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1. 发明申请

WO2009077660A1 A GLASS PRODUCT AND A METHOD FOR MANUFACTURING A GLASS PRODUCT 审中-公开
标题翻译：玻璃制品和制造玻璃制品的方法
公开(公告)号：WO2009077660A1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/FI2008/050773
申请日：2008-12-19
申请人： BENEQ OY , RAJALA, Markku , SOININEN, Pekka , SNECK, Sami
发明人： RAJALA, Markku , SOININEN, Pekka , SNECK, Sami
IPC分类号： C03C17/36 , G02B1/10 , C23C16/455
CPC分类号： C03C17/36 , C03C17/3605 , C03C17/3628 , C03C17/366 , C03C17/3663 , C03C2218/15 , C23C16/45525 , G02B5/0808 , Y10T428/2495
摘要： A glass product of the present invention (1) comprises a glass substrate (2), a reflective metal layer (3) deposited on the glass substrate, and a passivation layer (4) deposited on the reflective metal layer. According to the present invention, the passivation layer (4) is deposited using an Atomic Layer Deposition (ALD) process.
摘要翻译：本发明的玻璃制品（1）包括玻璃基板（2），沉积在玻璃基板上的反射金属层（3）和沉积在反射金属层上的钝化层（4）。根据本发明，使用原子层沉积（ALD）工艺沉积钝化层（4）。

2. 发明申请

WO2008142208A1 INFRARED RADIATION REFLECTING GLASS 审中-公开
标题翻译：红外辐射反射玻璃
公开(公告)号：WO2008142208A1
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：PCT/FI2008/050290
申请日：2008-05-21
申请人： BENEQ OY , RAJALA, Markku , SOININEN, Pekka , SNECK, Sami
发明人： RAJALA, Markku , SOININEN, Pekka , SNECK, Sami
IPC分类号： C03C17/00 , C03C17/06 , C03C17/23 , G02B5/28
CPC分类号： G02B5/08 , C03C17/06 , C03C17/23 , C03C17/366 , C03C2217/231 , C03C2217/24 , C03C2217/256 , C03C2218/328 , C03C2218/33 , G02B5/208 , G02B5/26
摘要： An infrared radiation reflecting glass (1) comprising a glass sheet (4) and a surface layer (2) arranged on the surface of the glass sheet (4), the surface layer (2) being formed of an electrically conductive IR- radiation reflecting material as a structure that is perforated in a netlike manner and comprises a set of adjacent holes (3) free from said material and distributed over the area of the glass sheet (4). The characteristic diameter of a hole (3) is not more than 10 micrometres.
摘要翻译：一种红外辐射反射玻璃（1），包括玻璃板（4）和布置在所述玻璃板（4）的表面上的表面层（2），所述表面层（2）由导电的红外辐射反射材料作为以网状方式穿孔的结构，并且包括一组相邻的孔（3），其没有所述材料并分布在玻璃板（4）的区域上。孔（3）的特征直径不大于10微米。

3. 发明申请

WO2007088249A1 PROTECTIVE COATING OF SILVER 审中-公开
标题翻译：银保护涂层
公开(公告)号：WO2007088249A1
公开(公告)日：2007-08-09
申请号：PCT/FI2007/050056
申请日：2007-01-31
申请人： BENEQ OY , MÄKELÄ, Milja , SOININEN, Pekka , SNECK, Sami
发明人： MÄKELÄ, Milja , SOININEN, Pekka , SNECK, Sami
IPC分类号： C23C16/455 , A44C27/00 , C03C17/36
CPC分类号： C23C16/403 , A44C27/005 , C23C16/405 , C23C16/44 , C23C16/45525 , C23C16/45555
摘要： In the method, silver is protected against tarnishing using an Atomic Layer Deposition method. In the Atomic Layer Deposition method, a thin film coating is formed 5 on the surface of silver by depositing successive molecule layers of the coating material. For example aluminium oxide (Al 2O3) or zirconium oxide may be used as the coating material.
摘要翻译：在该方法中，使用原子层沉积法来防止银变色。在原子层沉积法中，通过沉积涂层材料的连续分子层，在银的表面上形成薄膜5。例如，可以使用氧化铝（Al 2 O 3）或氧化锆作为涂料。

