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1. 发明申请

WO2003019668A1 CAPTEUR D'IMAGE COULEUR A COLORIMETRIE AMELIOREE ET PROCEDE DE FABRICATION 审中-公开
标题翻译：具有增强压印的彩色图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：WO2003019668A1
公开(公告)日：2003-03-06
申请号：PCT/FR2002/002978
申请日：2002-08-30
申请人： ATMEL GRENOBLE S.A. , POURQUIER, Eric , BRISSOT, Louis , SIMON, Gilles , JUTANT, Alain , ROMMEVEAUX, Philippe
发明人： POURQUIER, Eric , BRISSOT, Louis , SIMON, Gilles , JUTANT, Alain , ROMMEVEAUX, Philippe
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14667 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L31/02162
摘要： L'invention concerne les capteurs d'image en couleurs de très petites dimensions. Le capteur selon l'invention est réalisé par le procédé suivant : - formation, sur la face avant d'une tranche de silicium, d'une série de zones actives (ZA) comportant des circuits de détection d'image et correspondant chacune à un capteur d'image respectif, chaque zone active comprenant des zones photosensibles recouvertes d'un empilement de couches conductrices et isolantes (14, 16) permettant le recueil de charges électriques générées dans les zones photosensibles, - report de la tranche par sa face avant contre la face avant d'un substrat de support (20), - élimination de la majeure partie de l'épaisseur de la tranche de silicium, laissant subsister sur le substrat une fine couche de silicium (30) comprenant les zones photosensibles, - dépôt et gravure, sur la couche de silicium ainsi amincie, de filtres de couleur (18).
摘要翻译：本发明涉及非常小尺寸的彩色图像传感器。本发明的传感器通过以下方法制造：在硅晶片的前表面上形成一系列包括图像检测电路的有源区（ZA），每个相应的图像传感器相应，每个活动区包括被覆盖有用于收集由感光区产生的电负载的导电和绝缘层（14,16）的堆叠; 通过其前表面将晶片转移到支撑衬底（20）的前表面上; 消除了硅晶片厚度的主要部分，在衬底上留下了包含感光区的精细硅层（30）; 在这样减薄的硅层上沉积和蚀刻滤色器（18）。

2. 发明申请

WO2003019670A1 PROCEDE DE FABRICATION DE CAPTEUR D'IMAGE COULEUR AVEC SUBSTRAT DE SUPPORT SOUDE PLOT SUR PLOT 审中-公开
标题翻译：用于制造支持基板的彩色图像传感器焊接连接连接的方法
公开(公告)号：WO2003019670A1
公开(公告)日：2003-03-06
申请号：PCT/FR2002/002980
申请日：2002-08-30
申请人： ATMEL GRENOBLE S.A. , POURQUIER, Eric , ROMMEVEAUX, Philippe
发明人： POURQUIER, Eric , ROMMEVEAUX, Philippe
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/1892 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L31/02162 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81 , Y02E10/50 , H01L2924/00
摘要： L'invention concerne la fabrication des capteurs d'image en couleurs pour caméras miniatures. Le procédé de fabrication comprend : - la formation, sur la face avant d'une tranche de silicium (10), d'une série de zones actives (ZA) comportant des circuits de détection d'image et correspondant chacune à un capteur d'image respectif, chaque zone active étant entourée de plots d'entrée/sortie (22), - le report de la tranche par sa face avant contre la face avant d'un substrat de support (20), - l'élimination de la majeure partie de l'épaisseur de la tranche de silicium, laissant subsister sur le substrat une fine couche de silicium (30) comprenant les circuits de détection d'image, ce procédé étant caractérisé en ce que : - d'une part, on dépose et on grave ensuite des couches de filtres de couleur (18) sur la tranche de silicium ainsi amincie, - d'autre part, le substrat comporte des plots de connexion (32) disposés avec la même géométrie que les plots (22) de chaque zone active pour venir en regard de ces plots (22) lors du report, des billes de connexion (34) étant prévues pour souder un plot respectif (32) du substrat (20) à un plot correspondant (22) de la tranche de silicium (10), - et enfin, on découpe le substrat en capteurs individuels après le dépôt et la gravure des filtres colorés.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造微型照相机的彩色图像传感器的方法。该制造方法包括：在硅晶片（10）的前表面上形成一系列包括图像检测电路的有源区（ZA），并分别对应于各自的图像传感器，每个有源区被输入/输出接触柱（22）; 通过其前表面将晶片转移到支撑衬底（20）的前表面上; 消除了硅晶片厚度的主要部分，在衬底上留下了包括图像检测电路的精细硅层（30）。该方法的特征在于：它包括沉积，随后在如此变薄的硅晶片上蚀刻滤色器层（18）; 衬底包括以类似几何形状布置的接合焊盘（32），其中每个有源区域的连接在传送期间被推压相对于所述接触柱体（22），连接球体（34）被设置为焊接相应接合焊盘（32）的接合焊盘所述基板（20）连接到所述硅晶片（10）的对应的接触柱（22）; 最后在沉积和蚀刻彩色滤光片后将基板切割成单独的传感器。

