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1. 发明申请

WO2011061088A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HYDRIDOSILANEN 审中-公开
标题翻译：用于生产的氢化硅烷
公开(公告)号：WO2011061088A1
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：PCT/EP2010/067016
申请日：2010-11-08
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , WIEBER, Stephan , PATZ, Matthias , TROCHA, Martin , RAULEDER, Hartwig , MÜH, Ekkehard , STÜGER, Harald , WALKNER, Christoph
发明人： WIEBER, Stephan , PATZ, Matthias , TROCHA, Martin , RAULEDER, Hartwig , MÜH, Ekkehard , STÜGER, Harald , WALKNER, Christoph
IPC分类号： C01B33/04 , C01B33/107
CPC分类号： C01B33/04 , C01B33/043 , C01B33/10773 , Y10T428/31663
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen aus Halogensilanen, bei dem a) i) mindestens ein Halogensilan der generischen Formel Si n X 2n+2 (mit n ≥ 3 und X = F, Cl, Br und/oder I) und ii) mindestens ein Katalysator der generischen Formel NRR' a R" b Y c mit a = 0 oder 1, b = 0 oder 1, und c = 0 oder 1, und Formula (I) wobei aa) R, R' und/oder R" gleich -C 1 -C 12 -Alkyl, -C 1 -C 12 -Aryl, -C 1 -C 12 -Aralkyl, -C 1 -C 12 - Aminoalkyl, -C 1 -C 12 -Aminoaryl, -C 1 -C 12 -Aminoaralkyl, und/oder zwei oder drei Reste R, R' und R" im Falle von c = 0 gemeinsam ein N einschließendes cyclisches oder bicyclisches, heteroaliphatisches oder heteraromatisches System bilden, mit der Maßgabe, dass mindestens ein Rest R, R' oder R" nicht -CH 3 ist und/oder bb) R und R' und/oder R" (im Falle von c = 1 ) gleich -C 1 -C 12 -Alkylen, -C 1 -C 12 -Arylen, -C 1 -C 12 - Aralkylen, -C 1 -C 12 -Heteroalkylen, -C 1 -C 12 -Heteroarylen, -C 1 -C 12 -Heteroaralkylen und/oder -N= ist, oder cc) (im Falle von a = b = c = 0) R = ≡C-R'" (mit R'" = -C 1 -C 10 - Alkyl, -C 1 -C 10 -AryI und/oder -C 1 -C 10 -Aralkyl) ist, unter Bildung eines Gemisches umfassend mindestens ein Halogensilan der generischen Formel Si m X 2m+2 (mit m > n und X = F, Cl, Br und/oder I) und SiX 4 (mit X = F, Cl, Br und/oder I) umgesetzt werden, und b) das mindestens eine Halogensilan der generischen Formel Si m X 2m+2 unter Bildung eines Hydridosilans der generischen Formel Si m H 2m+2 hydriert wird, die nach dem Verfahren herstellbaren Hydridosilane und ihre Verwendung.
摘要翻译：本发明涉及一种用于卤代硅烷的氢化硅烷的制备方法，其中a）ⅰ）通式SinX2n + 2（其中n = 3和X = F，Cl，Br和/或I的至少至少一种卤代硅烷）和ii）通式的催化剂NRR'aR “BYC，其中a = 0或1，b = 0或1，且c = 0或1，和式（I），其中AA）R，R“和/或R” 是-C 1 -C 1 -C 12 - 烷基，-C 1 -C 12 - 芳基，-C 1 -C 12 - 芳烷基，-C 1 -C C12氨基烷基，-C 1 -C 12 - 氨基芳基，-C 1 -C 12 - 氨基芳烷基，和/或两个或三个基团R，R “和R“形成环状或双环的N-封闭，杂或heteraromatisches系统中常见的C = 0的情况下，其条件是至少一个R，R”或R“不是-CH 3和/或BB）和R R“和/或R“（在C = 1的情况下）等于-C1-C12-亚烷基，-C 1 -C 12亚芳基，-C 1 -C 12 - 亚芳烷基，-C 1 -C 12杂亚烷基，-C 1 -C 12 - 亚杂芳基，-C 1 -C 12 - Heteroaralkylen和/或-N =，或CC）（在的情况下A = b = C = 0）R = = C- R“”（其中R'“= -C 1 -C 10烷基，-C 1 -C 10 - 芳基和/或-C 1 -C 10芳烷基）与，该方法包括形成混合物通式SimX2m + 2中的至少一种卤代硅烷（ M> N且X = F，Cl，Br和/或I）反应女，Cl，Br和/或I）和SiX4（其中X，和b）通式的至少一种卤代硅烷SimX2m + 2，以形成通式的氢硅烷氢化SimH2m + 2，通过该方法的氢化硅烷以及它们的使用获得。