4. 发明申请

WO2012028784A1 APPARATUS AND METHOD 审中-公开
标题翻译：装置和方法
公开(公告)号：WO2012028784A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/FI2011/050752
申请日：2011-08-30
申请人： BENEQ OY , SOININEN, Pekka , SNECK, Sami
发明人： SOININEN, Pekka , SNECK, Sami
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45551 , C23C16/45544
摘要： The invention is related to an apparatus and a method for processing a surface (4) of a substrate (2) by exposing the surface (4) of the substrate (2) to alternating surface reactions of at least a first starting material (A) and a second starting material (B) according to the principles of atomic layer deposition method. According to the invention a first starting material (A) is fed on the surface (4) of the substrate (2) locally by means of a source (6, 7, 8) by moving the source (6, 7, 8) in relation to the substrate (2), and the surface (4) of the substrate (2) processed with the first starting material (A) is exposed to a second starting material (B) present in the atmosphere (1 ) surrounding the source (6, 7, 8).
摘要翻译：本发明涉及通过将基板（2）的表面（4）暴露于至少第一起始材料（A）的交替表面反应来处理基板（2）的表面（4）的装置和方法，和第二原料（B），按照原子层沉积法的原理。根据本发明，通过将源（6,7,8）移动到第一起始材料（6,7,8）中，第一起始材料（A）通过源（6,7,8）局部地馈送在衬底（2）的表面（4）上与基板（2）的关系以及用第一起始材料（A）处理的基板（2）的表面（4）暴露于围绕源的气氛（1）中存在的第二起始材料（B） 6，7，8）。

5. 发明申请

WO2009077658A1 METHOD AND APPARATUS FOR GENERATING PLASMA 审中-公开
标题翻译：用于产生等离子体的方法和装置
公开(公告)号：WO2009077658A1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：PCT/FI2008/050747
申请日：2008-12-16
申请人： BENEQ OY , SOININEN, Pekka , SNECK, Sami , CAMERON, David
发明人： SOININEN, Pekka , SNECK, Sami , CAMERON, David
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/452 , C23C16/505
CPC分类号： C23C16/45536 , C23C16/45544 , H01J37/32091 , H01J37/32587
摘要： A reaction chamber of areactor for coating or treat- ing a substrate by an atomic layer deposition process (ALD) by exposing thesubstrateto alternately re- peated surface reactions of two or more gas-phase re- actants. The reaction chamber isconfigured to gener- ate capacitively coupled plasma and comprisesa reac- tion space (14) within said reaction chamber, a first inlet (1) to guide gases into the reaction chamber and an outlet (3) to lead gases out of the reaction cham- ber.The reaction chamber is configured to lead the two or more reactants into the reaction chamber such that the two or more reactants may flow through the reaction space (14) across the substrate (7) in a di- rection essentially parallel to the inner surface of the lower wall (5).
摘要翻译：用于通过将底物暴露于两种或多种气相反应物的交替重复的表面反应的原子层沉积工艺（ALD）涂覆或处理基底的反应器的反应室。反应室被配置成产生电容耦合的等离子体并且包括在所述反应室内的反应空间（14），用于将气体引导到反应室中的第一入口（1）和用于将气体引出反应室被配置为将两种或更多种反应物引入反应室，使得两种或更多种反应物可以以基本上平行的方式穿过基底（7）穿过反应空间（14）到下壁（5）的内表面。

