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1. 发明申请

WO2011131847A1 PROCÉDÉ DE TRANSFERT D'AU MOINS UNE COUCHE MICRO-TECHNOLOGIQUE 审中-公开
标题翻译：微型技术可用于传输至少一层
公开(公告)号：WO2011131847A1
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：PCT/FR2010/050767
申请日：2010-04-21
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , TAUZIN, Aurélie , STRAGIER, Anne-Sophie
发明人： TAUZIN, Aurélie , STRAGIER, Anne-Sophie
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76259 , H01L21/76254
摘要： Un procédé de transfert d'au moins une couche micro-technologique comporte des étapes selon lesquelles : - on prépare un premier substrat 20 comportant une couche poreuse 11 enterrée sous une surface utile à une distance non nulle, - on forme par implantation d'ions une zone fragilisée 13 entre cette couche poreuse et cette surface utile, - on colle le premier substrat sur un substrat support 30, - on provoque un détachement au niveau de la couche poreuse, par application d'une sollicitation mécanique, en sorte d'obtenir, d'une part, un reliquat du premier substrat et, d'autre part, une couche détachée solidaire du substrat support et comportant une surface mise à nu, - on effectue des étapes technologiques à la surface mise à nu de la couche détachée, - on colle la couche détachée, par la surface à laquelle des étapes technologiques ont été appliquées, à un second substrat support, - on provoque un détachement au niveau de la zone fragilisée, par application d'un traitement thermique, en sorte d'obtenir, d'une part, un reliquat de la couche détachée qui est solidaire du second substrat support et, d'autre part, un reliquat de cette couche détachée qui est solidaire du premier substrat support.
摘要翻译：证明用于转移至少一层的微技术，包括以下步骤：其中制备第一衬底20，其包括以非零距离掩埋在有用表面下方的多孔层11; 通过在该多孔层和该有用表面之间的离子注入形成弱化区域13; 第一基板与支撑基板30接合; 施加机械应力以在多孔层处引起分离，从而一方面获得第一基底的残留物，另一方面获得刚性连接到支撑基底并包括裸露表面的分离层; 在分离层的裸露表面上进行加工步骤; 分离层通过施加加工步骤的表面粘结到第二支撑基底上; 并且进行热处理以在弱化区域引起分离，从而一方面获得刚性地连接到第二支撑衬底的分离层的残余物，另一方面获得该分离的残留物刚性地连接到第一支撑基底的层。

2. 发明申请

WO2011023905A1 PROCÉDÉ DE DÉTACHEMENT PAR FRACTURE D'UN FILM MINCE DE SILICIUM METTANT EN OEUVRE UNE TRIPLE IMPLANTATION 审中-公开
标题翻译：通过分割方法分离硅薄膜的方法，使用三重植入
公开(公告)号：WO2011023905A1
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：PCT/FR2010/051774
申请日：2010-08-25
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , TAUZIN, Aurélie
发明人： TAUZIN, Aurélie
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , Y10T156/1153
摘要： Pour le détachement par fracture d'un film mince de silicium à partir d'un substrat de départ, on effectue une étape d'implantation d'espèces au sein du substrat de départ 10, au travers d'une face libre, en vue de la formation d'une couche de fragilisation 13, au moins une étape intermédiaire à une température d'au moins 450°C, avant et/ou après une étape optionnelle de solidarisation pour mettre la face libre en contact intime avec un raidisseur, puis une étape de détachement par fracture le long de la couche de fragilisation. L'étape d'implantation comporte une implantation de bore, une implantation d'hélium et une implantation d'hydrogène, dans un ordre quelconque, avec des énergies d'implantation telles qu'on obtient des maxima de concentration en hélium et en bore sensiblement à une même profondeur, avec un écart d'au plus 10 nm, ces maxima étant moins profonds que le maximum de concentration en hydrogène, et avec des doses d'implantation telles que la dose de bore est au moins égale à 5.10 13 B/cm 2 et la dose totale d'hélium et d'hydrogène est au moins égale à 10 16 atomes/cm 2 et au plus égale à 4.10 16 atomes/cm 2 , de préférence au plus égale à 3.10 16 atomes/cm 2 .
摘要翻译：为了通过分裂从起始衬底分离硅薄膜，进行通过自由表面注入起始衬底（10）内的物质以形成弱化层（13）的步骤，至少一个中间步骤在用于将自由表面与加强件紧密接触的可选固定步骤之前和/或之后的至少450℃的温度下进行，然后通过沿着弱化层分裂的分离步骤。注入步骤包括在注入能量下以任何顺序注入硼，氦和氢，使得基本上在一个和相同的深度获得最大的硼和氦浓度，最大差为10nm，所述最大浓度处于较浅的水平并且在注入剂量下，硼剂量至少等于5.1013B / cm2，总氦和氢剂量至少等于1016原子/ cm2，最多等于4.1016原子/ cm2，优选至多等于3.1016原子/ cm 2。

