发明申请
WO2012104136A1 MIRROR FOR THE EUV WAVELENGTH RANGE, METHOD FOR PRODUCING SUCH A MIRROR, PROJECTION LENS FOR MICROLITHOGRAPHY COMPRISING SUCH A MIRROR, AND PROJECTION EXPOSURE APPARATUS FOR MICROLITHOGRAPHY COMPRISING SUCH A PROJECTION LENS
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： MIRROR FOR THE EUV WAVELENGTH RANGE, METHOD FOR PRODUCING SUCH A MIRROR, PROJECTION LENS FOR MICROLITHOGRAPHY COMPRISING SUCH A MIRROR, AND PROJECTION EXPOSURE APPARATUS FOR MICROLITHOGRAPHY COMPRISING SUCH A PROJECTION LENS
- 专利标题（中）：用于EUV波长范围的镜子，用于生产这样的镜子的方法，用于包含这种镜子的微观尺寸的投影镜头和用于包含这样的投影镜头的微结构的投影曝光装置
- 申请号：PCT/EP2012/050573 申请日：2012-01-16
- 公开(公告)号：WO2012104136A1 公开(公告)日：2012-08-09
- 发明人： MÜLLENDER, Stephan , ENKISCH, Hartmut , DIER, Oliver , WEBER, Jörn
- 申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , MÜLLENDER, Stephan , ENKISCH, Hartmut , DIER, Oliver , WEBER, Jörn
- 申请人地址： Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen DE
- 专利权人： CARL ZEISS SMT GMBH,MÜLLENDER, Stephan,ENKISCH, Hartmut,DIER, Oliver,WEBER, Jörn
- 当前专利权人： CARL ZEISS SMT GMBH,MÜLLENDER, Stephan,ENKISCH, Hartmut,DIER, Oliver,WEBER, Jörn
- 当前专利权人地址： Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen DE
- 代理机构： Carl Zeiss AG - Patentabteilung (Zusammenschluss 302)
- 优先权： DE10 20110131; US61/437,775 20110131
- 主分类号： G02B17/06
- IPC分类号： G02B17/06 ; G02B5/08
摘要：
The invention relates to a mirror (1a; 1b; 1c; 1d) for the EUV wavelength range having a reflectivity of greater than 40% for at least one angle of incidence of between 0° and 25°, comprising a substrate (S) and a layer arrangement, wherein the layer arrangement comprises at least one layer subsystem (ASL) consisting of a periodic sequence of at least two periods (PASL) of individual layers (LASL, B, HASL) composed of different materials, and wherein the layer subsystem (ASL) has an oxygen doping of between 10 ppb and 0.1 %, in particular between 50 ppb and 50 ppm. Furthermore, the invention relates to a method for coating a mirror (1a; 1b; 1c: 1d) for the EUV wavelength range, wherein an oxygen partial pressure of greater than 10 -9 mbar, in particular of greater than 10 -7 mbar, is present during the coating of the layer subsystem (ASL) with oxygen doping. Furthermore, the invention relates to a projection lens for micro lithography comprising such a mirror, and to a projection exposure apparatus comprising such a projection lens.
摘要（中）：
本发明涉及一种用于EUV波长范围的反射镜（1a; 1b; 1c; 1d），其对于至少一个入射角在0°至25°之间的反射率大于40％，包括基底（S）和 层布置，其中所述层布置包括由由不同材料组成的单个层（LASL，B，HASL）的至少两个周期（PASL）的周期性序列组成的至少一个层子系统（ASL），并且其中所述层子系统 （ASL）的氧掺杂在10ppb和0.1％之间，特别是在50ppb和50ppm之间。 此外，本发明涉及一种用于EUV波长范围的用于涂覆反射镜（1a; 1b; 1c：1d）的方法，其中大于10-9毫巴，特别是大于10-7毫巴的氧分压， 在具有氧掺杂的层子系统（ASL）的涂覆期间存在。 此外，本发明涉及一种包括这种反射镜的微光刻用投影透镜以及包括这种投影透镜的投影曝光装置。
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G02 | 光学 |
| ----G02B | 光学元件、系统或仪器 |
| ------G02B17/00 | 有或无折射元件的具有反射面的系统 |
| --------G02B17/02 | .反射光系统，例如，影像竖立和倒向系统 |
| ----------G02B17/06 | ..只用反射镜的 |