6. 发明申请

WO2007125174A1 HOT SOURCE 审中-公开
标题翻译：热源
公开(公告)号：WO2007125174A1
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：PCT/FI2007/050232
申请日：2007-04-26
申请人： BENEQ OY , SOININEN, Pekka , SNECK, Sami
发明人： SOININEN, Pekka , SNECK, Sami
IPC分类号： C23C16/448
CPC分类号： C23C16/4485 , C23C16/4402 , C23C16/4557 , C23C16/45576 , C23C16/45578 , H05B3/78
摘要： The invention relates to a hot source for vapour deposition apparatuses for supplying source substance into a reactor, the source (1 ) comprising a source container (2) having a source space (4) for the source substance. In the invention, the source (1 ) further comprises a lid (6) comprising first heating means (8) for heating the lid (6), the lid (6) being detachably installable in the source container (2) in such a way that the heat generated by the first heating means (8) is transmitted by conduction to the source container (2) and further to the source space (4) to heat the source substance.
摘要翻译：本发明涉及一种用于将源物质供应到反应器中的气相沉积装置的热源，源（1）包括具有用于源物质的源空间（4）的源容器（2）。在本发明中，源（1）还包括盖子（6），其包括用于加热盖子（6）的第一加热装置（8），盖子（6）以这种方式可拆卸地安装在源容器由第一加热装置（8）产生的热量通过传导传递到源容器（2）并进一步传送到源空间（4）以加热源物质。

7. 发明申请

WO2009080889A1 COATING METHOD 审中-公开
标题翻译：涂料方法
公开(公告)号：WO2009080889A1
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：PCT/FI2008/050769
申请日：2008-12-19
申请人： BENEQ OY , SOININEN, Pekka , SNECK, Sami
发明人： SOININEN, Pekka , SNECK, Sami
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45527 , C23C16/52
摘要： The invention relates to a process for coating and/or doping a surface of a substrate, an inner surface of a structure or another piece to be processed in a reaction space with the atomic layer deposition method (ALD method). In the process the substrate surface to be processed is subjected alternately to iterated, saturated surface reactions by feeding successive pulses of starting materials into the reaction space. In accordance with the invention, a pulse of starting materials, whose amount is predetermined, is fed into the reaction space; the amount/concentration of the starting materials and/or reaction products thereof is measured in the reaction space during and/or after the pulse or on a continuous basis; the amount of starting materials to be fed into the reaction space in a subsequent cycle is determined on the basis of the measurement results obtained in step b); and a next pulse of starting materials, whose amount corresponds to the measurement results obtained in step c), is fed into the reaction space.
摘要翻译：本发明涉及一种用原子层沉积法（ALD法）在反应空间中涂覆和/或掺杂基材表面，结构的内表面或待处理的其它件的方法。在该过程中，通过将连续的起始材料脉冲馈送到反应空间中，待处理的衬底表面被交替地进行重复饱和的表面反应。根据本发明，将预定量的原料脉冲送入反应空间; 在脉冲期间和/或之后或连续的基础上，在反应空间中测量起始物质和/或其反应产物的量/浓度; 基于步骤b）中获得的测量结果确定在随后的循环中进料到反应空间中的起始原料的量; 并且其量对应于步骤c）中获得的测量结果的起始材料的下一个脉冲被馈送到反应空间中。

8. 发明申请

WO2007147946A1 METHOD FOR MANUFACTURING FIBRE PREFORM 审中-公开
标题翻译：制造纤维预制件的方法
公开(公告)号：WO2007147946A1
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：PCT/FI2007/050373
申请日：2007-06-19
申请人： BENEQ OY , SOININEN, Pekka , SNECK, Sami
发明人： SOININEN, Pekka , SNECK, Sami
IPC分类号： C03B37/018 , C23C16/455 , C03B37/012 , C03B37/014 , C03B37/027
CPC分类号： C23C16/401 , C03B37/01262 , C03B37/01433 , C03B37/01838 , C03C25/1061 , C23C16/045 , C23C16/45525 , C23C16/45534 , C23C16/45555
摘要： The invention relates to a method for manufacturing a fibre preform and/or for modifying properties of the same by an ALD method. According to the invention, one or more fibre preforms are placed in an atomic layer deposition reactor and a first catalyst is supplied into a core of the fibre preform in order to produce a catalysing layer onto a surface of the core of the fibre preform. Next, one or more dopants are supplied into the core of the fibre preform, whereby the first catalyst causes two or more deposition layers to be formed onto the surface of the core of the fibre preform.
摘要翻译：本发明涉及一种通过ALD法制造纤维预制棒和/或用于改性其性能的方法。根据本发明，将一个或多个纤维预制件放置在原子层沉积反应器中，并且将第一催化剂供应到纤维预制棒的芯中，以便在纤维预制棒的芯的表面上产生催化层。接下来，将一种或多种掺杂剂供应到纤维预制棒的芯中，由此第一催化剂在纤维预制棒的芯的表面上形成两个或更多个沉积层。

