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    • 3. 发明申请
    • THIN-FILM SILICON TANDEM SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    • 薄膜硅胶太阳能电池及其制造方法
    • WO2011076466A3
    • 2011-09-09
    • PCT/EP2010066295
    • 2010-10-28
    • OERLIKON SOLAR AGROSCHEK TOBIASGOLDBACH HANNO
    • ROSCHEK TOBIASGOLDBACH HANNO
    • H01L31/075H01L31/076
    • H01L31/075H01L31/076Y02E10/548
    • The photovoltaic cell comprises, deposited on a transparent substrate in the following order: a first conductive oxide layer; a first p-i-n junction; a second p-i-n junction; a second conductive oxide layer, wherein said first and second conductive oxide layer is a ZnO layer; and wherein said first p-i-n junction comprises in the following order: a layer of p-doped a-Si:H; a buffer layer of a-Si:H without voluntary addition of a dopant; a layer of substantially intrinsic a-Si:H; a first layer of n-doped a-Si:H; and a layer of n-doped µc-Si:H; and wherein said second p-i-n junction comprises in the following order a layer of p-doped pc-Si:H; a layer of substantially intrinsic µ?-8?:?; and a second layer of n-doped a-Si:H. The photovoltaic converter panel comprises at least one such photovoltaic cell.
    • 光伏电池包括以下列顺序沉积在透明基板上:第一导电氧化物层; 第一个p-i-n结; 第二个p-i-n结; 第二导电氧化物层,其中所述第一和第二导电氧化物层是ZnO层; 并且其中所述第一p-i-n结按以下顺序包括:p掺杂的a-Si:H层; a-Si:H的缓冲层,而不自愿添加掺杂剂; 一层基本上固有的a-Si:H; n掺杂的a-Si:H的第一层; 和一层n掺杂的μc-Si:H; 并且其中所述第二p-i-n结以以下顺序包含p掺杂的pc-Si:H; 一个基本上固有的μ?-8?:?的层; 和n掺杂的a-Si:H的第二层。 光伏转换器面板包括至少一个这样的光伏电池。