3. 发明申请

WO2016030610A1 PROCÉDÉ DE DÉTOURAGE D'UNE COUCHE MINCE REPORTÉE 审中-公开
标题翻译：用于调整添加薄膜的方法
公开(公告)号：WO2016030610A1
公开(公告)日：2016-03-03
申请号：PCT/FR2015/052227
申请日：2015-08-19
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： TAUZIN, Aurélie , LECOUVEY, Christophe
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/304
摘要： Procédé de détourage d'une couche mince reportée Le procédé comprenant les étapes suivantes: a)Fournir une structure composite (6)comprenant la couche mince (3) collée sur un substrat raidisseur (5) avec une énergie de collage, la couche mince (3) comprenant une région périphérique (8) et une région centrale (7), b)Appliquer une face adhésive d'un film autocollant (9)sur au moins la surface exposée de la région périphérique(8)avec une énergie d'adhésion supérieure à l'énergie de collage, c)Peler le film autocollant (9)de la couche mince (3)de sorte à arracher au moins une portion de la région périphérique (8),la région centrale (7) restant collée au substrat raidisseur (5).
摘要翻译：本发明涉及一种用于修整添加的薄膜的方法，包括以下步骤：a）提供一种复合结构（6），该复合结构（6）包括用结合能结合到加强基底（5）上的薄膜（3），薄膜 3）包括周边区域（8）和中央区域（7）; b）将自粘合膜（9）的粘合剂表面施加到至少周边区域（8）的暴露表面，粘附能力大于接合能量; c）剥离薄膜（3）的自粘合膜（9），以便拉出周边区域（8）的至少一部分，残留在加强基板（5）上的中心区域（7））。

4. 发明申请

WO2017072276A1 PROCÉDÉ D'ÉLIMINATION DE DÉFAUTS DANS UN FILM SEMICONDUCTEUR COMPRENANT LA FORMATION D'UNE COUCHE DE PIÉGEAGE D'HYDROGÈNE 审中-公开
标题翻译：用于消除包括氢俘获层形成的半导体膜中的缺陷的方法
公开(公告)号：WO2017072276A1
公开(公告)日：2017-05-04
申请号：PCT/EP2016/076033
申请日：2016-10-28
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： TAUZIN, Aurélie , LAGOUTTE, Emmanuelle , MAZEN, Frédéric , PIEGAS LUCE, Flavia , REBOH, Shay
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： L'invention concerne un procédé de traitement d'un film mince (1) transféré d'un substrat donneur vers un substrat récepteur par fracture au niveau d'une zone du substrat donneur fragilisée par implantation ionique d'hydrogène, le procédé comprenant une étape d'amincissement du film mince transféré (1) pour éliminer une région de défauts résiduels (11) induits par l'implantation ionique d'hydrogène, et étant caractérisé en ce qu'il comprend, directement après la fracture et avant l'étape d'amincissement du film mince transféré, une étape de formation d'une couche de piégeage d'hydrogène (13) dans la région de défauts résiduels du film mince transféré (1). Un traitement thermique peut être mis en œuvre après formation de la couche de piégeage d'hydrogène et avant amincissement du film mince.
摘要翻译：
本发明涉及一种方法用于治疗转染的薄膜（1）从施主衬底到供体衬底的通过离子注入氢而脆化的区域的裂缝恢复衬底，去污方法包括薄膜转移到身体的薄化步骤; （1）消除由离子注入氢引起的剩余事件（11）的区域，并且其特征在于因为其在刚刚断裂之后且在薄膜转移的薄化步骤之前包括形成水凝胶形成层的步骤。（13）在所转移的薄膜的残余缺陷区域中。（1）。在氢化层形成之后和薄膜变薄之前可以进行热处理。

