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1. 发明申请

WO2012098062A3 SUBSTRATE FOR MIRRORS FOR EUV LITHOGRAPHY 审中-公开
公开(公告)号：WO2012098062A3
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：PCT/EP2012/050533
申请日：2012-01-14
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , EKSTEIN, Claudia , MALTOR, Holger
发明人： EKSTEIN, Claudia , MALTOR, Holger
IPC分类号： C22C9/00 , C22C21/00 , C22C29/00 , G02B5/08
摘要： Substrates which are suitable for mirrors used at wavelengths in the EUV wavelength range are substrates (1) comprising a base body (2) in which the base body (2) is made of a precipitation-hardened alloy, of an intermetallic phase of an alloy system, of a particulate composite or of an alloy having a composition which, in the phase diagram of the corresponding alloy system, lies in a region which is bounded by phase stability lines. It is particularly preferable for the base body (2) to be made of a precipitation-hardened copper or aluminum alloy. In addition, a highly reflective layer (6) is provided on the polishing layer (3) of the substrate (1) of the EUV mirror (5).

2. 发明申请

WO2012028613A1 SUBSTRAT FÜR SPIEGEL FÜR DIE EUV-LITHOGRAPHIE 审中-公开
标题翻译：基板MIRROR EUV光刻
公开(公告)号：WO2012028613A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/EP2011/064904
申请日：2011-08-30
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , EKSTEIN, Claudia , LIPPERT, Johannes , MALTOR, Holger , WEISER, Martin , SIEKMANN, Heiko , DINGER, Udo
发明人： EKSTEIN, Claudia , LIPPERT, Johannes , MALTOR, Holger , WEISER, Martin , SIEKMANN, Heiko , DINGER, Udo
IPC分类号： G03F7/20 , G02B5/08
CPC分类号： G02B5/0891 , G02B5/0808 , G03F7/70891 , G03F7/70958 , G21K1/06
摘要： Als Substrate, die für Spiegel geeignet sind, die bei Wellenlängen im EUV- Wellenlängenbereich eingesetzt werden, werden Substrate (1) mit einem Grundkörper (2) und einer Polierschicht (3) vorgeschlagen, wobei die Polierschicht (3) eine Dicke von weniger als 10 μm und eine quadratische Rauheit von weniger als 0, 5 nm aufweist und der Grundkörper (2) aus einer Aluminiumlegierung hergestellt ist. Auf der Polierschicht (3) des Substrats (1) des EUV-Spiegels (4) ist zudem eine hochreflektierende Schicht (6) vorgesehen.
摘要翻译：适合于反射镜，它们在在EUV波长范围内的波长中使用的合适底物，底物（1）提出了一种具有一个基体（2）和抛光层（3），其中，所述抛光层（3）的厚度小于10 具有微米和方粗糙度小于0，5纳米，和由铝合金制成的基体（2）。在EUV反射镜（4）还包括（6）提供一种高反射层的与衬底（1）的抛光层（3）。

3. 发明申请

WO2012101090A1 PROCESS FOR PRODUCING A SUBSTRATE FOR A REFLECTIVE OPTICAL ELEMENT FOR EUV LITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：用于生成用于EUV光刻的反射光学元件的基板的方法
公开(公告)号：WO2012101090A1
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：PCT/EP2012/050968
申请日：2012-01-23
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , MALTOR, Holger , EKSTEIN, Claudia
发明人： MALTOR, Holger , EKSTEIN, Claudia
IPC分类号： B24B7/24 , C03C15/02 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70691 , G02B5/0891 , G02B17/0657 , G03F7/70783 , G03F7/708 , G03F7/70958
摘要： In order to counteract subsequent deformations, a process for producing a substrate for a reflective optical element for EUV lithography is proposed comprising the following steps: a block of material is provided; a surface of an area of at least 100 cm 2 of the block of material is machined by stress-free material removal on the surface with a removal rate of at least 0.5 μm/h; the block of material is machined further. In preferred embodiments, before the stress-free machining step, the surface of the block of material is machined by stress-inducing material removal on the surface.
摘要翻译：为了抵消随后的变形，提出了一种用于制造用于EUV光刻的反射光学元件的衬底的方法，包括以下步骤：提供一块材料; 至少100cm2的材料块的表面通过在表面上的无应力材料去除以至少0.5μm/ h的去除速率加工; 材料块进一步加工。在优选实施例中，在无应力加工步骤之前，通过在表面上去除应力诱导材料来加工材料块的表面。

