6835 , H01L21/7806 , H01L31/1892 , H01L33/0079 , H01L2221/68381
摘要： Es wird ein Verfahren zur Ablösung eines Aufwachssubstrats (10) von einer Schichtenfolge (11) angegeben, aufweisend die folgenden Schritte: A) Bereitstellen zumindest eines Waferverbundes (1) umfassend das Aufwachssubstrat (10), die auf dem Aufwachssubstrat (10) aufgebrachte Schichtenfolge (11) und einen an einer dem Aufwachssubstrat (10) abgewandten Deckfläche (11a) der Schichtenfolge (11) angebrachten Träger (13), wobei - die Schichtenfolge (11) in eine Vielzahl Bereiche (15) strukturiert ist, die in lateralen Richtungen beabstandet und durch eine Vielzahl von Trenngräben (14) voneinander getrennt sind, und - die Trenngräben (14) miteinander verbunden sind, B) Einbringen des zumindest einen Waferverbundes (1) in ein Ätzbad (40) mit einer Ätzlösung (44) derart, dass sich die Ätzlösung (44) zumindest bereichsweise innerhalb der Trenngräben (14) befindet, C) mehrmalige Druckvariation eines in dem Ätzbad (40) vorherrschenden Basisdrucks unter Verwendung zumindest einer Druckvariationseinrichtung (31, 34, 351, 352) und D) Ablösen des Aufwachssubstrats (10).
摘要翻译：本发明提供了一种用于一个层序列（11）的在生长衬底（10）的分离，包括以下步骤：a。提供至少一个晶片复合体（1），包括在生长衬底（10）（在生长衬底10）上）施加的层序列（ 11）和从背对（层序列的生长衬底10）（11a）中的顶面11附着到载体（13），其中，（） - 的层序列（11）（在多个区域15的）被构造在横向上间隔开，并由多个隔离沟槽（14）是分开的，以及 - 分离沟槽（14）相互连接，b）将所述至少一个晶片复合体（1）中的蚀刻浴（40）用蚀刻溶液（44），使得所述蚀刻液（44）至少部分地位于隔离沟槽（14），C）使用至少一个Druckv重复一次的压力变化（在蚀刻浴40）通行基础压力 ariationseinrichtung（31，34，351，352）和D）分离所述生长衬底（10）。

8. 发明申请

WO2019081480A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON ZUMINDEST EINEM OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENT UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
公开(公告)号：WO2019081480A1
公开(公告)日：2019-05-02
申请号：PCT/EP2018/078987
申请日：2018-10-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SUNDGREN, Petrus , KLEMP, Christoph
IPC分类号： H01L21/78 , H01L33/00 , H01L21/02
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Bauelements (100) mit den Schritten : A) Bereitstellen eines Hilfsträgers (1), B) epitaktisches Aufbringen einer Opferschicht (2) auf den Hilfsträger (1), wobei die Opferschicht (2) Germanium aufweist, C) epitaktisches Aufbringen einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf die Opferschicht (2), D) Entfernen der Opferschicht (2) mittels Trockenätzen (9), so dass der Hilfsträger (1) von der Halbleiterschichtenfolge (3) entfernt wird.

9. 发明申请

WO2013060578A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片及其制造方法光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2013060578A1
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：PCT/EP2012/070192
申请日：2012-10-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BEHRINGER, Martin, Rudolf , BRÖLL, Markus , KLEMP, Christoph
IPC分类号： H01L33/22
CPC分类号： H01L33/58 , H01L33/22
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfasst dieser eine Halbleiterschichtenfolge (2) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung. Die Halbleiterschichtenfolge (2) weist eine Lichtaustrittsseite (25) auf, an der eine Lichtauskoppelschicht (4) angebracht ist. Die Lichtauskoppelschicht (4) umfasst strahlungsinaktive Nano-Kristalle (40) aus einem für die erzeugte Strahlung durchlässigen Material. Ein Brechungsindex des Materials der Nano-Kristalle (40) beträgt für die erzeugte Strahlung mindestens 1,9 oder mindestens 2,2.
摘要翻译：在光电子半导体芯片（1）的至少一个实施例，其包括用于产生电磁辐射的半导体层序列（2）。半导体层序列（2）包括一个光出口侧（25）被安装在光提取层（4）上。光提取层（4）包括的材料制成透明的，以所产生的辐射材料strahlungsinaktive纳米晶体（40）。纳米晶体（40）的材料的折射率为所产生的辐射至少1.9或至少2.2。

10. 发明申请

WO2012052415A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子器件与方法研究
公开(公告)号：WO2012052415A1
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：PCT/EP2011/068133
申请日：2011-10-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHMID, Wolfgang , KLEMP, Christoph , GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro
发明人： SCHMID, Wolfgang , KLEMP, Christoph , GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro
IPC分类号： H01L33/40
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/10336 , H01L2924/10339 , H01L2924/10342 , H01L2924/10345 , H01L2924/10349 , H01L2924/00
摘要： Es ist ein optoelektronisches Bauelement (10) vorgesehen, das einen Halbleiterkörper (1), eine dielektrische Schicht (2), einen Spiegel (3) und eine Zusatzschicht (4) aufweist. Der Halbleiterkörper (1) weist eine aktive Zone (1c) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung, einen n-Kontakt (1a) und einen p-Kontakt (1b) zur elektrischen Kontaktierung auf. Die dielektrische Schicht (2) ist zwischen Halbleiterkörper (1) und Spiegel (3) angeordnet. Die Zusatzschicht (4) ist zwischen Halbleiterkörper (1) und dielektrischer Schicht (2) angeordnet. Weiter ist ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Bauelements (10) angegeben.
摘要翻译：提供了一种包含在半导体本体中的光电部件（10）（1），介电层（2），反射镜（3）和附加层（4）。半导体本体（1）具有的活性区（1c）中，用于产生电磁辐射，n接触（1a）和p接触（1b）中制备的电接触。该介电层（2）被布置在所述半导体主体（1）和反射镜（3）之间。附加层（4）被布置在所述半导体主体（1）和电介质层（2）之间。此外，被指定制造这种装置（10）的方法。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式