5. 发明申请

WO2017051004A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURES POUR CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE 审中-公开
标题翻译：制造光伏电池结构的方法
公开(公告)号：WO2017051004A1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：PCT/EP2016/072759
申请日：2016-09-23
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： TAUZIN, Aurélie
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0687
CPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/02245 , Y02E10/544
摘要： La présente invention concerne un procédé de fabrication de structures pour cellule photovoltaïque à multi-jonctions et une structure obtenue par ce procédé, le procédé comprenant successivement les étapes de: a) Fournir un empilement comprenant successivement: un substrat support (1), une structure de multi-jonctions pour cellule photovoltaïque (2), et une couche métallique arrière (4), b) Former une pluralité de vias s'étendant depuis la couche métallique arrière (4) jusqu'à la face de la cellule photovoltaïque (2), c) Former une couche électriquement isolante (9) sur les flancs de la pluralité des vias, d) Former une couche métallique avant (8) sur la couche électriquement isolante, e) Fournir un substrat récepteur (200) sur lequel sont disposées deux pistes métalliques (6,6'), f) Connecter électriquement, la couche métallique avant (8) à la première piste métallique (6), g) Connecter électriquement, la couche métallique arrière (4) à la deuxième piste métallique (6'), h) Retirer le substrat support (1), i) Former des plots métalliques (12) à l'aplomb des vias et dans la continuité de la couche métallique avant de sorte à recouvrir partiellement une première couche dopée (7) en face avant des multi- jonctions, et j) Retirer des portions exposées de la première couche dopée (7) en face avant de sorte à former des motifs dopés recouverts par les plots métalliques (12) formés à l'étape i).
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造多结光伏电池结构的方法和通过所述方法获得的结构，所述方法包括以下连续步骤：a）提供包括串联的叠层：支撑衬底（1），用于光伏电池（2）和后金属层（4）的多结结构; b）形成从所述后金属层（4）延伸到所述光伏电池（2）的表面的多个孔; c）在所述多个孔的侧面上形成电绝缘层（9）; d）在所述电绝缘层上形成前金属层（8）; e）提供其上布置有两个金属轨道（6,6'）的接收基板（200）; f）将前金属层（8）电连接到第一金属轨道（6）; g）将后金属层（4）电连接到第二金属轨道（6'）; h）移除支撑基板（1）; i）垂直邻近孔形成金属螺柱（12）并作为前金属层的延续部分地覆盖多个连接件前表面上的第一掺杂层（7）; 以及j）从前表面去除第一掺杂层（7）的暴露部分，以便形成由步骤i）中形成的金属焊盘（12）覆盖的掺杂图案。

6. 发明申请

WO2016180917A1 PROCÉDÉ DE COLLAGE DIRECT 审中-公开
标题翻译：直接结合过程
公开(公告)号：WO2016180917A1
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：PCT/EP2016/060653
申请日：2016-05-12
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： TAUZIN, Aurélie , IMBERT, Bruno
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/7806 , H01L21/30612 , H01L21/3245 , H01L21/76254 , H01L24/80 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L2224/80004 , H01L2224/80011 , H01L2224/80055 , H01L2224/80075 , H01L2224/8009 , H01L2224/80894 , H01L2224/80948 , H01L2924/10329 , H01L2924/10335
摘要： Le procédé est réalisé entre un premier substrat (1) comprenant une première couche d'un premier matériau et un second substrat (2) comprenant une seconde couche (6) d'un second matériau, le premier matériau et le second matériau étant de natures différentes et choisis parmi des alliages d'éléments des colonnes III et V, le procédé comprenant les étapes de: a) Fournir le premier substrat (1) et le second substrat (2), b) Mettre en contact le premier substrat (1) et le second substrat (2) de sorte à former une interface de collage (7) entre la première couche et la seconde couche (6), c) Effectuer un premier traitement thermique à une première température prédéfinie, d) Amincir l'un des substrats (1,2), e) Déposer, à une température inférieure ou égale à la première température prédéfinie, une couche barrière (8), sur le substrat (1,2) aminci, et f) Effectuer un second traitement thermique à une seconde température prédéfinie, supérieure à la première température prédéfinie.
摘要翻译：该过程在包括第一材料的第一层的第一衬底（1）和包括第二材料的第二层（6）的第二衬底（2）之间进行，第一材料和第二材料具有不同的性质并选自列III和V的元素的合金，该方法包括以下步骤：a）提供第一基板（1）和第二基板（2）; b）使第一衬底（1）和第二衬底（2）接触以在第一层和第二层（6）之间形成结合界面（7）; c）在第一预定温度下进行第一热处理; d）使基板之一（1,2）变薄; e）在所述薄化衬底（1,2）上沉积低于或等于所述第一预定温度的温度下的阻挡层（8）; 以及f）在高于所述第一预定温度的第二预定温度下进行第二热处理。