9. 发明申请

WO2007057518A1 ARRANGEMENT IN CONNECTION WITH ALD REACTOR 审中-公开
标题翻译：与ALD反应器连接的装置
公开(公告)号：WO2007057518A1
公开(公告)日：2007-05-24
申请号：PCT/FI2006/050499
申请日：2006-11-16
申请人： BENEQ OY , SOININEN, Pekka , SNECK, Sami
发明人： SOININEN, Pekka , SNECK, Sami
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/00 , C23C16/455 , C30B25/00 , C30B25/12
CPC分类号： C30B25/08 , C23C16/45525 , C23C16/45544 , C23C16/54 , C30B25/12 , C30B25/165
摘要： The invention relates to a loading apparatus for an ALD reactor, the ALD reactor comprising a vacuum chamber (2) having a first end wall (6) and a second end wall (20), which comprises a rear flange, and side walls/casing (22) connecting the first and the second end wall, and a reaction chamber (4) provided inside the vacuum chamber (2). According to the invention, the loading apparatus is provided in the side wall/casing (22) of the vacuum chamber (2), in which case one or more substrates (10) may be introduced into the reaction chamber (4) and removed therefrom through the side wall (22) of the vacuum chamber (2).
摘要翻译：本发明涉及一种用于ALD反应器的装载装置，该ALD反应器包括具有第一端壁（6）和第二端壁（20）的真空室（2），其包括后凸缘和侧壁/壳体（22）和连接第一和第二端壁的反应室（4），设置在真空室（2）内。根据本发明，装载装置设置在真空室（2）的侧壁/壳体（22）中，在这种情况下，可以将一个或多个基板（10）引入反应室（4）并从其中移出通过真空室（2）的侧壁（22）。

10. 发明申请

WO2012028771A1 APPARATUS 审中-公开
标题翻译：仪器
公开(公告)号：WO2012028771A1
公开(公告)日：2012-03-08
申请号：PCT/FI2011/050732
申请日：2011-08-22
申请人： BENEQ OY , ALASAARELA, Tapani , SOININEN, Pekka
发明人： ALASAARELA, Tapani , SOININEN, Pekka
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/45544 , C23C16/458 , C23C16/545
摘要： The present invention relates to an apparatus for processing a surface (4) of a substrate (6) by subjecting the surface (4) of a substrate (6) to successive surface reactions of at least a first precursor and a second precursor. The apparatus comprises at least one nozzle head (2, 40) having two or more two or more precursor zones (14, 16) for subjecting the surface (4) of the substrate (6) to at least the first and second precursors and a moving mechanism (42, 44) for moving the nozzle head (2, 40) in oscillating movement between a first end position and a second end position. According to the invention the moving mechanism (42, 44) is arranged to store at least part of the kinetic energy of the nozzle head (2, 40) released in oscillating movement of the nozzle head (2, 40).
摘要翻译：本发明涉及一种用于通过使基底（6）的表面（4）经受至少第一前体和第二前体的连续表面反应来处理基底（6）的表面（4）的装置。该装置包括至少一个具有两个或更多个两个或更多个前体区（14,16）的喷嘴头（2,40），用于将基底（6）的表面（4）经受至少第一和第二前体和移动机构（42,44），用于在第一端部位置和第二端部位置之间移动喷嘴头（2,40）的摆动运动。根据本发明，移动机构（42,44）被布置成存储在喷嘴头（2,40）的摆动运动中释放的喷嘴头（2,40）的至少一部分动能。

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