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1. 发明申请

WO2012104136A1 MIRROR FOR THE EUV WAVELENGTH RANGE, METHOD FOR PRODUCING SUCH A MIRROR, PROJECTION LENS FOR MICROLITHOGRAPHY COMPRISING SUCH A MIRROR, AND PROJECTION EXPOSURE APPARATUS FOR MICROLITHOGRAPHY COMPRISING SUCH A PROJECTION LENS 审中-公开
标题翻译：用于EUV波长范围的镜子，用于生产这样的镜子的方法，用于包含这种镜子的微观尺寸的投影镜头和用于包含这样的投影镜头的微结构的投影曝光装置
公开(公告)号：WO2012104136A1
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：PCT/EP2012/050573
申请日：2012-01-16
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , MÜLLENDER, Stephan , ENKISCH, Hartmut , DIER, Oliver , WEBER, Jörn
发明人： MÜLLENDER, Stephan , ENKISCH, Hartmut , DIER, Oliver , WEBER, Jörn
IPC分类号： G02B17/06 , G02B5/08
CPC分类号： G02B5/0875 , G02B5/0891 , G02B17/0657 , G21K1/062
摘要： The invention relates to a mirror (1a; 1b; 1c; 1d) for the EUV wavelength range having a reflectivity of greater than 40% for at least one angle of incidence of between 0° and 25°, comprising a substrate (S) and a layer arrangement, wherein the layer arrangement comprises at least one layer subsystem (ASL) consisting of a periodic sequence of at least two periods (PASL) of individual layers (LASL, B, HASL) composed of different materials, and wherein the layer subsystem (ASL) has an oxygen doping of between 10 ppb and 0.1 %, in particular between 50 ppb and 50 ppm. Furthermore, the invention relates to a method for coating a mirror (1a; 1b; 1c: 1d) for the EUV wavelength range, wherein an oxygen partial pressure of greater than 10 -9 mbar, in particular of greater than 10 -7 mbar, is present during the coating of the layer subsystem (ASL) with oxygen doping. Furthermore, the invention relates to a projection lens for micro lithography comprising such a mirror, and to a projection exposure apparatus comprising such a projection lens.
摘要翻译：本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射镜（1a; 1b; 1c; 1d），其对于至少一个入射角在0°至25°之间的反射率大于40％，包括基底（S）和层布置，其中所述层布置包括由由不同材料组成的单个层（LASL，B，HASL）的至少两个周期（PASL）的周期性序列组成的至少一个层子系统（ASL），并且其中所述层子系统（ASL）的氧掺杂在10ppb和0.1％之间，特别是在50ppb和50ppm之间。此外，本发明涉及一种用于EUV波长范围的用于涂覆反射镜（1a; 1b; 1c：1d）的方法，其中大于10-9毫巴，特别是大于10-7毫巴的氧分压，在具有氧掺杂的层子系统（ASL）的涂覆期间存在。此外，本发明涉及一种包括这种反射镜的微光刻用投影透镜以及包括这种投影透镜的投影曝光装置。

