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1. 发明申请

WO2003080748A1 PROCÉDÉ DE FIXATION DE MACRO-OBJETS SUR UNE SURFACE CONDUCTRICE OU SEMI-CONDUCTRICE DE L'ELECTRICITE PAR ÉLECTRO-GREFFAGE, SURFACES OBTENUES ET APPLICATIONS 审中-公开
标题翻译：通过电镀，电化学表面或半导体表面将大型物体固定在其上的方法及其应用
公开(公告)号：WO2003080748A1
公开(公告)日：2003-10-02
申请号：PCT/FR2003/000877
申请日：2003-03-19
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , BUREAU, Christophe , DENIAU, Guy , GONZALEZ, José , PALACIN, Serge
发明人： BUREAU, Christophe , DENIAU, Guy , GONZALEZ, José , PALACIN, Serge
IPC分类号： C09D5/44
CPC分类号： C09D5/4476 , Y10T29/49126 , Y10T29/49128 , Y10T29/49165 , Y10T428/12493
摘要： La présente invention est relative à un procédé de fixation de macro-objets sur une surface conductrice ou semi-conductrice de l'électricité, par électro-greffage, ainsi qu'aux surfaces conductrices ou semi-conductrices de l'électricité obtenues en mettant en oeuvre ce procédé et à leurs applications.
摘要翻译：本发明涉及一种通过电驱动将宏观物体固定到导电或半导电表面的方法。本发明还涉及使用上述方法获得的导电或半导体表面及其应用。

2. 发明申请

WO2005033378A1 PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM POLYMERE SUR UNE SURFACE CONDUCTRICE OU SEMI-CONDUCTRICE DE L'ELECTRICITE PAR ELECTRO-GREFFAGE, SURFACES OBTENUES ET APPLICATIONS 审中-公开
标题翻译：在表面上形成聚合物膜的方法，其电导率，表面获得的导电性或半导体电性，以及其应用
公开(公告)号：WO2005033378A1
公开(公告)日：2005-04-14
申请号：PCT/FR2004/002449
申请日：2004-09-28
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , BUREAU, Christophe , GONZALEZ, José , DENIAU, Guy
发明人： BUREAU, Christophe , GONZALEZ, José , DENIAU, Guy
IPC分类号： C25D13/08
CPC分类号： C09D5/4476 , C25D9/02 , Y10T428/265
摘要： La présente Invention est relative à un procédé de formation d'un film polymère sur une surface conductrice ou semi-conductrice de l'électricité par électro-greffage mettant en œuvre une solution électrolytique renfermant un acide de Brönsted en quantité sélectionnée, ainsi qu'aux surfaces conductrices ou semi-conductrices de l'électricité obtenues en mettant en œuvre ce procédé.
摘要翻译：本发明涉及一种在通过电移动传导或半导体电的表面上形成聚合物膜的方法。所述方法使用含有选定量的布朗斯台德酸的电解溶液。本发明还涉及通过所述方法获得的导电或半导体表面。

3. 发明申请

WO2007034116A3 COMPOSITION D'ELECTRODEPOSITION DESTINEE AU REVETEMENT D'UNE SURFACE D'UN SUBSTRAT PAR UN METAL 审中-公开
公开(公告)号：WO2007034116A3
公开(公告)日：2007-03-29
申请号：PCT/FR2006/050914
申请日：2006-09-20
申请人： ALCHIMER , DAVIOT, Jérôme , GONZALEZ, José
发明人： DAVIOT, Jérôme , GONZALEZ, José
IPC分类号： C25D5/24 , H01L21/288 , C25D3/38 , C25D7/12 , C25D5/54
摘要： La présente invention a pour objet une composition d'électrodéposition destinée notamment à revêtir une couche barrière de diffusion au cuivre dans la fabrication d'interconnexions pour des circuits intégrés. Selon l'invention, cette composition comprend, en solution dans un solvant : une source d'ions du cuivre, en une concentration comprise entre 0,4 et 40 mM ; au moins un agent complexant du cuivre choisi dans le groupe comprenant les aminés aliphatiques primaires, les aminés aliphatiques secondaires, les aminés aliphatiques tertiaires, les aminés aromatiques, les hétérocycles azotés et les oximes ; le rapport molaire entre le cuivre et le (s) agent (s) complexant (s) étant compris entre 0,1 et 2,5 ; de préférence entre 0,3 et 1,3 ; le pH de ladite composition étant inférieur à 7, de préférence compris entre 3,5 et 6,5. Application : domaine de la microélectronique.

