专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2004059384A1 リソグラフィーマスクブランク审中-公开
标题翻译： LITHOGRAPHY MASK BLANK
公开(公告)号：WO2004059384A1
公开(公告)日：2004-07-15
申请号：PCT/JP2003/016561
申请日：2003-12-24
申请人： HOYA株式会社 , 牛田正男 , 竹内恵 , 鈴木修 , 坂本稔
发明人：牛田正男 , 竹内恵 , 鈴木修 , 坂本稔
IPC分类号： G03F1/08
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/58
摘要：リソグラフィーマスクを製造する素材として用いられるリソグラフィーマスクブランクであって、基板上に所望の機能を有する薄膜を少なくとも一層有するリソグラフィーマスクブランクにおいて、前記ブランクは、前記薄膜として窒素を含有する薄膜と、前記窒素を含有する薄膜上、又は前記窒素を含有する薄膜の少なくとも表面部分に形成された、前記リソグラフィーマスクを製造したときに表面に露出するアンモニウムイオンの生成を防止するアンモニウムイオン生成防止層を有する。
摘要翻译：作为用于制造光刻掩模的材料的光刻掩模坯料包括形成在基板上并具有所需功能的至少一个薄膜层。坯料包括作为上述薄膜层的含氮薄膜和形成在含氮薄膜上或至少在含氮薄膜的表面部分中形成的铵离子产生防止层生产铵离子。当从坯料形成光刻掩模时，铵离子产生防止层暴露在外部。

2. 发明申请

WO2006006540A1 フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译： PHOTOMASK BLANK，光电制造方法和半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2006006540A1
公开(公告)日：2006-01-19
申请号：PCT/JP2005/012691
申请日：2005-07-08
申请人： HOYA株式会社 , 小湊淳志 , 山田剛之 , 坂本稔 , 橋本雅広
发明人：小湊淳志 , 山田剛之 , 坂本稔 , 橋本雅広
IPC分类号： G03F1/08
CPC分类号： G03F1/26 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80
摘要：　遮光膜のドライエッチング速度を高めることで、ドライエッチング時間が短縮でき、レジスト膜の膜減りを低減する。その結果、レジスト膜の薄膜化（３００ｎｍ以下）が可能となり、パターンの解像性、パターン精度（ＣＤ精度）を向上できる。更に、ドライエッチング時間の短縮化により、断面形状の良好な遮光膜のパターンが形成することができるフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供する。　透光性基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクにおいて、前記フォトマスクブランクは、前記遮光膜上に形成されるレジストパターンをマスクにしてドライエッチング処理により、前記遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクであって、前記遮光膜は、前記ドライエッチング処理において、前記レジストとの選択比が１を超える材料で構成した。
摘要翻译：通过提高遮光膜的干蚀刻速度，缩短了干蚀刻时间并降低了抗蚀剂膜的降低。结果，可以进行抗蚀剂膜的薄化（300nm以下），并且可以提高图案分辨率和图案精度（CD精度）。此外，可以通过缩短干蚀刻时间来形成具有优异横截面形状的遮光膜图案的光掩模坯料，并提供光掩模制造方法。在透光板上具有遮光膜的光掩模坯料是用于干蚀刻工艺的掩模坯料，其适用于通过干蚀刻工艺对遮光膜进行图案化的光掩模制造方法，其中形成在遮光膜上的抗蚀剂图案用作掩模。遮光膜由在干蚀刻工艺中具有超过1的抗蚀剂选择性的材料构成。

3. 发明申请

WO2006123630A1 位相シフトマスクブランクの製造方法及び位相シフトマスクの製造方法审中-公开
标题翻译：用于制造相移片掩模的方法和制造相移片的方法
公开(公告)号：WO2006123630A1
公开(公告)日：2006-11-23
申请号：PCT/JP2006/309696
申请日：2006-05-16
申请人： HOYA株式会社 , 鈴木寿幸 , 坂本稔
发明人：鈴木寿幸 , 坂本稔
IPC分类号： G03F1/08 , C23C14/06
CPC分类号： C23C14/0641 , C23C14/5806 , G03F1/32
摘要：　透明基板上に、露光波長に対し所定の透過率を有する光半透過膜を形成した位相シフトマスクブランクの製造方法であって、前記透明基板上に、金属、シリコン、窒素及び／または酸素を主たる構成要素とする光半透過膜を形成し、該光半透過膜の熱処理を例えば加熱プレート等によって行った後、該熱処理を行った直後の光半透過膜を、面内均一冷却速度で冷却しうる冷却手段であって、かつ強制的に冷却しうる冷却手段（例えば冷却プレート等）によって冷却処理する。
摘要翻译：一种用于制造相移掩模坯料的方法，其中在透明基板上形成具有对曝光波长的规定透射率的光半透膜。在半透射基板上形成具有金属，硅，氮和/或氧作为主要元件的光半透膜。在半透射膜例如通过加热板进行热处理之后，刚刚在热处理之后的光半透膜被冷却装置（例如，冷却板）冷却，冷却装置可以在板内均匀冷却速度强制。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式