2. 发明申请

WO2012080003A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG HÖHERER HALOGEN- UND HYDRIDOSILANE 审中-公开
标题翻译：用于生产更高和卤素氢化硅烷
公开(公告)号：WO2012080003A1
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：PCT/EP2011/071621
申请日：2011-12-02
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , WIEBER, Stephan , PATZ, Matthias , STÜGER, Harald , WALKNER, Christoph
发明人： WIEBER, Stephan , PATZ, Matthias , STÜGER, Harald , WALKNER, Christoph
IPC分类号： C01B33/04 , C01B33/107 , B01J31/02
CPC分类号： C01B33/10773 , B01J31/0267 , C01B33/021 , C01B33/04
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung höherer Halogensilane durch Disproportionierung von niederen Halogensilanen. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung höherer Hydridosilane aus den durch Disproportionierung hergestellten höheren Halogensilanen. Die Erfindung betrifft des Weiteren Gemische enthaltend mindestens ein höheres Halogensilan oder mindestens ein höheres Hydridosilan hergestellt nach den genannten Verfahren. Schließlich betrifft die Erfindung die Verwendung eines solchen Gemisches enthaltend mindestens ein höheres Hydridosilan zur Herstellung elektronischer oder optoelektronischer Bauteilschichten oder zur Herstellung siliciumhaltiger Schichten.
摘要翻译：本发明涉及一种通过降低卤代硅烷的歧化制备高级的卤代硅烷。本发明还涉及一种用于制备由歧化更高卤代硅烷的生产的高级氢化。本发明还涉及包含至少一种高级的卤代硅烷或根据所提到的方法制备的至少一种高级氢化硅烷的混合物。最后，本发明涉及使用这样的混合物制造电子或光电子器件层中的至少一个较高的氢化硅烷的或用于制造含硅层。

3. 发明申请

WO2014082815A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN KOHLENSTOFFHALTIGER HYDRIDOSILANE 审中-公开
标题翻译：用于生产含碳氢化硅烷
公开(公告)号：WO2014082815A1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：PCT/EP2013/072755
申请日：2013-10-31
申请人： EVONIK INDUSTRIES AG , TRAUT, Stephan , WIEBER, Stephan , PATZ, Matthias , CÖLLE, Michael , STÜGER, Harald , WALKNER, Christoph
发明人： TRAUT, Stephan , WIEBER, Stephan , PATZ, Matthias , CÖLLE, Michael , STÜGER, Harald , WALKNER, Christoph
IPC分类号： C08G77/60 , C07F7/08
CPC分类号： C07F7/0821 , C07F7/0827 , C07F7/0896 , C08G77/60 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02628
摘要： Gegenstand der vorliegenden Erfindung sind Verfahren zum Herstellen kohlenstoffhaltiger Hydridosilane, bei dem ein ggf. bor- oder phosphordotiertes Hydridosilan katalysator- und reduktionsmittelfrei mit mindestens einer Kohlenstoffquelle ausgewählt aus linearen, verzweigten oder cyclischen Carbosilanen, halogenierten Kohlenwasserstoffen, Carbenen, Alkylaziden, Diazomethan, Dimethylsulfat oder Alkoholen umgesetzt wird, die nach dem Verfahren erhältlichen kohlenstoffhaltigen Hydridosilanoligomere und ihre Verwendung.
摘要翻译：本发明涉及用于生产含碳氢化硅烷在其中可能硼或催化剂 - 磷掺杂的氢化硅烷和自由还原剂与从直链，支链或环状碳硅烷，卤代烃，卡宾，烷基叠氮化物，重氮甲烷，硫酸二甲酯或醇中的至少一种碳源实施后，通过过程碳Hydridosilanoligomere及其使用获得的。