7. 发明申请

WO2012150184A1 PROCEDE DE FORMATION D'UNE FRACTURE DANS UN MATERIAU 审中-公开
标题翻译：在材料中形成裂纹的方法
公开(公告)号：WO2012150184A1
公开(公告)日：2012-11-08
申请号：PCT/EP2012/057713
申请日：2012-04-27
申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives , TAUZIN, Aurélie , MAZEN, Frédéric
发明人： TAUZIN, Aurélie , MAZEN, Frédéric
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： On décrit un procédé de formation d'une couche (26) de matériau semi-conducteur à partir d'un substrat (20), dit substrat donneur, en ce même matériau semi-conducteur, comportant : - la formation dans ledit substrat donneur, d'une zone (22) à forte concentration en lithium, avec une concentration comprise entre 5x10 18 atomes/cm 3 et 5x10 20 atomes/cm 3 , - puis une implantation d'hydrogène (24) dans le substrat donneur, dans, ou au voisinage de, la zone à forte concentration en lithium, - l'application d'un raidisseur (19) avec le substrat donneur, - l'application d'un budget thermique pour conduire au détachement de la couche (34) définie par l ' implantation.
摘要翻译：本发明涉及一种使用由相同半导体材料制成的被称为供体基板的基板（20）形成半导体层（26）的方法，该方法包括：在所述半导体层中形成具有高锂浓度的区域（22）所述区域中的锂浓度在5×10 18原子/ cm 3和5×1020原子/ cm 3之间; 接下来，将氢（24）注入到具有高锂浓度的区域中的供体底物内或附近; 将载体（19）施加到施主衬底上; 以及施加热预算以便分离由所述植入所限定的层（34）。

8. 发明申请

WO2009087290A1 PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE MICRO-ÉLECTRONIQUE IMPLIQUANT UN COLLAGE MOLÉCULAIRE 审中-公开
标题翻译：涉及分子结合的微电子结构的方法
公开(公告)号：WO2009087290A1
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：PCT/FR2008/001427
申请日：2008-10-10
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , RABAROT, Marc , DUBARRY, Christophe , MOULET, Jean-Sébastien , TAUZIN, Aurélie
发明人： RABAROT, Marc , DUBARRY, Christophe , MOULET, Jean-Sébastien , TAUZIN, Aurélie
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/31604 , H01L21/318 , H01L21/76254
摘要： Procédé de fabrication d'une structure micro-électronique comportant : la préparation d'une première structure (1 ) présentant en surface un premier matériau différent du silicium, la formation à la surface de cette première structure, par pulvérisation par faisceau d'ions (IBS), d'au moins une couche de revêtement (3) d'épaisseur inférieure à un micron en un second matériau, cette couche ayant une surface libre, le collage moléculaire de cette surface libre à une face d'une seconde structure (4), la couche de revêtement constituant, pour les première et seconde structures, une couche de collage.
摘要翻译：制造微电子结构的方法包括：制备具有与硅不同的第一材料表面的第一结构（1）; 该第一结构的表面上通过IBS（离子束溅射）形成由第二材料制成的厚度小于1微米的至少一个覆盖层（3），该层具有自由表面; 以及该自由表面与第二结构（4）的一个表面的分子键合，所述覆盖层构成第一和第二结构的接合层。