3. 发明申请

WO2003019667A1 CAPTEUR D'IMAGE COULEUR SUR SUBSTRAT TRANSPARENT ET PROCEDE DE FABRICATION 审中-公开
标题翻译：透明基板上的彩色图像传感器及其制造方法
公开(公告)号：WO2003019667A1
公开(公告)日：2003-03-06
申请号：PCT/FR2002/002977
申请日：2002-08-30
申请人： ATMEL GRENOBLE S.A. , BRISSOT, Louis , POURQUIER, Eric
发明人： BRISSOT, Louis , POURQUIER, Eric
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/1892 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L31/02162 , Y02E10/50
摘要： L'invention concerne un capteur d'image en couleur permettant de réaliser une caméra miniature, et un procédé de fabrication correspondant. Le capteur d'image comporte un substrat transparent (40) à la partie supérieure duquel sont superposés dans l'ordre une mosaïque de filtres colorés (18), une couche de silicium très mince (30) comportant des zones photosensibles, et un empilement de couches conductrices (14) et isolantes (16) définissant des circuits de détection d'image permettant de recueillir des charges électriques générées par l'illumination des zones photosensibles à travers le substrat transparent. Le substrat transparent (40) est en verre ou en matière plastique. Le procédé de fabrication consiste à fabriquer les circuits photosensibles sur une tranche de silicium, à reporter cette tranche sur un substrat de support provisoire, à amincir la tranche jusqu'à une épaisseur d'environ 3 à 20 micromètres, à déposer des filtres colores sur la surface de la couche de silicium subsistante, et à reporter la structure sur un substrat définitif transparent et à éliminer le substrat provisoire.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造微型照相机的彩色图像传感器及其制造方法。图像传感器包括在其上表面上连续叠加着色滤光片马赛克（18）的透明基板（40），包括感光区的非常薄的硅层（30），以及导电（14）和绝缘（ 16）限定图像检测电路的层，用于收集通过透明基板照射感光区产生的电负载。透明基板（40）由玻璃或塑料材料制成。该制造方法包括在硅晶片上制造感光电路，将所述晶片转移到临时衬底上，将晶片减薄至约3至20微米的厚度，在剩余硅层的表面上沉积彩色滤光片，并转移永久性透明基材上的结构，并消除了临时底物。

