专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2007074806A1 フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译： PHOTOMASK BLANK，光电制造方法和半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2007074806A1
公开(公告)日：2007-07-05
申请号：PCT/JP2006/325863
申请日：2006-12-26
申请人： HOYA株式会社 , 山田剛之 , 岩下浩之 , 牛田正男
发明人：山田剛之 , 岩下浩之 , 牛田正男
IPC分类号： G03F1/08
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80
摘要：　遮光膜のドライエッチング速度を高めることで、ドライエッチング時間が短縮でき、レジスト膜の膜減りを低減することができ、レジスト膜を薄膜化して解像性、パターン精度（ＣＤ精度）を向上でき、ドライエッチング時間の短縮化による断面形状の良好な遮光膜のパターンが形成することができるフォトマスクブランクを提供する。　本発明は、透光性基板上に遮光膜を有するフォトマスクブランクにおいて、該フォトマスクブランクは、遮光膜上に形成されるマスクパターンをマスクにしてドライエッチング処理により、遮光膜をパターニングするフォトマスクの作製方法に対応するドライエッチング処理用のフォトマスクブランクであって、前記遮光膜は、主にクロム（Ｃｒ）と窒素（Ｎ）とを含む材料からなり、かつ、Ｘ線回折による回折ピークが実質的にＣｒＮ（２００）である。また、前記遮光膜は、クロム（Ｃｒ）を基準としたときに窒素（Ｎ）が深さ方向に略均一に含まれている。
摘要翻译：提供一种光掩模坯料，通过增加遮光膜的干蚀刻速度来缩短干蚀刻时间，通过使抗蚀剂膜变薄来提高抗蚀剂膜的还原性，分辨率和图案精度（CD精度）得到改善通过缩短的干蚀刻时间形成具有优异横截面形状的屏蔽膜图案。光掩模坯料在透光基板上具有遮光膜。提供了用于干蚀刻的光掩模坯料，其适用于通过使用形成在遮光膜上的掩模图案作为掩模通过干法蚀刻来对遮光膜进行图案化的光掩模制造方法。遮光膜由主要包含铬（Cr）和氮（N）的材料构成，并且在X射线衍射中基本上具有CrN（200）的衍射峰。此外，通过使铬（Cr）作为基准，遮光膜包括在深度方向上基本均匀的氮（N）。

2. 发明申请

WO2007037383A1 フォトマスクブランク及びその製造方法、フォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：光电隔离膜及其制造方法，用于生产光聚合物的方法以及生产半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2007037383A1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/JP2006/319491
申请日：2006-09-29
申请人： HOYA株式会社 , 山田剛之 , 大久保靖 , 牛田正男 , 岩下浩之
发明人：山田剛之 , 大久保靖 , 牛田正男 , 岩下浩之
IPC分类号： G03F1/08
CPC分类号： G03F1/54 , G03F1/32
摘要：　遮光膜のパターニング時に良好な平坦度を有することで、良好なマスクパターン精度及びパターン転写精度が得られるフォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法を提供する。　本発明では、透光性基板上に少なくともクロムを含む遮光膜を有するフォトマスクブランクであって、前記遮光膜上に形成されるレジスト膜に応じた加熱処理による遮光膜の膜応力変化を見込んで、この膜応力変化とは反対方向の所望の膜応力を生じる遮光膜を形成する。このフォトマスクブランクにおける上記遮光膜をドライエッチング処理によりパターニングすることにより、フォトマスクを製造する。
摘要翻译：本发明提供一种光掩模坯料，其在遮光膜的图案化中具有良好的平坦度，因此可以提供良好的掩模图案精度和图案转印精度，以及制造光掩模的工艺。在包含在透光性基板上至少含有铬的遮光膜的光掩模坯料中，通过根据形成在遮光膜上的抗蚀剂膜进行热处理而允许遮光膜的膜应力变化，形成与膜应力变化相反的方向产生期望的膜应力的屏蔽膜。通过干蚀刻处理对光掩模坯料中的遮光膜进行图案化来制造光掩模。

3. 发明申请

WO2004059384A1 リソグラフィーマスクブランク审中-公开
标题翻译： LITHOGRAPHY MASK BLANK
公开(公告)号：WO2004059384A1
公开(公告)日：2004-07-15
申请号：PCT/JP2003/016561
申请日：2003-12-24
申请人： HOYA株式会社 , 牛田正男 , 竹内恵 , 鈴木修 , 坂本稔
发明人：牛田正男 , 竹内恵 , 鈴木修 , 坂本稔
IPC分类号： G03F1/08
CPC分类号： G03F1/32 , G03F1/58
摘要：リソグラフィーマスクを製造する素材として用いられるリソグラフィーマスクブランクであって、基板上に所望の機能を有する薄膜を少なくとも一層有するリソグラフィーマスクブランクにおいて、前記ブランクは、前記薄膜として窒素を含有する薄膜と、前記窒素を含有する薄膜上、又は前記窒素を含有する薄膜の少なくとも表面部分に形成された、前記リソグラフィーマスクを製造したときに表面に露出するアンモニウムイオンの生成を防止するアンモニウムイオン生成防止層を有する。
摘要翻译：作为用于制造光刻掩模的材料的光刻掩模坯料包括形成在基板上并具有所需功能的至少一个薄膜层。坯料包括作为上述薄膜层的含氮薄膜和形成在含氮薄膜上或至少在含氮薄膜的表面部分中形成的铵离子产生防止层生产铵离子。当从坯料形成光刻掩模时，铵离子产生防止层暴露在外部。

4. 发明申请

WO2007094389A1 マスクブランク及びフォトマスク审中-公开
标题翻译： MASK BLANK和PHOTOMASK
公开(公告)号：WO2007094389A1
公开(公告)日：2007-08-23
申请号：PCT/JP2007/052683
申请日：2007-02-15
申请人： HOYA株式会社 , 三井勝 , 佐野道明 , 牛田正男
发明人：三井勝 , 佐野道明 , 牛田正男
IPC分类号： G03F1/08
CPC分类号： G03F1/50
摘要：【課題】ＦＰＤ用大型マスクにおけるプロセス（レジスト塗布方法やエッチング方法、洗浄方法等）に適したマスクブランク及びフォトマスクを提供する。【解決手段】透光性基板上に、遮光性膜、及び透過量を調整する機能を有する半透光性膜、のうちのを少なくとも一方を有するＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクであって、　前記遮光性膜、及び前記半透光性膜は、膜表面の二乗平均平方根粗さＲｑが２．０ｎｍ以下であることを特徴とする。
摘要翻译：为了提供适用于FPD装置的大掩模中的适合于工艺（抗蚀剂涂覆方法，蚀刻方法，漂洗方法等）的掩模坯料和光掩模。解决问题的手段用于制造FPD器件的掩模板具有调节透光基板上的透射量的功能的遮光膜和半透光膜中的至少一个。遮光板坯的特征在于，遮光膜和半透光膜的根表面的平均粗糙度Rq为膜表面的2.0nm以下。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式