4. 发明申请

WO2012028476A1 P-DOTIERTE SILICIUMSCHICHTEN 审中-公开
标题翻译： P型掺杂硅层
公开(公告)号：WO2012028476A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/EP2011/064279
申请日：2011-08-19
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , WIEBER, Stephan , PATZ, Matthias , STÜGER, Harald , LEHMKUHL, Jasmin
发明人： WIEBER, Stephan , PATZ, Matthias , STÜGER, Harald , LEHMKUHL, Jasmin
IPC分类号： H01L21/228 , H01L21/02 , C07F9/50 , H01L31/18 , C23C18/12
CPC分类号： H01L21/02381 , C23C18/1204 , C23C18/122 , C23C18/1225 , C23C18/14 , H01L21/0237 , H01L21/02532 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02628 , H01L21/228 , H01L29/16 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung p-dotierter Siliciumschichten, insbesondere solcher Siliciumschichten, die aus flüssigen Silan-haltigen Formulierungen hergestellt werden. Die Erfindung betrifft ferner ein mit einer p-dotierten Siliciumschicht beschichtetes Substrat. Des Weiteren betrifft die Erfindung die Verwendung bestimmter Dotierungsmittel auf Basis von Bor-Verbindungen zur p-Dotierung einer Siliciumschicht.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产p型掺杂硅层，特别是那些硅层，这是从含硅烷的液体制剂制成的方法。本发明还涉及涂有p型掺杂硅层的衬底的衬底。此外，本发明涉及使用基于用于形成硅膜的p型掺杂硼化合物的某些掺杂剂。

5. 发明申请

WO2010003729A1 PROCESS FOR PREPARING HIGHER HYDRIDOSILANES 审中-公开
标题翻译：制备高水解硅藻土的方法
公开(公告)号：WO2010003729A1
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：PCT/EP2009/056277
申请日：2009-05-25
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , BRAUSCH, Nicole , EBBERS, André , STOCHNIOL, Guido , TROCHA, Martin , ÖNAL, Yücel , SAUER, Jörg , STÜTZEL, Bernhard , WOLF, Dorit , STÜGER, Harald
发明人： BRAUSCH, Nicole , EBBERS, André , STOCHNIOL, Guido , TROCHA, Martin , ÖNAL, Yücel , SAUER, Jörg , STÜTZEL, Bernhard , WOLF, Dorit , STÜGER, Harald
IPC分类号： C01B33/04
CPC分类号： C01B33/04
摘要： Process for preparing higher hydridosilanes of the general formula H-(SiH 2 ) n -H where n ≥ 2, in which - one or more lower hydridosilanes - hydrogen, and - one or more transition metal compounds comprising elements of transition group VIII of the Periodic Table and the lanthanides are reacted at a pressure of more than 5 bar absolute, subsequently depressurized and the higher hydridosilanes are separated off from the reaction mixture obtained.
摘要翻译：制备通式为H-（SiH 2）n H的高级羟基硅烷的方法，其中n = 2，其中 - 一个或多个低级羟基硅烷 - 氢，以及 - 一种或多种包含元素周期表第八族元素的过渡金属化合物和镧系元素在绝对压力大于5巴的压力下反应，随后减压，从所得反应混合物中分离出较高的氢硅烷。