4. 发明申请

WO2003019669A1 PROCEDE DE FABRICATION DE CAPTEUR D'IMAGE COULEUR AVEC OUVERTURES DE CONTACT CREUSEES AVANT AMINCISSEMENT 审中-公开
标题翻译：用于制造具有附着的接触孔的彩色图像传感器的方法
公开(公告)号：WO2003019669A1
公开(公告)日：2003-03-06
申请号：PCT/FR2002/002979
申请日：2002-08-30
申请人： ATMEL GRENOBLE S.A. , POURQUIER, Eric
发明人： POURQUIER, Eric
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/02162 , H01L27/1464 , H01L27/14645
摘要： L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'image en couleurs. Le procédé comprend: la formation, sur la face avant d'une tranche semiconductrice (10), d'une serie de zones actives comportant des circuits de détection d'image et correspondant chacune à un capteur d'image respectif, chaque zone active étant entourée de plots d'entrée/sortie (22); le report de la tranche par sa face avant contre la face avant d'un substrat de support (20); l'élimination de la majeure partie de l'épaisseur de la tranche semiconductrice, laissant subsister sur le substrat une fine couche semiconductrice (30) comprenant les circuits de détection d'image. De plus, d'une part on dépose et on grave ensuite des couches de filtres colores (18) sur la tranche semiconductrice ainsi amincie, d'autre part, préalablement au report de la tranche semiconductrice sur le substrat, on a formé sur la face avant de la tranche semiconductrice des ouvertures métallisées (25) s'étendant plus profondément que les éléments des circuits de détection d'image formes à la surface de la tranche semiconductrice ; et l'étape d'amincissement comporte la mise à nu par l'arrière de la métallisation (22) des ouvertures métallisées.
摘要翻译：本发明涉及一种制作彩色图像传感器的方法。该方法包括：在半导体晶片（10）的前表面上形成一系列包括图像检测电路并且各自对应于各自的图像传感器的活动区域，每个活动区域被输入/输出连接（22）包围; 通过其前表面将晶片转移到支撑衬底（20）的前表面上; 消除了半导体晶片厚度的主要部分，在衬底上留下了已经变薄的精细半导体膜。另外，该方法包括：在减薄的半导体晶片上沉积和蚀刻着色滤光层818）在将半导体晶片转移到衬底之前，半导体晶片正面上的金属化孔径（25）形成得比形成在半导体晶片表面上的图像检测电路的元件深。并且所述变薄步骤包括从所述金属化（22）的所述金属化孔的后部剥离。

5. 发明申请

WO2008074688A1 PROCEDE DE FABRICATION DE CAPTEUR D'IMAGE A HAUTE DENSITE D'INTEGRATION 审中-公开
标题翻译：制作高集成度密度传感器的方法
公开(公告)号：WO2008074688A1
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：PCT/EP2007/063664
申请日：2007-12-11
申请人： E2V SEMICONDUCTORS , POURQUIER, Eric
发明人： POURQUIER, Eric
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/762
CPC分类号： H01L27/14634 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2224/9212 , H01L2224/80896 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/80001 , H01L2224/82
摘要： L'invention concerne la fabrication de composants électroniques à très haute densité d'intégration, notamment un capteur d'image. Le composant comporte deux circuits intégrés superposés dont l'un (le capteur d'image) est formé sur la face avant d'un premier substrat de silicium aminci (12); l'autre est réalisé sur la face avant d'un deuxième 5 substrat (30), avec une couche de planarisation isolante (28, 48) interposée entre les faces avant des deux substrats. Le silicium (12) de la face arrière du substrat aminci est ouvert localement au-dessus d'une première plage conductrice (P1) située dans le substrat aminci et d'une deuxième plage conductrice (P2) située dans le deuxième substrat. Une portion de couche 10 conductrice (50), déposée sur les deux plages, les relie électriquement pour assurer l'interconnexion entre les deux circuits. Les plots de connexion extérieure (PL1) peuvent également être formés dans cette couche conductrice (50). Application à la connexion d'un capteur d'image sur silicium aminci 15 avec un circuit intégré de traitement d'image.
摘要翻译：本发明涉及具有非常高的集成密度的电子部件的制造，特别是图像传感器。该组件包括两个叠置的集成电路，其中一个（图像传感器）形成在第一薄化硅衬底（12）的正面上，另一个集成电路被制造在第二衬底（30）的正面上，具有介于两个基板的前表面之间的绝缘平坦化层（28,48）。减薄衬底的后表面的硅（12）在位于薄化衬底中的第一导电焊盘（P1）上方并位于第二衬底中的第二导电焊盘（P2）上方局部开放。沉积在两个焊盘上的导电层（50）的一部分将它们电连接以提供两个电路之间的互连。外部连接焊盘（PL1）也可以形成在该导电层（50）中。应用于薄膜上的图像传感器与集成图像处理电路的连接。

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