4. 发明申请

WO2008113858A2 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG EINES ELEMENTS MIT MINDESTENS EINER FREIFORMFLÄCHE MIT HOHER FORMGENAUIGKEIT UND GERINGER OBERFLÄCHENRAUHIGKEIT 审中-公开
标题翻译：方法和设备制作元件与至少一个自由形式表面的高形状精度和表面粗糙度低
公开(公告)号：WO2008113858A2
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/EP2008/053398
申请日：2008-03-20
申请人： CARL ZEISS SMT AG , BÖHM, Thure , BURKART, Stefan , MANN, Hans-Jürgen , CHAN, Danny , MALTOR, Holger
发明人： BÖHM, Thure , BURKART, Stefan , MANN, Hans-Jürgen , CHAN, Danny , MALTOR, Holger
IPC分类号： B24B13/00
CPC分类号： B24B13/0043 , Y10T428/24355
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Elements mit mindestens einer beliebig frei geformten Fläche (Freiformfläche) mit hoher Formgenauigkeit und geringer Oberflächenrauhigkeit sowie ein optisches Element mit einer optischen Freiformfläche und eine Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem entsprechenden optischen Element, wobei die Freiformfläche durch mindestens einen ersten Bearbeitungsschritt mit einem formgebenden Materialbearbeitungsverfahren, bei dem zumindest eine Annäherung an die gewünschte Freiformfläche (Zielform) erfolgt, und mindestens einem zweiten Schritt mit einem die Oberfläche glättenden Materialbearbeitungsverfahren erhalten wird, wobei mindestens während eines zweiten Bearbeitungsschrittes der glättenden Materialbearbeitung das zu bearbeitende Element (1) durch Krafteinleitung derart elastisch verspannt ist, dass die zu glättende Freiformfläche durch Glättprozesse für sphärische, plane oder asphärische Oberflächen bearbeitbar ist. Die Erfindung betrifft ferner eine entsprechende Vorrichtung zum Glätten einer beliebig frei geformten Fläche (Freiformfläche) eines Elements mit hoher Formgenauigkeit und geringer Oberflächenrauhigkeit mit einer Halterung zur Aufnahme des zu bearbeitenden Elements und einem Glättwerkzeug zur glättenden Bearbeitung der Freiformfläche, wobei die Aufnahme mindestens einen Aktor (6) zur Ausübung einer Kraft auf das zu bearbeitende Element aufweist, so dass das zu bearbeitende Element in eine intermediäre Form (2") elastisch verspannt ist, so dass die zu glättende Freiformfläche mit dem Glättwerkzeug durch Glättprozesse für sphärische, plane oder asphärische Oberflächen bearbeitbar ist.
摘要翻译：本发明涉及一种用于具有至少一个任意地自由形成的表面（自由曲面）与形式和低的表面粗糙度的精度高以及具有用于微光刻光学自由形式表面和投射曝光系统与相应的光学元件，其中，所述自由形态的表面由光学元件产生的元件至少用模制材料处理方法，其中至少一个近似为所需的自由形式表面（目标形状）的第一加工步骤中进行，和至少一个第二步骤中，用表面平滑化，其中在平滑材料处理元件的第二处理步骤，用于至少编辑材料的加工方法获得的（1）通过的力，该自由曲面以通过平滑球形，平面，或一个进程被平滑应用弹性支撑球形表面是可编辑的。本发明还涉及一种相应的装置，用于保持待加工的构件和用于自由形式表面的平滑化处理的平滑化工具，其中所述接收至少一个致动器平滑用的保持件的形式和低的表面粗糙度的精度高的元件的任意自由曲面（自由曲面）（ 6），用于在元件上施加力，以进行处理，从而使待处理的部件（在中间形式2“）被弹性地通过平滑球形，平面，或非球面表面处理强调与平滑工具处理，使得被平滑的自由曲面是。

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