2. 发明申请

WO2015075214A1 REFLEKTIVES OPTISCHES ELEMENT, SOWIE OPTISCHES SYSTEM EINER MIKROLITHOGRAPHISCHEN PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE 审中-公开
标题翻译：反射光学元件，以及微光刻投射曝光设备的光学系统
公开(公告)号：WO2015075214A1
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：PCT/EP2014/075356
申请日：2014-11-24
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , ENKISCH, Hartmut , PAUL, Hans-Jochen , SCHICKETANZ, Thomas , DIER, Oliver , WEBER, Jörn , GRASSE, Christian , WINTER, Ralf , STROBEL, Sebastian
发明人： ENKISCH, Hartmut , PAUL, Hans-Jochen , SCHICKETANZ, Thomas , DIER, Oliver , WEBER, Jörn , GRASSE, Christian , WINTER, Ralf , STROBEL, Sebastian
IPC分类号： G03F7/20 , G21K1/06
CPC分类号： G03F7/7015 , G02B5/0875 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G21K1/062
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein reflektives optisches Element sowie ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage. Ein reflektives optisches Element weist ein Substrat (52) und ein auf diesem Substrat angeordnetes Viellagensystem (51) auf, wobei das Viellagensystem (51) eine Mehrzahl von Teilstapeln aus jeweils einer ersten Lage (54) eines ersten Materials und wenigstens einer zweiten Lage (55) eines zweiten Materials aufweist, wobei sich das erste Material und das zweite Material im Wert des Realteils des Brechungsindex bei einer Arbeitswellenlänge des reflektiven optischen Elements (50) voneinander unterscheiden, wobei jeder dieser Teilstapel (53) eine Teilstapeldicke (D i ) und ein Lagendickenverhältnis (Γ i ) aufweist, wobei das Lagendickenverhältnis (Γ i ) als Quotient der Dicke der jeweiligen ersten Lage (54) und der Teilstapeldicke (D i ) definiert ist, wobei in einem ersten Abschnitt des Viellagensystems (51) für wenigstens eine der beiden Größen Teilstapeldicke (D i ) und Lagendickenverhältnis (Γ i ) die mittlere quadratische Abweichung vom jeweiligen Mittelwert um wenigstens 10% kleiner ist als in einem zweiten Abschnitt des Viellagensystems (51); und wobei das reflektive optische Element (50) eine Reflektivität (R) aufweist, deren Wellenlängenabhängigkeit in einem Wellenlängenintervall von Δλ = 0.5nm einen PV-Wert kleiner als 0.25 besitzt, wobei der PV-Wert definiert ist als PV = (R max_rel - R min_rel )/R max_abs , wobei R max_rel den maximalen Reflektivitätswert in diesem Wellenlängenintervall Δλ, R min_rel den minimalen Reflektivitätswert in diesem Wellenlängenintervall Δλ und R max_abs den absolut maximalen Reflektivitätswert bezeichnen.
摘要翻译：本发明涉及一种反射光学元件和微光刻投射曝光设备的光学系统。一种反射光学元件包括基底（52）和设置在阀所述衬底的多层系统（51），所述多层系统（51）包括多个亚电池堆的每个包括第一材料的第一层（54）和至少一个第二层（55 ）第二材料，其中所述第一材料和在所述反射光学元件的工作波长的折射率的实数部分的值的第二材料（50）彼此不同，每个所述子叠层（53）（一个局部堆叠厚度（DI）和一个层厚度比 γI），其中所述片材厚度之比（γI）被定义为相应的第一层（54）和部件层叠厚度（DI），的厚度的比率，其中在所述多层系统（51），用于所述两个尺寸部分堆叠厚度中的至少一个的第一部分（DI）和位置厚度比（γI），根均从各自的均方差的至少10％是小比在多层系统（51）的第二部分; 并且其中，所述反射光学元件（50）具有一个反射率（R），其波长依赖性在波长间隔Δλ= 0.5nm的PV值具有小于0.25，其中，所述PV值被定义为PV =（Rmax_rel - Rmin_rel） / Rmax_abs其中Rmax_rel在该波长间隔Δλ，Rmin_rel最大反射率表示在该波长间隔Δλ最小反射率和Rmax_abs绝对最大反射率。

3. 发明申请

WO2017009014A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES SPIEGELS, INSBESONDERE FÜR EINE MIKROLITHOGRAPHISCHE PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE 审中-公开
标题翻译：制造方法MIRROR，尤其是对于微光刻投射曝光设备
公开(公告)号：WO2017009014A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：PCT/EP2016/064385
申请日：2016-06-22
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , DIER, Oliver , GRASSE, Christian , WEBER, Jörn , SIX, Stephan
发明人： DIER, Oliver , GRASSE, Christian , WEBER, Jörn , SIX, Stephan
IPC分类号： G03F7/20 , G21K1/06
CPC分类号： G03F7/70316 , G03F7/70958 , G21K1/062
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Spiegels sowie einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage. Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren wird in einer Beschichtungsanlage ein Spiegelsubstrat durch Aufbringen eines vorgegebenen Schichtaufbaus zur Erzielung eines vorgegebenen Soll-Schichtdickenprofils des Spiegels beschichtet, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Virtuelles Unterteilen des vorgegebenen Schichtaufbaus in wenigstens zwei Schichtsysteme (610, 710, 620, 720, 730), und Beschichten des Spiegelsubstrats (605, 705) durch Aufbringen der wenigstens zwei Schichtsysteme unter Vorgabe unterschiedlicher Einzel-Soll-Schichtdickenprofile für diese Schichtsysteme, wobei diese Einzel-Soll-Schichtdickenprofile so gewählt werden, dass sich die jeweiligen Abweichungen der Einzel-Soll-Schichtdickenprofile von dem vorgegebenen Soll-Schichtdickenprofil in ihrem Beitrag zur Wellenfrontwirkung des Spiegels wenigstens teilweise kompensieren.
摘要翻译：本发明涉及一种制造反射镜和反射镜，特别是用于微光刻投射曝光设备的方法。 710，620，720虚拟分割所述规定层结构在至少两个层系统（610：在涂布系统中的本发明的方法中，反射镜衬底是通过施加预定的层结构，用于实现所述反射镜的预定的期望层厚度分布涂覆，所述方法包括以下步骤，730），以及镜基板（605的涂层，705），通过不同的各个目标层厚度分布对于这些层系统，其中，这些单独的目标层厚度分布被选择为使得规范应用所述至少两层系统中的单个的各自的偏差期望层厚度分布从预定的期望层厚度分布在其对波阵面的镜面效果的贡献至少部分地补偿。