4. 发明申请

WO2010001054A2 PROCEDE DE PREPARATION D'UN FILM ISOLANT ELECTRIQUE ET APPLICATION POUR LA METALLISATION DE VIAS TRAVERSANTS 审中-公开
标题翻译：制备电绝缘膜的方法和金属化的应用
公开(公告)号：WO2010001054A2
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：PCT/FR2009/051279
申请日：2009-07-01
申请人： ALCHIMER , MEVELLEC, Vincent , GONZALEZ, José , SUHR, Dominique
发明人： MEVELLEC, Vincent , GONZALEZ, José , SUHR, Dominique
IPC分类号： C09D5/44 , C25D7/12 , H01L21/288 , C25D13/04 , C25D13/08 , H01L21/02 , H01L23/52
CPC分类号： H01L21/02118 , C25D7/123 , C25D13/18 , H01L21/02282 , H01L21/288 , H01L21/312 , H01L21/76843 , H01L21/76898 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： La présente invention concerne essentiellement un procédé de préparation d'un film isolant électrique à la surface d'un substrat conducteur ou semiconducteur de l'électricité, tel qu'un substrat de silicium. Selon l'invention, ce procédé comprend : a) la mise en contact de ladite surface avec une solution liquide comprenant : un solvant protique; au moins un sel de diazonium; au moins un monomère polymérisable en chaîne et soluble dans ledit solvant protique; au moins un acide en une quantité suffisante pour stabiliser ledit sel de diazonium par ajustement du pH de ladite solution à une valeur inférieure à 7, de préférence inférieure à 2,5; b) la polarisation de ladite surface selon un mode potentio- ou galvano-pulsé pendant une durée suffisante pour former un film présentant une épaisseur d'au moins 60 nanomètres, et de préférence comprise entre 80 et 500 nanomètres. Application : Métallisation de vias traversants, notamment de circuits intégrés 3D.
摘要翻译：本发明主要涉及在导电或半导体衬底（例如硅衬底）的表面上制备电绝缘膜的方法。根据本发明，该方法包括以下步骤：a）使所述表面与液体溶液接触，所述液体溶液包括：质子溶剂，至少一种重氮盐，至少一种可溶于所述质子溶剂中的一链可聚合单体，以及通过将所述溶液的pH调节至低于7，优选低于2.5的值，足以稳定所述重氮盐的至少一种酸; 和b）所述表面以脉冲恒电位或恒电流模式极化，时间足以形成厚度为至少60纳米，优选为80至500纳米的膜。应用：通孔的金属化，特别适用于3-D集成电路。

5. 发明申请

WO2007096390A1 METHOD AND COMPOSITIONS FOR DIRECT COPPER PLATING AND FILLING TO FORM INTERCONNECTS IN THE FABRICATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES 审中-公开
标题翻译：用于直接镀铜和填充以形成半导体器件制造中的互连的方法和组合
公开(公告)号：WO2007096390A1
公开(公告)日：2007-08-30
申请号：PCT/EP2007/051681
申请日：2007-02-21
申请人： ALCHIMER , GONZALEZ, José , MONCHOIX, Hervé
发明人： GONZALEZ, José , MONCHOIX, Hervé
IPC分类号： C25D3/38 , C25D5/54 , C25D5/18
CPC分类号： C25D3/38 , C25D5/18 , C25D5/54 , H01L21/2885 , H01L21/76877
摘要： The object of the present invention is a method and compositions for direct copper plating and filling to form interconnects in the fabrication of semiconductor devices. According to the invention, this method comprises : providing an electrolytic copper bath containing, in solution in a solvent, a source of copper ions with a concentration of between 45 and 200 mM, preferably of between 45 and 100 mM and at least one copper complexing agent which is an aliphatic polyamine having 2 to 4 amine functions with a concentration of between 30 and 200 mM, preferably of between 60 and 200 mM; the copper/complexing agent (s) molar ratio being of between 0.2 and 2, preferably between 0.3 and 1.5; bringing a copper diffusion barrier layer of a substrate into contact with said electrolytic copper bath, applying an electrical bias to the substrate for a duration adjusted according to the thickness of copper to be electroplated, removing the substrate from said electrolytic copper bath.
摘要翻译：本发明的目的是在半导体器件的制造中直接镀铜和填充以形成互连的方法和组合物。根据本发明，该方法包括：提供一种在溶剂中含有浓度为45-200mM，优选45-100mM的铜离子源和至少一种铜络合物的铜离子源的电解铜浴其是具有2至4个胺官能团的脂族多胺，其浓度为30至200mM，优选为60至200mM; 铜/络合剂的摩尔比为0.2至2，优选0.3至1.5; 使基板的铜扩散阻挡层与所述电解铜浴接触，将电偏压施加到所述基板上，持续时间根据要电镀的铜的厚度调整，从所述电解铜浴移除所述基板。

