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    • 2. 发明申请
    • MICRO-STRUCTURE POUR GÉNÉRATEUR THERMOÉLECTRIQUE À EFFET SEEBECK ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE TELLE MICRO-STRUCTURE
    • 用于SEEBECK效应的热电发生器的微结构以及用于制造这种微结构的方法
    • WO2010142880A2
    • 2010-12-16
    • PCT/FR2010/050904
    • 2010-05-11
    • COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVESMINGO BISQUERT, NatalioCAROFF, TristanPLISSONNIER, MarcREMONDIERE, VincentWANG, Shidong
    • MINGO BISQUERT, NatalioCAROFF, TristanPLISSONNIER, MarcREMONDIERE, VincentWANG, Shidong
    • H01L35/32H01L35/34
    • H01L35/32H01L35/34
    • Ce procédé de fabrication d'une micro-structure (10) thermoélectrique comprend : la formation d'un support isolant (12) muni d'une première (18) et d'une seconde zone de connexion (20); la formation sur le support (12) d'un premier ensemble d'éléments conducteurs ou semi-conducteurs (14) s 'étendant parallèlement, et selon une première direction, de la première (18) à la seconde zone de connexion (20), et présentant un premier coefficient Seebeck; la formation sur le support (12) d'un second ensemble d'éléments conducteurs ou semi-conducteurs (22), isolés électriquement du premier ensemble, s'entendant parallèlement, et selon une seconde direction, différente de la première, de la première (18) à la seconde zone de connexion (20), et présentant un second coefficient Seebeck différent du premier; la réalisation dans les première et seconde zones de connexion (18, 20) d'éléments de connexion électrique (24), chacun ce ceux-ci connectant électriquement au moins un élément (14) du premier ensemble à au moins un élément (22) du second ensemble; deux éléments conducteurs ou semiconducteurs (14, 22) d'un même ensemble sont séparés, selon une direction prédéterminée, d'une distance (di, d2) moyenne prédéterminée dans les zones de connexion (18, 20); la dimension (P) des éléments de connexion (24) selon la direction prédéterminée est en moyenne supérieure au maximum des distances (d1, d2) moyennes séparant les éléments d'un même ensemble; et la distance (E) selon la direction prédéterminée entre les bords de deux éléments de connexion (24) est inférieure au minimum des distances (d1, d2) moyennes séparant les éléments d'un même ensemble.
    • 本发明涉及一种制造热电微结构(10)的方法,包括:形成设置有第一(18)和第二(20)连接区域的绝缘基板(12) 在所述基板(12)上形成从所述第一(18)到所述第二(20)连接区域平行延伸并且沿第一方向延伸的导体或半导体元件(14)的第一组件,并且具有第一塞贝克系数; 在所述基板(12)上形成导体或半导体元件(22)的第二组件,所述导体或半导体元件(22)从所述第一组件(18)至所述第二组件(22)从所述第一组件(18)平行延伸并且沿除第一组件 (20)连接区域,并且具有除了第一个塞贝克系数之外的第二塞贝克系数; 在第一和第二连接区域(18,20)中提供电连接元件(24),每个电连接元件(24)将第一组件的至少一个元件(14)与第二组件的至少一个元件(22)电连接 ; 其中单个组件的两个导体或半导体元件(14,22)在连接区域(18,20)中沿预定方向分开预定的平均距离(d1,d2); 连接元件(24)在预定方向上的平均尺寸(P)大于单个组件的元件之间的平均距离(d1,d2)的最大值; 并且两个连接元件(24)的边缘之间的预定方向上的距离(E)小于单个组件的元件之间的平均距离(d1,d2)的最小值。