4. 发明申请

WO2016023840A1 REFLEKTIVES OPTISCHES ELEMENT 审中-公开
标题翻译：反射光学元件
公开(公告)号：WO2016023840A1
公开(公告)日：2016-02-18
申请号：PCT/EP2015/068306
申请日：2015-08-07
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , EHM, Dirk Heinrich , BECKER, Moritz , AMENT, Irene , VON BLANCKENHAGEN, Gisela , WEBER, Jörn
发明人： EHM, Dirk Heinrich , BECKER, Moritz , AMENT, Irene , VON BLANCKENHAGEN, Gisela , WEBER, Jörn
IPC分类号： G02B5/08 , G03F7/20 , G02B27/00
CPC分类号： G03F7/702 , G02B5/0875 , G02B5/0891 , G02B27/0006 , G03F7/7015 , G03F7/70925 , G03F7/70958 , G03F2007/2067
摘要： Die Erfindung betrifft ein reflektives optisches Element, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage oder für eine Maskeninspektionsanlage. Ein erfindungsgemäßes reflektives optisches Element (100) weist ein Substrat (101), ein Reflexionsschichtsystem (110) und eine Defektstruktur (120) aus kanalförmigen Defekten (121) auf, welche sich von der optischen Wirkfläche (100a) oder einer dem Substrat (101) zugewandten Grenzfläche bis in das Reflexionsschichtsystem (110) hinein erstrecken und ein Austreten von Fremdatomen aus dem Reflexionsschichtsystem (110) heraus ermöglichen, wobei die kanalförmigen Defekte (121) einen für das Austreten von Fremdatomen aus dem Reflexionsschichtsystem (110) charakteristischen Diffusionskoeffizienten im Vergleich zu einem analogen Schichtaufbau ohne diese kanalförmigen Defekte um wenigstens 20% erhöhen.
摘要翻译：本发明涉及一种反射光学元件，特别是用于微光刻投射曝光系统或用于掩模检查系统。根据本发明的反射光学元件（100）包括：基板（101），反射层系统（110）和信道状缺陷的缺陷结构（120），（121），其从光学有效区域（100A）或基板（101）在延伸和从所述反射层系统（110）的杂质泄漏输出使能，面向接口到反射层系统（110），其中，所述通道形的缺陷（121）一个用于从所述反射层系统（110）特性的扩散系数的杂质的逃逸相比于增加模拟层结构没有至少这些通道状缺陷20％。