6. 发明申请

WO2011154493A1 COPPER-ELECTROPLATING COMPOSITION AND PROCESS FOR FILLING A CAVITY IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE USING THIS COMPOSITION 审中-公开
标题翻译：铜电镀组合物和使用该组合物在半导体衬底中填充空穴的方法
公开(公告)号：WO2011154493A1
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：PCT/EP2011/059581
申请日：2011-06-09
申请人： ALCHIMER , FREDERICH, Nadia , RAYNAL, Frédéric , GONZALEZ, José
发明人： FREDERICH, Nadia , RAYNAL, Frédéric , GONZALEZ, José
IPC分类号： C25D3/38 , C25D7/12 , H01L21/288 , H01L21/768
CPC分类号： C25D7/12 , C25D3/38 , C25D7/123 , H01L21/2885 , H01L21/76898
摘要： The subject-matter of the present invention is a composition especially intended for filling, by the electroplating of copper, a cavity in a semiconductor substrate such as a "through-via" structure for the production of interconnects in three-dimensional integrated circuits. According to the invention, this composition comprises in solution in a solvent: - copper ions in a concentration lying between 45 and 1500 mM; - a complexing agent for the copper consisting of at least one compound chosen from aliphatic polyamines having 2 to 4 amino groups, preferably ethylenediamine, in a concentration lying between 45 and 3000 mM; - the molar ratio between the copper and said complexing agent lying between 0.1 and 5; - thiodiglycolic acid in a concentration lying between 1 and 500 mg/l; and - optionally a buffer system, in particular ammonium sulfate, in a concentration lying between 0.1 and 3M. Application: fabrication of three-dimensional integrated circuits for the electronics industry.
摘要翻译：本发明的主题是特别旨在通过铜的电镀来填充诸如“通孔”结构的半导体衬底中的空腔的组合物，用于在三维集成电路中制造互连。根据本发明，该组合物包含在溶剂中的溶液： - 浓度在45和1500mM之间的铜离子; - 铜的络合剂，其由至少一种选自具有2-4个氨基的脂族多胺，优选乙二胺的化合物组成，浓度为45-3000mM; - 铜和所述络合剂之间的摩尔比在0.1和5之间; - 硫二甘醇酸，浓度在1至500mg / l之间; 和 - 任选的浓度在0.1和3M之间的缓冲系统，特别是硫酸铵。应用：为电子工业制造三维集成电路。

7. 发明申请

WO2007034117A3 PROCEDE D'ELECTRODEPOSITION DESTINE AU REVETEMENT D'UNE SURFACE D'UN SUBSTRAT PAR UN METAL 审中-公开
公开(公告)号：WO2007034117A3
公开(公告)日：2007-03-29
申请号：PCT/FR2006/050915
申请日：2006-09-20
申请人： ALCHIMER , MONCHOIX, Hervé , RAYNAL, Frédéric , DAVIOT, Jérôme , GONZALEZ, José
发明人： MONCHOIX, Hervé , RAYNAL, Frédéric , DAVIOT, Jérôme , GONZALEZ, José
IPC分类号： C25D5/18 , H01L21/288 , C25D5/54
摘要： La présente invention a pour objet un procédé de revêtement par électrodéposition d'une surface d'un substrat par du cuivre. Selon l'invention, ce procédé comprend : une étape au cours de laquelle ladite surface à revêtir est mise en contact sans polarisation électrique avec un bain d 'électrodéposition ; une étape de formation du revêtement au cours de laquelle ladite surface est polarisée; une étape au cours de laquelle ladite surface est séparée du bain d'électrodéposition sous polarisation électrique ; le bain d'électrodéposition précité comprenant en solution dans un solvant : une source d'ions du cuivre, en une concentration de 0,4 à 40 mM ; au moins un agent complexant du cuivre.

8. 发明申请

WO2011018478A1 ELECTROLYTE AND METHOD FOR THE ELECTROPLATING OF COPPER ON A BARRIER LAYER, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE OBTAINED WITH SAID METHOD 审中-公开
标题翻译：用于电镀铜箔的电解质和方法以及用方法获得的半导体衬底
公开(公告)号：WO2011018478A1
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：PCT/EP2010/061693
申请日：2010-08-11
申请人： ALCHIMER , GONZALEZ, José , MEVELLEC, Vincent , RAYNAL, Frédéric
发明人： GONZALEZ, José , MEVELLEC, Vincent , RAYNAL, Frédéric
IPC分类号： C25D3/38 , C25D7/12 , H01L21/288 , H01L21/768
CPC分类号： C25D7/123 , C25D3/38 , H01L21/2885 , H01L21/76873 , H01L21/76877
摘要： The invention relates to an electrolyte for copper electroplating on a copper diffusion barrier layer (B), the barrier layer (B) covering a surface of a semiconductor substrate (S), said electrolyte comprising: - a source of copper ions, - a solvent, wherein the electrolyte has a neutral or basic pH and comprises a suppressor (10) adapted to adsorb directly on the barrier layer (B) so as to at least partially mask the surface of the barrier layer (B). The invention also relates to a method for the electroplating of copper on a barrier layer using said electrolyte, and a semiconductor substrate comprising a copper layer formed using said method.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在铜扩散阻挡层（B）上进行铜电镀的电解质，所述阻挡层（B）覆盖半导体衬底（S）的表面，所述电解质包括： - 铜离子源， - 溶剂，其中所述电解质具有中性或碱性pH，并且包括适于直接吸附在所述阻挡层（B）上以至少部分地掩蔽所述阻挡层（B）的表面的抑制剂（10）。本发明还涉及使用所述电解质在阻挡层上电镀铜的方法，以及包括使用所述方法形成的铜层的半导体衬底。

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