9. 发明申请

WO2005043615A1 PROCEDE DE TRANSFERT AUTOENTRETENU D'UNE COUCHE FINE PAR IMPULSION APRES IMPLANTATION OU CO-IMPLANTATION 审中-公开
标题翻译：在植被或共同植被后通过脉冲自支撑转移细小层的方法
公开(公告)号：WO2005043615A1
公开(公告)日：2005-05-12
申请号：PCT/FR2004/002779
申请日：2004-10-28
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , NGUYEN, Nguyet-Phuong , CAYREFOURCQ, Ian , LAGAHE-BLANCHARD, Christelle , BOURDELLE, Konstantin , TAUZIN, Aurélie , FOURNEL, Franck
发明人： NGUYEN, Nguyet-Phuong , CAYREFOURCQ, Ian , LAGAHE-BLANCHARD, Christelle , BOURDELLE, Konstantin , TAUZIN, Aurélie , FOURNEL, Franck
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： L'invention concerne un procédé de transfert auto-entretenu d'une couche fine selon lequel - on implante dans un substrat-source au moins une espèce d'ions avec une certaine dose, à une profondeur donnée par rapport à une face de ce substrat-source, - on applique un raidisseur en contact intime avec le substrat-source, - on applique un traitement thermique à ce substrat-source, à une température donnée pendant un temps donné, en sorte de créer, sensiblement à la profondeur donnée, une zone enterrée fragilisée, sans initier le détachement thermique de la couche fine, - on applique une impulsion contrôlée d'énergie à ce substrat-source, de manière localisée dans le temps, en sorte de provoquer le détachement auto-entretenu d'une couche fine délimitée entre la face et la couche enterrée fragilisée, vis-à-vis du reste du substrat-source.
摘要翻译：本发明涉及一种用于自支撑转移细层的方法，其中：根据一定剂量，至少一种离子以相对于源 - 衬底表面的给定深度注入到源衬底中 ; 施加与源底板紧密接触的加强件; 所述源衬底在给定的时间段内在给定温度下进行热处理，以便在基本上在所述给定深度处产生脆化的掩埋区域，而不会使细层变得热分离; 以时间上局部的方式将受控的能量脉冲施加到源极 - 衬底上，以便相对于源极 - 衬底的其余部分在表面和脆化的掩埋层之间限定的细层引起自支撑的分离。

10. 发明申请

WO2008093008A2 PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GAN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DÉPART 审中-公开
标题翻译：通过植入和再循环起始基板制备薄层的方法
公开(公告)号：WO2008093008A2
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：PCT/FR2007/002100
申请日：2007-12-18
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , TAUZIN, Aurélie , DECHAMP, Jérôme , MAZEN, Frédéric , MADEIRA, Florence
发明人： TAUZIN, Aurélie , DECHAMP, Jérôme , MAZEN, Frédéric , MADEIRA, Florence
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02032
摘要： Un procédé de fabrication d'une couche mince en GaN à partir d'un substrat de départ dont au moins une zone épaisse de surface longeant une face libre de substrat de départ est en GaN, comprend les étapes suivantes : bombardement de ladite face libre du substrat de départ avec des ions Hélium et Hydrogène, l'hélium étant implanté en premier dans l'épaisseur de ladite zone épaisse et l'hydrogène étant implanté en second, les doses d'hélium et d'hydrogène étant chacune comprise entre 1.1017 atomes/cm2 et 4.1017 atomes/cm2, application au substrat de départ d'un traitement de fracture propre à provoquer le détachement, vis-à-vis d'un reliquat du substrat de départ, de toute la partie de la zone épaisse de GaN située entre la face libre et la profondeur d'implantation de l'hélium et de l'hydrogène. L'hélium est avantageusement implanté à une dose au moins égale à celle d'hydrogène, et peut même être implanté seul.
摘要翻译：本发明涉及一种从起始衬底制备GaN薄层的方法，其中沿着起始衬底的自由面延伸的至少一个厚表面区域由GaN制成，所述方法包括以下步骤：轰击所述自由面的氦和氢原子的衬底，首先将氦注入到所述厚表面积的厚度中，随后注入氢，氦和氢的剂量各自在1.1017原子/ cm 2和4.1017原子/ cm 2之间变化; 将起始衬底提交到破裂过程，以便相对于起始衬底的残留物，引导位于自由面和氦之间的厚区域的全部部分以及氢注入深度。氦有利地以至少等于氢的剂量注入，并且也可以单独植入。

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