6. 发明申请

WO2003100134A1 ELEKTROCHEMISCHES VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON ORGANOFUNKTIONELLEN SILANEN 审中-公开
标题翻译：电化学过程用于生产有机硅烷
公开(公告)号：WO2003100134A1
公开(公告)日：2003-12-04
申请号：PCT/EP2003/004093
申请日：2003-04-17
申请人： CONSORTIUM FÜR ELEKTROCHEMISCHE INDUSTRIE GMBH , KAMMEL, Thomas , PACHALY, Bernd , GROGGER, Christa , LOIDL, Bernhard , STÜGER, Harald
发明人： KAMMEL, Thomas , PACHALY, Bernd , GROGGER, Christa , LOIDL, Bernhard , STÜGER, Harald
IPC分类号： C25B3/04
CPC分类号： C07F7/10 , C07F7/0896 , C07F7/1876 , C25B3/04
摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von organofunktionellen Silanen der allgemeinen Formel (1), bei dem ein Silan der allgemeinen Formel (2), mit einer Verbindung der allgemeinen Formel R 1 -Y (3), unter Verwendung einer ungeteilten Elektrolysezelle elektrochemisch umgesetzt wird, mit der Massgabe, dass pro Mol X höchstens 0,1 Mol Komplexierungsmittel anwesend ist, wobei R 1 , R 2 , R 3 , R 4 X and Y die in Anspruch 1 definierten Bedeutungen aufweisen.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制备通式（1）的有机官能硅烷，其中所述通式（2）的硅烷，具有通式R的化合物<1> -Y（3），使用未分开的电解池进行电化学反应，其条件是每X的摩尔至多0.1摩尔配位剂存在，其中<4> X和Y如权利要求1中所定义，R <1>，R <2>，R <3>，R 有。

7. 发明申请

WO2005123811A1 VERFAHREN ZUR ELEKTROCHEMISCHEN KNÜPFUNG VON SILICIUM-KOHLENSTOFF- UND SILICIUM-WASSERSTOFF-BINDUNGEN UNTER VERWENDUNG EINER WASSERSTOFF-ELEKTRODE 审中-公开
标题翻译：法硅碳和硅氢键电化学联动使用氢电极
公开(公告)号：WO2005123811A1
公开(公告)日：2005-12-29
申请号：PCT/EP2005/006225
申请日：2005-06-09
申请人： CONSORTIUM FÜR ELEKTROCHEMISCHE INDUSTRIE GMBH , POPP, Alfred , WEIDNER, Richard , STÜGER, Harald , GROGGER, Christa , LOIDL, Bernhard
发明人： POPP, Alfred , WEIDNER, Richard , STÜGER, Harald , GROGGER, Christa , LOIDL, Bernhard
IPC分类号： C08G77/12
CPC分类号： C25B3/10 , C07F7/122 , C08G77/12 , C08G77/50
摘要： Die Erfindung betrifft ein elektrochemisches Verfahren zur Knüpfung von Silicium-Kohlenstoff- und Silicium-Wasserstoff- Bindungen (Si-C- und Si-H-Bindungen) unter Verwendung einer Wasserstoffanode (H 2 Anode).
摘要翻译：本发明涉及一种用于硅 - 碳并用氢气阳极（H2阳极）硅 - 氢键（Si-C和Si-H键）的形成的电化学方法。