5. 发明申请

WO2011073157A1 REFLECTIVE OPTICAL ELEMENT FOR EUV LITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：反射光学元件的EUV光刻
公开(公告)号：WO2011073157A1
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：PCT/EP2010/069553
申请日：2010-12-13
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , WEBER, Jörn
发明人： WEBER, Jörn
IPC分类号： G02B5/08 , G03F7/20
CPC分类号： G02B5/0891 , B82Y30/00 , G02B1/10 , G02B1/105 , G02B1/14 , G02B5/0816 , G03F7/70233 , G03F7/70316 , G03F7/70958
摘要： A reflective optical element for a working wavelength in the soft X-ray and extreme ultraviolet wavelength rangeforms a stress-reduced reflective optical element for EUV lithography, comprising a first multilayer system (4) of at least two alternating materials (41, 42) having different real parts of the refractive index at the working wavelength on a substrate (2), which exerts a layer stress on the substrate (2), and a second multilayer system (6) of at least two alternating materials (61, 62) on the substrate (2), which exerts an opposed layer stress on the substrate (2) and is arranged between the first system (4) and the substrate (2), wherein a first (61) of the at least two materials of the second system (6) is interrupted by layers (62) having a thickness of up to 1 nm of the at least one further material of the second system (6) at such distances that the first material is present in an amorphous state. In a second embodiment one of the materials (61) of the second multilayer system (6) is nickel or a nickel alloy.
摘要翻译：用于在软X射线和极紫外波长范围内的工作波长的反射光学元件形成用于EUV光刻的应力减小的反射光学元件，包括至少两个交替材料（41,42）的第一多层系统（4），其具有在基板（2）上的工作波长处的折射率的不同实部，其在基板（2）上施加层应力，以及至少两个交替材料（61,62）的第二多层系统（6）所述基板（2）在所述基板（2）上施加相对的层应力并且布置在所述第一系统（4）和所述基板（2）之间，其中所述第二（61）所述第二系统（6）被第二系统（6）的至少一种另外的材料的厚度高达1nm的层（62）中断，使得第一材料以非晶状态存在。在第二实施例中，第二多层系统（6）的材料（61）之一是镍或镍合金。

6. 发明申请

WO2021259634A1 OPTISCHES ELEMENT FÜR EINE EUV-PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE 审中-公开
公开(公告)号：WO2021259634A1
公开(公告)日：2021-12-30
申请号：PCT/EP2021/065352
申请日：2021-06-08
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： ENKISCH, Hartmut , HOFFMANN, Sandro , WEBER, Jörn , STROBEL, Sebastian , RIBOW, Mirko , NOTTBOHM, Christoph , STURM, Matthias , KRAUSE, Michael
IPC分类号： G03F7/20 , G21K1/06 , G02B5/08 , G02B5/18 , G02B27/425 , G02B5/0891 , G02B5/1838 , G02B5/1857 , G02B5/203 , G02B5/208 , G03F7/70158 , G03F7/70175 , G03F7/70575 , G21K1/062 , G21K2201/064 , G21K2201/067
摘要： Bei einem Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage wird eine formgebende Schicht (221) derart auf ein Substrat (20) aufgebracht, dass sie direkt nach dem Aufbringen auf das Substrat (20) eine Oberflächenrauheit von maximal 0,5 nm rms aufweist.

7. 发明申请

WO2017186439A1 OPTISCHES ELEMENT UND OPTISCHE ANORDNUNG DAMIT 审中-公开
标题翻译：光学元件及其光学安装
公开(公告)号：WO2017186439A1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：PCT/EP2017/057277
申请日：2017-03-28
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： GRASSE, Christian , DIER, Oliver , WEBER, Jörn , WINTER, Ralf
IPC分类号： G02B1/16 , G21K1/06 , G02B5/08 , G03F7/20
摘要： Die Erfindung betrifft ein optisches Element (14), insbesondere für die EUV-Lithographie, umfassend: ein Substrat (15), eine auf das Substrat (15) aufgebrachte reflektierende Beschichtung (16), sowie eine sich zwischen dem Substrat (15) und der reflektierenden Beschichtung (16) erstreckende elektrisch leitende Beschichtung (19), die mindestens eine erste, unter Zugspannung stehende Schicht (22a) und mindestens eine zweite, unter Druckspannung stehende Schicht (22b) aufweist. Die elektrisch leitende Beschichtung (19) weist mindestens einen Abschnitt (20) auf, der sich an dem Substrat (15) seitlich über die reflektierende Beschichtung (16) hinaus erstreckt. Die Erfindung betrifft auch eine optische Anordnung, insbesondere ein EUV-Lithographiesystem, mit mindestens einem solchen optischen Element (14).
摘要翻译：本发明涉及一种尤其用于EUV光刻的光学元件（14），包括：衬底（15），施加到衬底（15）的反射涂层（16），以及在基底（15）和反射涂层（16）之间延伸的导电涂层（19），其包括至少第一张紧层（22a）和至少第二压缩应力层（22b）。导电涂层（19）具有至少一个横向延伸超过衬底（15）上的反射涂层（16）的部分（20）。本发明还涉及一种光学装置，特别是EUV光刻系统，其具有至少一个这样的光学元件（14）

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