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    • 1. 发明申请
    • ELEKTROOPTISCHES, ORGANISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN
    • 电光,有机半导体元件及其制造方法
    • WO2011044867A2
    • 2011-04-21
    • PCT/DE2010/000545
    • 2010-05-18
    • NOVALED AGROTHE, CarstenLOESER, FalkLESSMANN, Rudolf
    • ROTHE, CarstenLOESER, FalkLESSMANN, Rudolf
    • C07F5/00
    • H01L51/5048H01L51/0015H01L51/002H01L51/0026H01L51/0027H01L51/0077H01L2251/5361H01L2251/552H01L2251/568
    • Die Erfindung betrifft ein elektrooptisches, organisches Halbleiterbauelement mit einer sich flächig erstreckenden Anordnung von gestapelten organischen Schichten, wobei die Anordnung von gestapelten organischen Schichten mit einer organischen Ladungsträgertransportschicht aus einem Schichtmaterial gebildet ist, die Anordnung von gestapelten organischen Schichten mit wenigstens einer weiteren organischen Schicht aus einem weiteren Schichtmaterial gebildet ist, welches von dem Schichtmaterial verschieden ist, die elektrische Leitfähigkeit der organischen Ladungsträgertransportschicht wenigstens lokal thermisch irreversibel veränderbar ist, indem das Schichtmaterial in der Anordnung von gestapelten organischen Schichten wenigstens lokal auf eine Temperatur erwärmt wird, die zwischen einer unteren kritischen Temperatur und einer oberen kritischen Temperatur liegt, und die organische Ladungsträgertransportschicht aus dem Schichtmaterial sowie die wenigstens eine weitere organische Schicht aus dem weiteren Schichtmaterial in dem Temperaturbereich zwischen der unteren kritischen Temperatur und der oberen kritischen Temperatur morphologisch stabil sind. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines elektrooptischen, organischen Halbleiterbauelementes.
    • 本发明涉及一种具有堆叠的有机层的位于区域延伸布置,堆叠的有机层与有机载流子传输层的结构的电光有机半导体装置由片材材料,具有的至少一种附加的有机层堆叠的有机层的结构形成 另一材料层中形成,这是由该层材料不同,所述有机载流子传输层的电导率为至少热不可逆地局部地通过所述层材料在层叠有机层的排列改变被加热至少局部地这是一个较低的温度和之间的关键的温度 上临界温度是,层材料的有机载流子传输层和所述至少一个另外的有机硫 从在较低临界温度和临界上限温度之间的温度范围内的另外的层材料chicht在形态上是稳定的。 此外,本发明涉及一种用于制造电光有机半导体部件的方法。
    • 4. 发明申请
    • HALBLEITERBAUELEMENT
    • 半导体部件
    • WO2012022342A1
    • 2012-02-23
    • PCT/DE2011/075172
    • 2011-07-21
    • NOVALED AGDOROK, SaschaLESSMANN, RudolfCANZLER, TobiasHUANG, QiangKÖHN, Christiane
    • DOROK, SaschaLESSMANN, RudolfCANZLER, TobiasHUANG, QiangKÖHN, Christiane
    • H01L51/10H01L51/05
    • H01L51/05H01L51/002H01L51/0562H01L51/105
    • Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einer Schichtanordnung mit einer Elektrode (20a, 20b) aus einem Elektrodenmaterial, einer organischen Halbleiterschicht (22) auss organischem Material, einer Injektionsschicht (21), welche zwischen der Elektrode und der organischen Halbleiterschicht angeordnet ist und aus einem molekularen Dotierungsmaterial besteht, das ein elektrischer Dotand für das organische Material der organischen Halbleiterschicht ist, und einer Zusatzschicht (25), welche auf der der Elektrode zugewandten Seite der Injektionsschicht an der Injektionsschicht angeordnet ist und aus einem Zusatzmaterial besteht, welches bei Kontakt mit dem molekularen Dotierungsmaterial dessen Dotierungsaffinität bezüglich des organischen Materials der organischen Halbleiterschicht verändert, wobei in der Injektionsschicht ein Schichtbereich mit einer ersten Dotierungsaffinität des molekularen Dotierungsmaterials bezüglich des organischen Materials und ein weiterer Schichtbereich mit einer zweiten, im Vergleich zur ersten Dotierungsaffinität kleineren Dotierungsaffinität des molekularen Dotierungsmaterials bezüglich des organischen Materials gebildet sind. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes sowie die Verwendung eines Halbleiterelementes.
    • 本发明涉及一种具有层结构的半导体元件与电极(20A,20B)的电极材料的auss有机材料,有机半导体层(22),注射布置在电极与有机半导体层之间,并且从一个分子层(21) 掺杂材料,该材料为被布置在面向在注入层的注入层的电极侧的侧面和由添加剂材料的有机半导体层的有机材料和附加层(25)的电掺杂剂,其在与分子掺杂材料接触 其掺杂改变了有机半导体层的有机材料,其中,所述注入层中具有相对于所述有机材料和另外的层B中的分子掺杂材料的第一掺杂亲和力的层区域的相对亲和力 REA与第二形成,相对于分子掺杂材料的相对于所述有机材料的第一掺杂剂的亲和性较小的掺杂亲和力。 此外,本发明涉及一种用于制造半导体器件以及使用的半导体元件的方法。