8. 发明申请

WO2017102434A1 DOTIERTE ZUSAMMENSETZUNGEN, VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG UND IHRE VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：掺杂组合物，它们的制备方法及其用途
公开(公告)号：WO2017102434A1
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：PCT/EP2016/079885
申请日：2016-12-06
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH
发明人： TRAUT, Stephan , WUNNICKE, Odo , PATZ, Matthias , MALSCH, Miriam, Deborah , STÜGER, Harald
IPC分类号： C01B33/04 , C08G77/60 , H01L31/068
CPC分类号： C01B33/04 , C08G77/60 , H01L31/068
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft Zusammensetzungen umfassend mindestens ein Hydridosilan der generischen Formel Si n H m mit n ≥ 5 und m = (2n) und (2n+2) und mindestens eine Verbindung der Formel H n B (OR) 3-n mit R = C 1 -C 10 -Alkyl, C 6 -C 10 -Aryl, C 7 -C 14 -Aralkyl, Halogen, n = 0, 1, 2, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung.
摘要翻译：本发明涉及包含至少一种通式为Si n H m m且n≥5并且m =（2n）和（其中n为1或2）的氢化硅烷的组合物， 2n + 2）和至少一种式H n B（OR）3-n的化合物，其中R = C 1 -C 2 - C10-芳基，C10-C10芳基，C12-C14芳基，C1-C10芳基，C1-C10芳基，芳烷基，卤素，n = 0,1,2，它们的制备方法及其用途。

9. 发明申请

WO2017167715A1 GEZIELTE HERSTELLUNG VON 2,2,3,3-TETRASILYLTETRASILAN 审中-公开
标题翻译：目标制备2,2,3,3-四甲基四硅氮烷
公开(公告)号：WO2017167715A1
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：PCT/EP2017/057251
申请日：2017-03-28
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH
发明人： STÜGER, Harald , HAAS, Michael , CHRISTOPOULOS, Viktor-Stavros , WUNNICKE, Odo
IPC分类号： C01B33/04 , C23C16/24
摘要： Gegenstände der vorliegenden Erfindung sind das Oktasilan 2,2,3,3-Tetrasilyltetrasilan 1, Zusammensetzungen, die neben 2,2,3,3-Tetrasilyltetrasilan 1 ein oder mehrere zusätzliche Bestandteile aufweisen, die nicht 1 sind, Verfahren zur Herstellung von 2,2,3,3-Tetrasilyltetrasilan 1 und Gemischen von höheren Hydridosilanen, welche 1 aufweisen. Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist die Verwendung von 1 und Gemischen von höheren Hydridosilanen, welche 1 aufweisen, zur Abscheidung von Silizium-haltigen Material.
摘要翻译：
交配HANDS本发明是2,2,3,3- Oktasilan Tetrasilyltetrasilan 1，组合物，其除了2,2,3,3-1 Tetrasilyltetrasilan一个或多个另外BEAR具有有用成分，其不是1，制备2,2,3,3-四甲硅烷基四硅烷1和具有1的高级氢化硅烷的混合物的方法。本发明的另一个目的是使用1和具有1的高级氢化硅烷的混合物用于沉积含硅材料

10. 发明申请

WO2020001955A1 PARTIALLY HYDROGENATED CHLOROSILANES AND METHODS FOR PREPARING SAME BY SELECTIVE HYDROGENATION 审中-公开
公开(公告)号：WO2020001955A1
公开(公告)日：2020-01-02
申请号：PCT/EP2019/064918
申请日：2019-06-07
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH
发明人： HAAS, Michael , STÜGER, Harald , LAINER, Thomas , WUNNICKE, Odo , HOLTHAUSEN, Michael
IPC分类号： C01B33/107 , C07F7/08
摘要： The present invention relates to a method for preparing partially hydrogenated chlorosilanes by selective hydrogenation with a compound of the formula R2AIH, wherein R is a branched or cyclic hydrocarbon. The present invention further refers to partially hydrogenated chlorosilanes prepared with said method, in particular to partially hydrogenated chlorosilanes represented by the formula Cl 3 SiSi(SiH 3 ) 3 , (Cl 3 Si) 2 Si(SiH 3 ) 2 or HSi(SiH 3 ) 2 SiCI 3 .

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