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    • 3. 发明申请
    • SCHUTZSCHICHTSYSTEM FÜR NICHTOXIDISCHE, SI-HALTIGE SUBSTRATE
    • 保护性涂层系统的非氧化物,SI-有基板
    • WO2004039750A1
    • 2004-05-13
    • PCT/DE2003/003245
    • 2003-09-30
    • FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBHLATZEL, SilkeVASSEN, RobertSTÖVER, Detlev
    • LATZEL, SilkeVASSEN, RobertSTÖVER, Detlev
    • C04B41/87
    • C04B41/009C04B41/52C04B41/89C04B41/4527C04B41/5037C04B41/5042C04B41/5024C04B41/522C04B35/565C04B35/584C04B35/806
    • Als Schutzschichten für Si-haltige, nichtoxidische Keramiken weisen Mullit, Yttriumsilikat und Zirkon allein keinen ausreichenden Oxidationsschutz bei hohen Temperaturen auf. Eine darauf angeordnete, aus dem Stand der Technik für metallische Substrate bekannte Deckschicht, ist aufgrund ihres thermischen Ausdehnungskoeffizienten und/oder ihrer chemischen Unverträglichkeit in der Regel ungeeignet. Es kommt zu thermisch induzierten Spannungen und folglich zu Rissen und zum Abplatzen der Deckschicht. Die Erfindung betrifft ein Schutzschichtsystem für eine Si-haltige, nichtoxidische Keramik mit einer ersten Schutzschicht umfassend ein Si-haltiges Oxid sowie einer auf der Schutzschicht angeordneten Deckschicht wobei die Deckschicht eine Sauerstoff undurchlässige Verbindung mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten von weniger als 9,0*10 -6 /K aufweist. Ein solches Schutzschichtsystem ist gleichermassen als Wärmedämmschicht und als Korrosionsschutzschicht gegen Sauerstoff und Wasserdampf geeignet. Die Schichten können vorteilhaft auch zumindest teilweise gradiert ausgebil det sein. Als besonders vorteilhaft hat sich die Kombination einer Mullit-Schutzschicht mit einer Lanthanhafnat- oder einer Hafniumorthosilikat-Deckschicht erwiesen.
    • 作为含Si的保护涂层,非氧化物陶瓷具有莫来石,钇和锆单独在高温下保护不足的抗氧化。 一个设置在其上,从已知的覆盖层的金属基材的现有技术中,不适合,因为它们的热膨胀系数和/或它们的化学不相容性通常。 它涉及到热诱导应力,从而裂纹和外层的剥落。 本发明涉及一种保护性涂层系统,用于一个含Si,非氧化物陶瓷与包含含Si氧化物和一个设置在保护层的覆盖层,其中所述覆盖层具有小于9.0×10的热膨胀系数<不透氧化合物的第1保护层 具有-6> / K. 这样的保护层系统适合同样作为热绝缘层和对氧和水蒸汽的腐蚀保护层。 这些层也可以是有利的,至少部分地分级ausgebil DET。 特别有利的是莫来石 - 保护层的组合已经被证明一个Lanthanhafnat-或Hafniumorthosilikat罩面。
    • 5. 发明申请
    • VERFAHREN ZUM PLASMASPRITZEN SOWIE DAZU GEEIGNETE VORRICHTUNG
    • 方法等离子喷涂和相应的设备
    • WO2005007921A1
    • 2005-01-27
    • PCT/DE2004/001217
    • 2004-06-11
    • FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBHDÖRING, Jens-ErichSIEGERT, RobertoVASSEN, RobertSTÖVER, Detlev
    • DÖRING, Jens-ErichSIEGERT, RobertoVASSEN, RobertSTÖVER, Detlev
    • C23C4/12
    • C23C4/134B05B7/226B05B12/16C23C4/123Y02T50/67
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten eines Substrates mit einem Pulver mit Hilfe eines ther­mischen Spritzverfahrens, bei dem das Pulver in einen Plasmastrahl eingebracht und mit Hilfe des Plasmas auf das Substrat aufgebracht wird. Erfindungsgemäss wird zumindest ein Teil des aus dem Plasmastrahl divergie­renden Pulvers durch ein Mittel vom Substrat abgeleitet und/oder wieder in den Plasmastrahl geleitet. Eine zur Durchführung des Verfahrens geeignete Vorrich­tung zum Ableiten und/oder Fokussieren eines Anteils aus einem Pulverstrahl weist ein Mittel zum Ableiten und/oder Fokussieren von Teilchen, welches die Form eines Hohlzylinders aufweist und Graphit und/oder Edel­ stahl umfasst, auf. Das Mittel weist einen minimalen inneren Durchmesser zwischen 5 und 30 mm, insbesondere zwischen 10 und 20 mm und eine Länge von 5 bis 80, ins­besondere zwischen 10 und 50 mm auf. Die innere und/oder äussere Oberfläche des Mittels weist eine der­ artig gekrümmte Oberflächengeometrie auf, dass es aus einem eingebrachten Pulverstrahl, divergierende Pulver­teilchen abzuleiten und/oder zu fokussieren vermag.
    • 本发明涉及一种用于通过热喷涂方法,其中,所述粉末引入到等离子流和使用等离子体被施加到衬底的装置涂覆的粉末的衬底的方法。 根据本发明,从衬底导出的至少发散出的等离子流中的一部分通过的粉末剂和/或反馈到等离子体射流。 适合于执行用于导出和/或聚焦的粉末束的一部分的方法的装置具有用于导出和/或具有一个空心圆柱体的形状的颗粒的聚焦装置和包括在石墨和/或稀有钢。 的装置具有5和30mm之间10和20毫米,5 10和50mm之间的长度为80,特别之间的最小内径,尤其如此。 的装置的内部和/或外表面具有类似的弯曲表面的几何形状使得它能够引入以导出发散粉末颗粒和/或聚焦的粉末喷射的。